ULSI技术的发展趋势

本文介绍了与ＵＬＳＩ技术相关的ＤＲＡＭ器件的微细化进展，对半导体制造工艺技术的发展也作了讨论，指出了，ＵＬＳＩ技术在今后的发展中，应注重半导体工艺的“清洁化技术”，并将改善半导体器件制造的成本费用与效益的比例减产 ＵＬＳＩ技术开发的依据。

ULSI 技术发展的三点思考

美国半导体行业协会(SlA)颁发的 ITRS(Interna-tional Technoloy Roadmap of Semiconductors)[1]对包括今后十几年 ULSI 的发展描绘出了详细蓝图。它是由专家和国际半导体工业界共同讨论制定的,依据 Moore 定律,又考虑了实际需要和可行性,同时按实际发展逐年进行修改,因此可信度甚高。

21世纪微电子技术发展展望

1.集成电路技术的高速发展 几十年来集成电路（IC）技术一直以极高的速度发展。著名的摩尔（Moore）定则指出IC的集成度（每个微电子芯片上集成的器件数）,每3年左右为一代,每代翻两番,对应的IC制作工艺中的特征线宽每代缩小约30％。根据按比例缩小原理（Scaling Down Princi-ple）,特征线条越窄,IC的工作速度越快,单元功能消耗的功率就越低。