ULSI硅衬底的化学机械抛光

在分析 UL SI中硅衬底 CMP的动力学过程基础上 ,提出了在机械研磨去除产物过程中 ,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程 ,从而提高抛光效率 .在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械研磨过程的重要因素 ,而不是单纯受粒径大小的影响 .分析和讨论了 CMP工艺中的几个影响因素 ,如粒径大小与分散度、p H值、温度、流量和浓度等 .采用含表面活性剂和螯合剂的清洗液进行抛光后清洗 ,表面颗粒数优于国际 SEMI标准 。

ULSI中铜互连线技术的关键工艺

简述了 ULSI中采用以铜作为互连线技术的工艺过程及其研究发展状况 ,并着重对铜互连线技术中扩散阻挡层的选取。

ULSI衬底硅单晶片清洗技术现况与展望

阐述了ULSI衬底硅单晶片清洗的重要性 ,详尽介绍了目前世界上采用的各种清洗方法 (湿法、干法、兆声、激光等 )的发展概况、应用价值及发展方向 ,并提出晶片清洗的发展趋势将向多元化、综合化和专用化方向发展。

适于ULSI的一种新的铜的CMP抛光液

采用纳米级二氧化硅代替国际上惯用的三氧化二铝作磨料 ,解决了抛光液的悬浮问题 ,得到了很好的抛光表面 .采用无金属离子的有机碱作络合剂及 p H调制剂 ,使用了无金属离子的氧化剂解决了铜离子沾污问题和制约硅溶胶作磨料的凝胶问题 .从而得到一种适用于甚大规模集成电路 (U L SI)制备中铜互连线技术的化学机械抛光(CMP)

ULSI硅衬底的化学机械抛光技术

介绍了特大规模集成电路(ULSI)硅衬底的化学机械抛光工艺。对抛光机理、影响抛光速率和抛光质量的因素、抛光液中的成份特别是精抛液中的有机碱和活性剂的选择作了讨论分析,另外对抛光中出现的一些问题及解决方法进行了分析研究。

利用表面活性剂有效去除ULSI衬底硅片表面吸附颗粒

甚大规模集成电路(ULSI)对衬底硅片表面洁净度的要求越来越高。抑制颗粒在衬底表面的沉积,应使衬底表面与颗粒表面必须具有相同的ξ-电势。表面活性剂具有润湿作用,能够降低表面张力,可以控制颗粒在硅片表面的吸附状态。实验证实在清洗液中加入适当的表面活性剂能够达到较好的去除颗粒的效果,实现工业应用。

ULSI互连中纳米多孔SiO_2的制造工艺、特性及应用前景

综述了 ULSI互连中纳米多孔二氧化硅 (NPS)电介质主要品种干燥凝胶 (Xerogel)的典型制造工艺 ,给出并分析了介电常数、应力、热导率和机械强度等主要特性 。

ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化

分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究。

一种低压低功耗CMOS ULSI运算放大器单元

基于新型的折叠电流镜负载PMOS差分输入级拓扑、轨至轨(Rail-to-Rail)AB类低压CMOS推挽输出级模型、低压低功耗LV/LP技术和Cadence平台的实验设计与模拟仿真,采用2μmP阱硅栅CMOS标准工艺,得到了一种具有VT=±0.7V、电源电压1.1～1.5V、静态功耗典型值330μW、75dB开环增益和945kHz单位增益带宽的LV/LP运算放大器。该器件可应用于ULSI库单元及其相关技术领域,其实践有助于CMOS低压低功耗集成电路技术的进一步发展。

ULSI制备中铜布线的两步抛光技术

在超大规模集成电路 (U L SI)铜布线工艺中 ,采用阻挡层来提高铜与衬底的粘附性 ,主要是为了防止铜原子向介质或衬底中扩散 .为了达到全局平面化 ,就需要克服阻挡层金属与布线金属铜因化学和物理性质的不同而导致其化学机械抛光 (CMP)速率的不同 .通过研究和一系列试验 ,采用两步抛光 ,初抛中采用高化学作用 ,终抛中采用高机械作用 ,达到较好的全局平面化效果 ,并提出了初抛的 CMP模型 .

ULSI制备中氧化硅介质化学机械抛光的研究

对超大规模集成电路制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件的选择进行了大量理论和实验研究 ,着重研究了使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及如何解决抛光浆料的沉积等问题 ,并实现了技术突破。

用于ULSI的低k氟化非晶碳膜研究

综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｆ）的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能，为开发具有新型功能的低介电常数材料提供了指导。

ULSI铜互连线CMP抛光液的研制

介绍了一种碱性抛光液 ,选用有机碱做介质 ,Si O2 水溶胶做磨料 ,依据强络合的反应机理 ,克服了 Si O2 水溶胶做磨料对铜去除速率低及在溶液中凝胶的难点 .实验结果表明 :该抛光液适用于 Cu化学机械抛光过程第一阶段的抛光 ,并达到了高抛光速率及铜 /钽 /介质层间的高选择性的效果 .

ULSI互连系统热特性的模拟

应用基于有限元算法的软件 ANSYS对 0 .15 μm工艺条件下的一个 U L SI电路的五层金属互连结构进行了热特性模拟和分析 .模拟了这个经多目标电特性优化了的互连结构在采用不同金属 (Cu或 Al)互连线及不同电介质 (Si O2 或低介电常数材料 xerogel)填充条件下的热分布情况 ,计算了这些条件下此互连结构的温度分布 .并将结果与 Stanford大学模拟的另一种五层金属布线结构的热特性结果进行了比较 .讨论了低介电常数材料的采用对于互连结构散热情况的影响 .此外 ,还简要地介绍了

ULSI多层布线钨插塞CMP粗糙度的影响因素分析

随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对集成电路制作过程中的全局平坦化提出了更高的要求.ULSI多层布线CMP中粗糙度对器件的性能有明显影响,因此本文主要研究多层互连钨插塞材料CMP过程中的表面粗糙度影响因素及控制技术,分析了抛光过程中影响粗糙度的主要因素,确定了获得较低表面粗糙度的抛光液配比及抛光工艺参数.

ULSI制造中铜化学机械抛光的腐蚀磨损机理分析

以超大规模集成电路(ULSI)芯片多层互连结构制造中的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CuCMP)为研究对象,针对CuCMP中存在的抛光液的化学腐蚀作用和磨料的机械磨损现象,采用腐蚀磨损理论分析了CuCMP材料去除机理。提出铜CMP的材料去除中存在着机械增强的化学腐蚀和化学增强的机械磨损,并分析了CuCMP的静态腐蚀材料去除、机械增强的腐蚀去除与化学增强的机械去除机理。

ULSI制备中Cu布线的CMP技术及抛光液的研究

对 ＵＬＳＩ制备中铜布线技术作了系统的介绍。对 ＣＭＰ相关技术到抛光机理、浆料的种类及成分均作了整体的分析和论述，并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了分析和讨论。此外，还对新研制的一种新型、高效、无污染的浆料进行了介绍。

用于ULSI铜布线的化学机械抛光分析

对ＵＬＳＩ中多层金属铜布线的ＣＭＰ（化学机械抛光）进行了理论分析，介绍了Ｃｕ－ＣＭＰ模型与机理及其动力学过程，抛光液的种类及其存在的问题，并对Ｃｕ－ＣＭＰ的研究作了进一步探讨．

一种新的求解ULSI双介质互连电容的模拟电荷法

论述了一种模拟电荷法与镜像格林函数法相结合 ,对模拟电荷用 DFP法进行最优设置的提取双介质 UL SI互连电容参数的基本算法 ,并与其它互连电容模拟软件模拟的结果进行了比较 ,相对偏差小于 10 % 。

ULSI多层布线中Cu的CMP技术

作者对当前 ULSI多层布线中金属铜的 CMP技术作了系统的介绍 ,对抛光机理、多层布线中铜图案成型技术、浆料目前的种类及成分和表面完美性问题作了详细地分析和论述 ,并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了讨论。