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题名GaAs表面经UV/O_3处理后的XPS分析
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作者
杨伟毅
王广林
高频
夏长虹
邓金祥
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机构
华东工学院光电技术系
中国科学院电子研究所
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出处
《华东工学院学报》
CSCD
1992年第3期56-59,共4页
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文摘
UV/O_3是去除半导体表面碳氢化合物的有效方法之一。该文利用X光电子能谱仪讨论了GaAs经UV/O_3处理的表面化学状态,得知表面氧化物为Ga_2O_3、As_2O_3及As_2O_5,且其氧化层厚度,当用UV/O_3处理30 min后大约为9 nm。
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关键词
砷化镓
界面
表面化学
uv/o3处理
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Keywords
gallium arsenide
interface
surface chemistry
analytical method
uv/o_3 treatment
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分类号
TN471
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名垃圾渗滤液深度处理的混凝-UV-O3组合工艺试验
被引量:2
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作者
郭晓京
胡兆吉
刘康
刘泉
金琪
刘思琪
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机构
南昌大学资源环境与化工学院
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出处
《南昌大学学报(理科版)》
CAS
北大核心
2019年第2期151-156,共6页
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基金
江西省科技厅重大科技攻关课题(20143ACG700015)
江西省教育厅科技落地项目(KJLD12017)
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文摘
老龄的垃圾渗滤液经过生化处理之后仍然不能达标排放,需要进行深度处理。本文采用混凝/UV/O3组合工艺对经氧化塘出水的垃圾渗滤液进行了深度处理的试验研究,探索了较优的组合处理工艺条件。结果表明:在混凝反应阶段,当pH值为5、PFS投加量为1 200 mL(100 g/1 000 mL)、PAM投加量为1 000 mL(1 g/1 000 mL),COD去除率可达60.2%;在光化学反应阶段,当反应时间为60 min、pH值为9、紫外光照强度为3.8 W·L-1、臭氧通气量为80 L·h-1,COD去除率可达79.1%。该组合工艺对水样的COD综合去除率为91.7%,最终出水COD值由1 560 mg·L-1降低至130 mg·L-1,出水可接近GB16889-2008排放标准。同时,研究结果还表明了混凝与光化学处理工艺组合应用的必要性,与单纯的UV/O3光化学处理工艺相比,混凝/UV/O3组合处理工艺对垃圾渗滤液COD的去除率提升了23.5%。
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关键词
垃圾渗滤液
深度处理
混凝处理
uv/o3光化学处理
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Keywords
landfill leachate
advanced processing
coagulation
uv-o3 photochemical reaction
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分类号
X703.1
[环境科学与工程—环境工程]
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题名论述印染废水的处理方法
被引量:12
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作者
刘雁鹏
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机构
天津工业大学材料化工学院
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出处
《广西轻工业》
2007年第6期76-78,共3页
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文摘
本文论述了印染废水的特点、常用的处理方法及作用原理,重点分析了UV/H2O2/O3氧化处理技术及其作用原理,为选择高效、节能的印染废水处理工艺提供参考。
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关键词
印染废水
处理技术
uv/H2o2/o3处理法
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分类号
X703
[环境科学与工程—环境工程]
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