Peregrine智能整合UltraCMOS~技术突破RF性能屏障

伴随着在2014年12月Murata对Peregrine半导体的收购完成,Murata成为Peregrine半导体的长期战略性合作伙伴。通过将Peregrine完整的半导体供应链、RF硅片的专业技术,以及多元化的业务与Murata现有工艺的完美互补,Peregrine产品走上更高的高度。在2015年电子设计创新会议上,Peregrine半导体的产品营销总监Kinana

Peregrine公司在大中华市场推UltraCMOSGlobal1射频前端

北京-电子设计创新会议(EDI CON2014)─2014年4月9日─Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人、先进的射频解决方案之先驱,今天,在电子设计创新会议(EDICON2014)上,宣布UltraCMOS Global1在大中华地区首次亮相。UltraCMOS Global1是行业中第一个可重构射频前端(RFFE)系统。由于在一块芯片上集成了射频前端(RFFE)的所有元件,Ul-traCMOS Global1是单一平台的设计──一个SKU,全球使用──能够在全球所有地区运作。该系统包括产业界第一个LTE CMOS功率放大器(PA)。

pSemi宣布推出UltraCMOS13工艺实现更高射频性能

在2019年国际微波研讨会期间,pSemi宣布推出UltraCMOS13,这是其在GlobalFoundries的300毫米晶圆厂上开发的下一代专有RFSOI工艺。UltraCMOS 13专为改善低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA)性能而量身定制,可提高集成前端组件的性能。