突破UV光刻的光学障碍

半导体产业界的研究机构,International Sematech,(位于美国德克萨斯州的Austin)利用从一个6W氟激光光源获得的175nm紫外线,进行了光刻实验。结果显示0.07微米以上线条的光刻工艺技术,已经有了明确的道路可循。该机构装配了一台微步进重复机,可以在157um光源下工作,并且经过实验证明它能正常运行。

光刻胶材料的研究进展

简单介绍了光刻胶的组成部分,综述了近年来国内外光刻胶成膜树脂合成、开发的研究进展,并根据不同曝光波长所需的不同光刻胶(包括紫外(UV)光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光刻胶等)进行了介绍。重点介绍了各光源下分子量和分子量分散指数对光致抗蚀剂的影响,并对国内外研究中通过不同聚合工艺制备的不同分子量光致抗蚀剂性能进行了评述,总结了近年来含有特定化学结构的光致抗蚀剂以及其制备工艺的研究进展。最后对国内外光刻胶的发展和应用进行了展望,指出进一步提高光刻胶的分辨率、改善其综合性能是今后的研究重点。

利用UV曝光技术研制单根定向碳纳米管阵列冷阴极

通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发射单元内CNTs的根数也不断减少。当孔径缩至0．2μm时，发射单元仅由1根～3根CNTs组成，并且大部分单元顶端均有单根CNT伸出，使得整个发射体近似于单根CNT。场发射特性测试结果表明，0．2μm发射单元尺寸的阵列阴极，开启电场约2V·μm-1；当场强为20V·μm-1时，该阵列的电流密度达到0．35A·cm-2，比1μm尺寸的阵列阴极提高了近4倍，比连续生长的薄膜CNTs阴极则高1～2个数量级。