超高压JFET器件电参数的合理实现

基于高性价比的10层masks UHVBCD工艺平台,对UHVJFET电参数机理进行分析,并做出实验数据总结,可作为半导体工艺器件研发人员的参考资料。依靠Double Resurf原理实现高击穿电压BVd。Combined结构的JFET漏极击穿电压BVd取决于与其并联的UHVLDMOS,独立结构的JFET则可通过改变漂移宽度Ld,在15~80μm范围内,实现100~900V范围的JFET击穿电压。通过调整DN或DP注入剂量改变沟道掺杂浓度,同时通过沟通区域的DN局部挖空设计来实现VLD变掺杂,可以实现9~30V区间的源极夹断电压Vp。实验还得出圆形结构与直条形结构的UHVJFET,变掺杂设计规则有0.5μm左右的偏差。结果得出JFET在Vp=20V,Vs=0V,Vd=50V时,供电能力在2mA/100μm左右。