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GaAs表面经UV/O_3处理后的XPS分析
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作者 杨伟毅 王广林 +2 位作者 高频 夏长虹 邓金祥 《华东工学院学报》 CSCD 1992年第3期56-59,共4页
UV/O_3是去除半导体表面碳氢化合物的有效方法之一。该文利用X光电子能谱仪讨论了GaAs经UV/O_3处理的表面化学状态,得知表面氧化物为Ga_2O_3、As_2O_3及As_2O_5,且其氧化层厚度,当用UV/O_3处理30 min后大约为9 nm。
关键词 砷化镓 界面 表面化学 uv/o3处理
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垃圾渗滤液深度处理的混凝-UV-O3组合工艺试验 被引量:2
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作者 郭晓京 胡兆吉 +3 位作者 刘康 刘泉 金琪 刘思琪 《南昌大学学报(理科版)》 CAS 北大核心 2019年第2期151-156,共6页
老龄的垃圾渗滤液经过生化处理之后仍然不能达标排放,需要进行深度处理。本文采用混凝/UV/O3组合工艺对经氧化塘出水的垃圾渗滤液进行了深度处理的试验研究,探索了较优的组合处理工艺条件。结果表明:在混凝反应阶段,当pH值为5、PFS投加... 老龄的垃圾渗滤液经过生化处理之后仍然不能达标排放,需要进行深度处理。本文采用混凝/UV/O3组合工艺对经氧化塘出水的垃圾渗滤液进行了深度处理的试验研究,探索了较优的组合处理工艺条件。结果表明:在混凝反应阶段,当pH值为5、PFS投加量为1 200 mL(100 g/1 000 mL)、PAM投加量为1 000 mL(1 g/1 000 mL),COD去除率可达60.2%;在光化学反应阶段,当反应时间为60 min、pH值为9、紫外光照强度为3.8 W·L-1、臭氧通气量为80 L·h-1,COD去除率可达79.1%。该组合工艺对水样的COD综合去除率为91.7%,最终出水COD值由1 560 mg·L-1降低至130 mg·L-1,出水可接近GB16889-2008排放标准。同时,研究结果还表明了混凝与光化学处理工艺组合应用的必要性,与单纯的UV/O3光化学处理工艺相比,混凝/UV/O3组合处理工艺对垃圾渗滤液COD的去除率提升了23.5%。 展开更多
关键词 垃圾渗滤液 深度处理 混凝处理 uv/o3光化学处理
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论述印染废水的处理方法 被引量:12
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作者 刘雁鹏 《广西轻工业》 2007年第6期76-78,共3页
本文论述了印染废水的特点、常用的处理方法及作用原理,重点分析了UV/H2O2/O3氧化处理技术及其作用原理,为选择高效、节能的印染废水处理工艺提供参考。
关键词 印染废水 处理技术 uv/H2o2/o3处理
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