纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术

综述了集成电路(IC)中制备纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术,包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等新技术,并对比分析了这几种掺杂技术各自的优缺点及其应用前景。

用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪

比例差值谱仪运用了独创的在线综合检测分析的专利技术——比例差值谱技术,实现了半导体器件的关键电学特征参数如饱和电流、饱和电压、阈值电压、载流子迁移率等直接、准确、便捷地提取和薄膜材料的缺陷分析。该产品是基于Windows操作系统计算机程控的适用于半导体器件表征和可靠性评估应用的集成化分析仪器。

集成电路可制造性设计中器件参数的提取

分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的NMOSFET进行衬底电流的提取,并以NMOSFET沟道长度和LDD注入峰值综合对器件特性的影响为研究内容,介绍了集成电路可制造性设计中器件参数的优化与提取。

精密掺杂技术的发展与应用

微电子学和光电子学的迅速发展,要求能对掺入半导体晶片中的杂质数量、深度和浓度分布进行精密控制,因此原子平面掺杂和超浅层掺杂技术已成为发展新器件的重要工艺之一。本文介绍了当前三种主要的浅层或薄层平面掺杂技术的特点,并简要论述了它们在光电子器件和集成电路中的应用。

一种高速低耗全摆幅BiCMOS反相器

通过分析影响双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS)反相器全摆幅输出和高速度的诸因素 ,设计了具有高速、低功耗、全摆幅输出的BiCMOS反相器 ,提出了采用先进的 0 .8μmBiCMOS工艺制作反相器的一些技术要点 .该反相器可以工作在 1.5V ,信号传输延迟很小 ,速度高于同类CMOS电路 10倍以上 。