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Zynq-7000 SoC-based portable uncooled infrared imaging system 被引量:1
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作者 PAN Shao-wu LI Xiao-qiong HAN Jie 《Journal of Beijing Institute of Technology》 EI CAS 2016年第3期435-440,共6页
A novel portable infrared imaging system based on uncooled focal plane array and programmable system-on-chip(SoC)was proposed.The latest Xilinx Zynq-7000 was used to integrate the main part of the system into a sing... A novel portable infrared imaging system based on uncooled focal plane array and programmable system-on-chip(SoC)was proposed.The latest Xilinx Zynq-7000 was used to integrate the main part of the system into a single SoC.Parallel arithmetic units and digital modules were implemented on the programmable logic(PL)of Zynq-7000 to decrease system size and ensure the real-time p nonuniformity correction,while programs running on the processing system(PS)of Zynq-7000 controlled the system work flow and provided human-machine interfaces using open-source software such as Linux and OpenCV.Meanwhile,industry standard advanced extendable interface(AXI)buses were adopted to encapsulating standardized IP cores and build high speed data exchange bridges between units within Zynq-7000.Test results indicate that the image quality and real-time performance of the system can meet application requirements.And it provided a more flexible and extendable solution for evaluating and deploying infrared image enhancement and nonuniformity correction algorithms. 展开更多
关键词 infrared imaging system uncoolED ZYNQ-7000
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A Novel Investigation on Using Strain in Barriers of 1.3 μm AlGaInAs-InP Uncooled Multiple Quantum Well Lasers
2
作者 Vahid BahramiYekta Hassan Kaatuzian 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第9期529-535,共7页
In this study we investigate strain effect in barriers of 1.3 μm AlCalnAs-InP uncooled multiple quantum well lasers. Single effective mass and Kohn-Luttinger Harniltonian equations have been solved to obtain quantum ... In this study we investigate strain effect in barriers of 1.3 μm AlCalnAs-InP uncooled multiple quantum well lasers. Single effective mass and Kohn-Luttinger Harniltonian equations have been solved to obtain quantum states and envelope wave functions in the structure. In the case of unstrained barriers, our simulations results have good agreement with a real device fabricated and presented in one of the references. Our main work is proposal of 0.2% compressive strain in the structure Barriers that causes significant reduction in Leakage current density and Auger current density characteristics in 85 ℃. 20% improvement in mode gain-current density characteristic is also obtained in 85 ℃. 展开更多
关键词 multiple quantum well laser semiconductor laser strain in barrier uncoolED
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变光阑长波红外连续变焦光学系统设计
3
作者 唐晗 周春芬 +9 位作者 冯建伟 张巍 普龙 曹凌 马文怡谷 王宏波 毕宇波 蒋旭科 张麟 李虹明 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第5期491-500,共10页
非制冷长波连续变焦光学系统由于相对孔径大导致小型化和无热化设计困难,本文采用可变光阑约束物镜尺寸压缩系统总长,实现长波640×512非制冷连续变焦光学系统轻小型化设计。通过材料合理配置及主动补偿实现5片透镜的8.5×连续... 非制冷长波连续变焦光学系统由于相对孔径大导致小型化和无热化设计困难,本文采用可变光阑约束物镜尺寸压缩系统总长,实现长波640×512非制冷连续变焦光学系统轻小型化设计。通过材料合理配置及主动补偿实现5片透镜的8.5×连续变焦光学系统消热设计。该系统F#恒定1.2、工作波段为8~12μm、视场变焦范围为30°×24°~3.5°×2.8°、系统总长187.5 mm,该连续变焦光学系统重量轻、总长短、透过率高、在-40℃~+60℃温度范围全视场成像质量良好。 展开更多
关键词 非制冷长波 连续变焦光学系统 可变光阑 消热差
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非制冷红外热成像测温关键技术研究 被引量:2
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作者 曹彦鹏 张圆圆 杨将新 《振动.测试与诊断》 EI CSCD 北大核心 2024年第2期209-216,404,共9页
非制冷红外热成像测温过程受环境温度、测温距离和大气湿度等诸多因素影响,因此在复杂环境中实现高精度测温颇具挑战。为了满足复杂环境中精确测温的需求,分析并研究了非制冷红外热成像测温误差的主要影响因素和关键补偿技术。首先,针... 非制冷红外热成像测温过程受环境温度、测温距离和大气湿度等诸多因素影响,因此在复杂环境中实现高精度测温颇具挑战。为了满足复杂环境中精确测温的需求,分析并研究了非制冷红外热成像测温误差的主要影响因素和关键补偿技术。首先,针对非制冷红外探测器输出辐射温度易受环境影响的问题,设计了基于粒子群算法优化反向传播神经网络的非制冷红外探测器辐射温度预测算法,实现了不同工作温度下辐射温度的精确预测;其次,针对测温过程中的红外辐射大气衰减现象,设计了基于大气传输软件的近地红外辐射大气透射率计算方法,实现了大气透射率的准确、快速、便捷计算;最后,整合关键误差补偿技术形成了完整的非制冷红外热成像测温方法,并实验验证了以上关键技术对于提高红外测温精度和环境适应性的有效性。 展开更多
关键词 非制冷红外热成像 温度测量 大气透射率 辐射温度
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非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器
5
作者 贾春阳 邓功荣 +3 位作者 赵鹏 朱之贞 赵俊 张逸韵 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期166-173,共8页
高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XBnn势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有显著抑制作用。本文在GaSb衬底上采用分子束外延技术生长了nBn和pBn两种结构的InAsSb/AlAsSb/A... 高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XBnn势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有显著抑制作用。本文在GaSb衬底上采用分子束外延技术生长了nBn和pBn两种结构的InAsSb/AlAsSb/AlSb中波红外光探测器材料,并通过微纳加工工艺制备了可用于射频响应特性测试的GSG结构探测器。XRD和AFM的测试结果表明,两种结构的外延片都具有较好的晶体质量。器件暗电流测试结果表明,相较于nBn器件,在室温和反向偏压400 mV的工作条件下,直径90μm的pBn器件表现出更低的暗电流密度0.145 A/cm^(2),说明该器件在室温非制冷环境下表现出较低的噪声水平。不同台面直径的探测器的暗电流测试表明,pBn器件的表面电阻率低于对照的nBn器件的表面电阻率。另外,根据探测器的电容测试结果,可零偏压工作的pBn探测器具有完全耗尽的势垒层和部分耗尽的吸收区,nBn的吸收区也存在部分耗尽。探测器的射频响应特性表明,直径90μm的pBn器件的响应速度在室温和3 V反向偏压下可达2.62 GHz,对照的nBn器件的响应速度仅为2.02 GHz,响应速度提升了29.7%,初步实现了在中红外波段下可快速探测的室温非制冷势垒型光电探测器。 展开更多
关键词 InAsSb基 非制冷 高速 中波红外 势垒型探测器
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腔体型超表面非制冷红外探测器
6
作者 杨君 杨春丽 +4 位作者 方辉 袁俊 鄢善入 李华英 黎秉哲 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期621-627,共7页
随着非制冷红外探测器像元尺寸的逐步缩小,提高探测器吸收率变得越来越重要。该文章基于现有的制备工艺,提出了一种IMIAM(Insulator-Metal-Insulator-Air-Metal)腔体型超表面非制冷红外探测器结构,在增强探测器吸收的同时有效改善了光... 随着非制冷红外探测器像元尺寸的逐步缩小,提高探测器吸收率变得越来越重要。该文章基于现有的制备工艺,提出了一种IMIAM(Insulator-Metal-Insulator-Air-Metal)腔体型超表面非制冷红外探测器结构,在增强探测器吸收的同时有效改善了光敏层受热的均匀性。通过系统的仿真优化,其在长波红外波段(8~14μm)的平均吸收率超过了97%,使器件几乎实现了百分百的完美吸收,同时在中红外波段也表现出了优异的吸收特性。该文章还通过工艺验证了该结构的可靠性,对于改进现有非制冷红外探测器工艺具有一定的启示意义。 展开更多
关键词 非制冷红外探测器 VOx微测辐射热计 超表面 光吸收增强
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氧化钒非制冷探测器吸收特性研究
7
作者 杨君 杨春丽 +4 位作者 袁俊 尹树东 李华英 白兰艳 马敏 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第3期261-268,共8页
随着氧化钒非制冷红外焦平面的像元尺寸的减小,导致探测器的吸收面积呈边长的二次方锐减,如何提高氧化钒非制冷红外焦平面阵列的吸收效率成为一个非常关键的研究课题。本文从材料和结构角度出发,分别在单层材料吸收特性、不同吸收结构... 随着氧化钒非制冷红外焦平面的像元尺寸的减小,导致探测器的吸收面积呈边长的二次方锐减,如何提高氧化钒非制冷红外焦平面阵列的吸收效率成为一个非常关键的研究课题。本文从材料和结构角度出发,分别在单层材料吸收特性、不同吸收结构、腔体高度、膜系厚度等几个方面对影响单层、双层氧化钒非制冷探测器光学吸收的各因素进行了全面系统的仿真。通过对各因素进行量化比较,同时结合仿真结果给出了提高氧化钒非制冷探测器吸收的系统方法,对于氧化钒非制冷探测器的设计与研究具有一定的参考意义。 展开更多
关键词 氧化钒非制冷探测器 吸收特性 光学仿真 膜厚分析 腔体优化
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非制冷红外无挡片非均匀性校正方法
8
作者 黄源飞 黄华 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期2198-2216,共19页
受成像原理及加工工艺的限制,非制冷红外探测器存在严重的非均匀性,为了提升红外成像质量,必须对图像进行非均匀性校正。依据成因和分布特点,该文将红外非均匀性分为低频非均匀性、散粒非均匀性和条纹非均匀性3类,并从探测器的光学系统... 受成像原理及加工工艺的限制,非制冷红外探测器存在严重的非均匀性,为了提升红外成像质量,必须对图像进行非均匀性校正。依据成因和分布特点,该文将红外非均匀性分为低频非均匀性、散粒非均匀性和条纹非均匀性3类,并从探测器的光学系统、热敏材料、放大电路等方面探究了非制冷红外成像非均匀性的形成机理。之后,该文系统性地总结目前无挡片非均匀性校正方法,根据方法的工作原理,将其归纳为基于统计的、基于滤波的、基于优化的和基于学习的非均匀性校正方法4类,并根据每类方法在处理不同非均匀性时的特异性进行梳理和总结。最后,本文对现阶段非制冷红外无挡片非均匀性校正方法存在的问题进行了回顾和总结,并对面向实际应用的非均匀性校正方法发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 非制冷红外成像 非均匀性校正 成像机理 图像去噪
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非制冷PbSe中红外光导探测器的研究现状与发展趋势
9
作者 张国栋 朱庆帅 +3 位作者 薛奔驰 李彦臻 石康昊 邱继军 《红外》 CAS 2024年第5期1-17,共17页
从类型来看,PbSe属于窄禁带直接带隙半导体材料。在室温条件下,其探测性能类似于制冷型光子红外探测材料。然而,目前PbSe探测器的两种标准制造工艺仍存在技术瓶颈,难以制备出大面积、高性能的PbSe光敏薄膜,导致大面阵、高性能PbSe红外... 从类型来看,PbSe属于窄禁带直接带隙半导体材料。在室温条件下,其探测性能类似于制冷型光子红外探测材料。然而,目前PbSe探测器的两种标准制造工艺仍存在技术瓶颈,难以制备出大面积、高性能的PbSe光敏薄膜,导致大面阵、高性能PbSe红外成像系统尚未实现商业化生产。此外,诱发和提升PbSe薄膜红外探测能力的敏化机制和光电探测机理仍未明确,无法对晶圆级PbSe薄膜的敏化过程提供精确、量化的指导。这样也就对进一步优化与提升PbSe红外探测器的性能形成了制约。基于PbSe红外探测器的发展历程,归纳与总结了PbSe红外探测器的器件结构、制备工艺、探测机理等方面的研究成果,并预测了PbSe红外探测器未来的发展趋势。 展开更多
关键词 硒化铅 非制冷 红外探测器 敏化过程
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Challenges in using an analog uncooled microbolometer thermal camera to measure crop temperature 被引量:2
10
作者 Krzysztof Kusnierek Audun Korsaeth 《International Journal of Agricultural and Biological Engineering》 SCIE EI CAS 2014年第4期60-74,共15页
It has been long known that thermal imaging may be used to detect stress(e.g.water and nutrient deficiency)in growing crops.Developments in microbolometer thermal cameras,such as the introduction of imaging arrays tha... It has been long known that thermal imaging may be used to detect stress(e.g.water and nutrient deficiency)in growing crops.Developments in microbolometer thermal cameras,such as the introduction of imaging arrays that may operate without costly active temperature stabilization,have vitalized the interest in thermal imaging for crop measurements.This study focused on the challenges occurring when temperature stabilization was omitted,including the effects of focal-plane-array(FPA)temperature,camera settings and the environment in which the measurements were performed.Further,the models for providing thermal response from an analog LWIR video signal(typical output from low-cost microbolometer thermal cameras)were designed and tested.Finally,the challenges which typically occur under practical use of thermal imaging of crops were illustrated and discussed,by means of three cereal showcases,including proximal and remotely based(UAV)data acquisition.The results showed that changing FPA temperature greatly affected the measurements,and that wind and irradiance also appeared to affect the temperature dynamics considerably.Further,it is found that adequate settings of camera gain and offset were crucial for obtaining a reliable result.The model which was considered best in terms of transforming video signals into thermal response data included information on camera FPA temperature,and was based on a priori calibrations using a black-body radiation source under controlled conditions.Very good calibration(r^(2)>0.99,RMSE=0.32℃,n=96)was obtained for a target temperature range of 15-35℃,covering typical daytime crop temperatures in the growing season.However,the three showcases illustrated,that under practical conditions,more factors than FPA temperature may need to be corrected for.In conclusion,this study shows that thermal data acquisition by means of an analog,uncooled thermal camera may represent a possible,cost-efficient method for the detection of crop stress,but appropriate corrections of disturbing factors are required in order to obtain sufficient accuracy. 展开更多
关键词 analog thermal camera uncooled microbolometer canopy temperature CEREALS UAV
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基于超表面微辐射热计的双色偏振探测器
11
作者 蒋顺 方锐 +2 位作者 李君宇 邵晓冬 易飞 《飞控与探测》 2024年第5期75-86,共12页
介绍了利用超表面吸收体即具有亚波长尺寸和间距的光学谐振器阵列来取代分立的滤光片和偏振片实现了氧化钒(VO x)微测辐射热计对光谱和偏振的同时选择。超表面吸收体选择性地吸收特定波段的TM偏振光而反射TE偏振光,其中特定波段的中心... 介绍了利用超表面吸收体即具有亚波长尺寸和间距的光学谐振器阵列来取代分立的滤光片和偏振片实现了氧化钒(VO x)微测辐射热计对光谱和偏振的同时选择。超表面吸收体选择性地吸收特定波段的TM偏振光而反射TE偏振光,其中特定波段的中心波长和带宽可人为调动。针对5.3~6.6μm和6~7.4μm两个红外波段分别设计制备了超表面吸收体,制备出的超表面吸收体对TM偏振光的吸收率分别为0.8322和0.7720,偏振消光比分别为42.24和42.65。并将超表面吸收体与氧化钒微测辐射热计进行了集成,测试得到的探测器响应谱与超表面吸收体的吸收谱能够较好地吻合。制备出的两种探测器的峰值响应度分别为1.0V/W和1.46V/W,分别位于6.0μm和6.8μm处。同时两个探测器的峰值探测率分别为6.94×10^(5)cm·Hz^(1/2) W^(-1)和9.95×10^(5)cm·Hz^(1/2) W^(-1),工作频率分别为11Hz和36Hz。我们的工作为实现大面阵室温多光谱偏振成像探测器提供了一种新的方法。 展开更多
关键词 非制冷红外探测 微测辐射热计 光谱探测 偏振探测 超表面
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共蒸发法制备金锡共晶焊料环及其性能研究
12
作者 李萌萌 李兆营 黄添萍 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第1期59-61,共3页
采用电子束共蒸发法制备了金锡共晶(Au80Sn20)焊料环,与非制冷红外探测器芯片进行气密性封装。通过SEM、AFM、X-ray、振荡测试以及测漏氦等方式验证了封装后芯片的气密性和可靠性。结果表明:键合后焊料环无明显缺陷,仅存在轻微溢料现象... 采用电子束共蒸发法制备了金锡共晶(Au80Sn20)焊料环,与非制冷红外探测器芯片进行气密性封装。通过SEM、AFM、X-ray、振荡测试以及测漏氦等方式验证了封装后芯片的气密性和可靠性。结果表明:键合后焊料环无明显缺陷,仅存在轻微溢料现象;经过振荡测试,溢料无脱落、无位移,且芯片密封性能可达到1×10^(-3) Pa/(cm^(3)·s),符合探测器的气密性要求。 展开更多
关键词 非制冷红外探测器 晶圆级封装 电子束蒸发 金锡共晶焊料环 键合
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An empirical method for improving accuracy of human eye temperature measured by uncooled infrared thermal imager
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作者 Bin Yuan Ping Gong +4 位作者 Liang Xie Hui Wang Banghong Zhang Hui Gao Baokan Qi 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2018年第9期55-60,共6页
In order to reduce the temperature measurement error with the uncooled infrared thermal imager, experiments were conducted to evaluate the effects of environment temperature and measurement distance on the measurement... In order to reduce the temperature measurement error with the uncooled infrared thermal imager, experiments were conducted to evaluate the effects of environment temperature and measurement distance on the measurement error of human eye temperature. First, the forehead temperature was used as an intermediate variable to obtain the actual temperature of human eyes. Then, the effects of environment temperature and measurement distance on the temperature measurement were separately analyzed. Finally, an empirical model was established to correlate actual eye temperature with the measured temperature, environment temperature, and measurement distance. To verify the formula, three different environment temperatures were tested at different distances. The measurement errors were substantially reduced using the empirical model for temperature correction. The results show that this method can effectively improve the accuracy of temperature measurement using the infrared thermal imager. 展开更多
关键词 semiconductor device uncooled infrared thermal imager environment temperature measurement dis-tance error correction
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CVD preparation of vertical graphene nanowalls/VO_(2)(B)composite films with superior thermal sensitivity in uncooled infrared detector
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作者 Ya Lu Han Zhang Dongyun Wan 《Journal of Materiomics》 SCIE EI 2020年第2期280-285,共6页
Vanadium dioxide with superior thermal sensitivity is one of the most preferred materials used in microbolometer,and the B phase of VO_(2) is particularly prominent.However,conventional VO_(2)(B)undergoes low temperat... Vanadium dioxide with superior thermal sensitivity is one of the most preferred materials used in microbolometer,and the B phase of VO_(2) is particularly prominent.However,conventional VO_(2)(B)undergoes low temperature-coefficient of resistance(TCR)values and large resistances.In this paper,simple controllable composite films of vertical graphene nanowalls/VO_(2)(B)(i.e.,VGNWs/VO_(2)(B))with a suitable square resistance(12.98 kU)and a better temperature-coefficient of resistance(TCR)(-3.2%/K)were prepared via low pressure chemical vapor deposition.The VGNWs can provide a fast channel for electron transport and enhance the conductivity of VO_(2)(B).This preparation method can provide a low cost,facile and simple pathway for the design and fabrication of high performance VO_(2)(B)thin films with superior electrical properties for its application in uncooled infrared detectors. 展开更多
关键词 Vertical graphene nanowalls VO_(2)(B)films Chemical vapor deposition uncooled infrared detectors
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A low-cost infrared absorbing structure for an uncooled infrared detector in a standard CMOS process
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作者 申宁 唐祯安 +1 位作者 余隽 黄正兴 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第3期97-101,共5页
This paper introduces a low-cost infrared absorbing structure for an uncooled infrared detector in a standard 0.5 m CMOS technology and post-CMOS process. The infrared absorbing structure can be created by etching the... This paper introduces a low-cost infrared absorbing structure for an uncooled infrared detector in a standard 0.5 m CMOS technology and post-CMOS process. The infrared absorbing structure can be created by etching the surface sacrificial layer after the CMOS fabrication, without any additional lithography and deposition procedures. An uncooled infrared microbolometer is fabricated with the proposed infrared absorbing structure.The microbolometer has a size of 6565 m2and a fill factor of 37.8%. The thermal conductance of the microbolometer is calculated as 1.3310 5W/K from the measured response to different heating currents. The fabricated microbolometer is irradiated by an infrared laser, which is modulated by a mechanical chopper in a frequency range of 10–800 Hz. Measurements show that the thermal time constant is 0.995 ms and the thermal mass is 1.3210 8J/K. The responsivity of the microbolometer is about 3.03104V/W at 10 Hz and the calculated detectivity is 1.4108cm Hz1=2/W. 展开更多
关键词 infrared absorbing structure CMOS infrared detectors microbolometer low-cost infrared detectors uncooled infrared detectors
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Uncooled InAs_(0.09)Sb_(0.91) photoconductors with cutoff wavelength extended to 11.5 μm
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作者 高玉竹 龚秀英 +4 位作者 周冉 李继军 冯彦斌 Takamitsu Makino Hirofumi Kan 《Optoelectronics Letters》 EI 2015年第5期352-355,共4页
Uncooled In As Sb photoconductors were fabricated. The photoconductors were based on In As0.05Sb0.95 and In As0.09Sb0.91 thick epilayers grown on In As substrates by melt epitaxy(ME). Ge immersion lenses were set on t... Uncooled In As Sb photoconductors were fabricated. The photoconductors were based on In As0.05Sb0.95 and In As0.09Sb0.91 thick epilayers grown on In As substrates by melt epitaxy(ME). Ge immersion lenses were set on the photoconductors. The cutoff wavelength of In As0.09Sb0.91 detectors is obviously extended to 11.5 μm, and that of In As0.05Sb0.95 detectors is 8.3 μm. At room temperature, the peak detectivity of Dλp* at wavelength of 6.8 μm and modulation frequency of 1 200 Hz is 1.08×109 cm·Hz1/2·W-1 for In As0.09Sb0.91 photoconductors, the detectivity D* at wavelength of 9 μm is 7.56×108 cm·Hz1/2·W-1, and that at 11 μm is 3.92×108 cm·Hz1/2·W-1. The detectivity of In As0.09Sb0.91 detectors at the wavelengths longer than 9 μm is about one order of magnitude higher than that of In As0.05Sb0.95 detectors, which rises from the increase of arsenic(As) composition in In As0.09Sb0.91 materials. 展开更多
关键词 cutoff Sb uncooled InAs thick magnitude immersion arsenic longer epitaxy spectrometer
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紧凑低成本非制冷长波红外连续变焦光学设计 被引量:3
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作者 唐晗 郑万祥 +6 位作者 曾兴容 杨丹 周春芬 曹凌 徐曼 李洪兵 杨开宇 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第4期182-192,共11页
随着红外技术的快速发展,SWaP-C(尺寸小、质量轻、功耗低、成本低)概念已深入红外热像仪整机设计全过程。在非制冷连续变焦红外热像仪设计中,相对已模块化的非制冷探测器与成像电路、光学系统影响整机包络尺寸、产品质量及价格成本,因... 随着红外技术的快速发展,SWaP-C(尺寸小、质量轻、功耗低、成本低)概念已深入红外热像仪整机设计全过程。在非制冷连续变焦红外热像仪设计中,相对已模块化的非制冷探测器与成像电路、光学系统影响整机包络尺寸、产品质量及价格成本,因此设计一款总长短、质量轻、成本低、性能高的非制冷长波红外连续变焦光学系统将具有广阔的市场前景。非制冷长波红外连续变焦光学因相对孔径大、光学材料种类少等因素存在系统小型化和无热化设计难题,通过采用变F#设计方法约束物镜尺寸;利用三组联动变焦技术平衡像差、压缩系统总长;通过主动补偿的消热差技术使得系统在-40~+60℃温度范围成像质量良好,实现四片透镜构成的非制冷长波红外连续变焦光学系统设计。该系统工作波段为8~12μm,焦距变化范围为20.7~126 mm,对应F#为1.05~1.2,视场变化范围为21°×16.8°~3.5°×2.8°,变倍比为6.0×,最大物镜直径116 mm,光学系统总长180 mm,光学零件总质量418 g。该光学系统具有轻小型、高性能、低成本等SWaP-C特征,将在无人装备平台及手持热像仪设备中得到广泛应用。 展开更多
关键词 非制冷长波红外 连续变焦光学系统 变F#设计 三组联动变焦 无热化
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一种用于非制冷红外探测器的高速比较器
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作者 陈力颖 张博超 +1 位作者 李勇 徐微 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2023年第4期57-62,70,共7页
为了提高红外探测器模数转换的速度与精度,设计了一种用于非制冷红外焦平面阵列探测器片上14位10 MSps逐次逼近型模数转换器的高速比较器。本比较器采用前置放大器、动态高速度锁存器和新型输出缓冲器的三联级结构,并通过输入、输出失... 为了提高红外探测器模数转换的速度与精度,设计了一种用于非制冷红外焦平面阵列探测器片上14位10 MSps逐次逼近型模数转换器的高速比较器。本比较器采用前置放大器、动态高速度锁存器和新型输出缓冲器的三联级结构,并通过输入、输出失调存储的方式对各级放大器进行失调电压消除,使比较器工作的速度与精度得到提高。结果表明:基于TSMC 0.18μm 1P6M工艺进行设计与仿真,在电源电压为5 V的情况下,该比较器的采样速率为200 MSps,失调电压为32.63 V,传输延时为259 ps,-3 dB带宽为1.11 GHz。该比较器相较于其他的设计,具有更小的失调电压以及传输延时,满足逐次逼近型模数转换器对其比较器速度与精度的要求。 展开更多
关键词 非制冷红外探测器 模数转换器 高速比较器 失调电压 非制冷
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低功耗非制冷红外图像处理专用SoC芯片 被引量:1
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作者 郭广浩 吴南健 刘力源 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期122-131,共10页
非制冷红外成像技术具有非常广泛的应用前景。但是,目前非制冷红外成像芯片存在非均匀校正、图像细节增强和条纹噪声等亟待解决的问题。论文提出并设计一种面向非制冷红外成像的图像处理专用SoC芯片,芯片集成了一个CPU、两个DSP处理器... 非制冷红外成像技术具有非常广泛的应用前景。但是,目前非制冷红外成像芯片存在非均匀校正、图像细节增强和条纹噪声等亟待解决的问题。论文提出并设计一种面向非制冷红外成像的图像处理专用SoC芯片,芯片集成了一个CPU、两个DSP处理器和一个红外图像处理专用加速器,单芯片可实现非制冷低功耗红外图像的非均匀校正、图像滤波、直方图均衡、数字图像细节增强、条纹消除和目标检测跟踪等实时图像处理。同时,研究开发了面向芯片应用的非制冷低功耗红外图像处理算法。采用65-nm CMOS工艺实现了非制冷红外图像专用处理SoC芯片,实现了基于非制冷红外成像芯片和图像处理SoC芯片的小型低功耗非制冷红外成像系统。测试结果表明成像系统可以实现清晰的非制冷红外成像、目标检测及目标跟踪等功能,系统功耗小于2 W,体积相比传统的系统减小了50%,满足对体积、功耗、性能要求比较高的系统的应用需求,具有较高的工程应用价值和前景。 展开更多
关键词 红外图像处理 SOC芯片 非制冷红外探测系统 低功耗
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二极管型非制冷红外焦平面中二极管结构优化研究
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作者 瞿帆 傅剑宇 +3 位作者 侯影 卢一泓 李振锋 陈大鹏 《红外技术》 CSCD 北大核心 2023年第3期308-314,共7页
为适应非制冷红外探测器高空间分辨率的发展趋势,非制冷红外焦平面阵列作为非制冷红外探测器的核心部件不断向大阵列、小像素方向发展。本文针对二极管型非制冷红外焦平面阵列,理论分析了敏感元件二极管对读出电路以及器件性能的影响,... 为适应非制冷红外探测器高空间分辨率的发展趋势,非制冷红外焦平面阵列作为非制冷红外探测器的核心部件不断向大阵列、小像素方向发展。本文针对二极管型非制冷红外焦平面阵列,理论分析了敏感元件二极管对读出电路以及器件性能的影响,在确定二极管最佳工作电流的同时,提炼出二极管结构中串联个数以及结面积为主要性能影响因素。基于此,设计了p^(+)n-pn-n^(+)p三合一二极管,并将其与传统二极管、回型二极管、p^(+)n-n^(+)p二合一二极管、以及由p^(+)n-n^(+)p二合一二极管直接拓展得到的两种三合一二极管进行了对比考察,研究发现6种结构中p^(+)n-pn-n^(+)p三合一二极管在相同尺寸下拥有最多的二极管串联数量且结面积相对最大;进而利用Sentaurus TCAD仿真,验证了在同一整体尺寸下,p^(+)n-pn-n^(+)p三合一二极管的电压温度系数分别约为p^(+)n-n^(+)p二合一二极管,及在其基础上直接拓展得到的两种三合一二极管的1.5倍,为回型二极管与传统二极管的2.6倍、3.7倍。证明了在小像素下p^(+)n-pn-n^(+)p三合一二极管性能最优,且在其基础上拓展可得到N合一二极管能进一步优化器件的性能。 展开更多
关键词 二极管非制冷红外探测器 噪声等效温差 电压温度系数 三合一二极管
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