热轧带钢自动宽度控制理论研究

在钢铁产能过剩严重和同质化竞争日趋激烈的市场形势下,去产能呼声越来越高,对钢铁产品的质量和性能要求越来越高。而宽度精度是热轧带钢的关键指标之一,用户和后工序也对热轧带钢的宽度控制精度提出了越来越高的要求,提高成品宽度控制精度,能够在后续冷轧等工艺处理中减少切头切尾及剪边损耗,提高成材率,降低成本,提高效益。

离子束溅射氧化钽薄膜的光学带隙特性

Ta_2O_5薄膜是可见光到近红外波段中重要的高折射率薄膜材料之一。本文针对离子束溅射制备Ta_2O_5薄膜的光学带隙特性开展了实验研究工作,基于Cody-Lorentz模型表征了薄膜的光学带隙特性,重点针对薄膜的禁带宽度和Urbach带尾宽度与制备参数之间的相关性进行研究。研究结果表明:在置信概率95%以上时,对Ta_2O_5薄膜禁带宽度影响的制备参数,权重大小依次为氧气流量、基板温度、离子束电压;而对Ta_2O_5薄膜Urbach带尾宽度影响的制备参数,权重大小依次为基板温度和氧气流量。对于Ta_2O_5薄膜在超低损耗激光薄膜和高损伤阈值激光薄膜领域内应用,本文的研究结果给出了同步提高薄膜的禁带宽度和降低带尾宽度的重要工艺参数选择方法。

SiO_2光学薄膜的吸收边特性

二氧化硅(SiO_2)是光学系统中最常用光学薄膜材料之一,其微观结构、缺陷等信息对于研究和提高薄膜的性能具有重要作用。本文通过电子束蒸发、离子辅助、磁控溅射方法制备SiO_2薄膜并进行测试,计算出其吸收边光谱,对吸收边光谱的强吸收区、e指数区、弱吸收区进行分段分析得到SiO_2薄膜的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量数据。进一步分析三种薄膜和其在常规退火温度下的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量的数据,获得SiO_2薄膜的微观原子排列结构、微观缺陷信息,并对不同镀膜技术和不同退火温度下SiO_2薄膜的原子排列结构、微观缺陷的差异和变化进行了分析和讨论。

射频溅射功率密度对Ga:ZnO透明导电薄膜性能的影响

室温下利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了掺Ga氧化锌(Ga:ZnO)多晶透明导电薄膜.通过改变磁控溅射生长过程中的溅射功率密度和靶基距,研究了多晶薄膜的透明导电性能与生长参数的相互影响关系.研究结果表明:当溅射时间相同时,随溅射功率密度的增加和靶基距的减小,Ga:ZnO薄膜的厚度增加,从而导致了薄膜导电率升高;当溅射功率密度为5.3W/cm2、靶基距为5cm时,Ga:ZnO薄膜的最小电阻率达到3.1×10-4Ω·cm.透光率测试结果表明:当溅射功率密度增加时,Ga:ZnO薄膜中紫外光学吸收发生了红移;增加溅射功率密度会造成薄膜中掺杂缺陷密度增加,产生禁带之间Urbach带尾能级吸收效应;GaZnO薄膜在可见光范围中的平均透光率大于80%.

AlGaN日盲紫外光电二极管光谱响应特性仿真及验证

对日盲AlGaN光电探测器的光谱响应特性进行了仿真模拟,并将仿真结果与实测数据进行了比较分析,发现差异来自AlGaN材料的带尾效应。利用无p型层的材料透过率数据提取了器件吸收层截止波长附近的光吸收系数,并使用带尾吸收模型对测得的光吸收系数进行拟合,得到了AlGaN材料吸收带尾特征参数g、EUrbach分别为2.2×104cm-1、0.027 eV,补充和修正了AlGaN材料带内外光吸收模型,经验证使用该模型的仿真结果与实测结果具有很好的一致性。

最新技术

6月20日，三菱电机发布了一系列碳化硅（SiC）功率模块。与硅（Si）材料相比，禁带宽度是Si的3倍，临界击穿电场强度是si的10倍，电子饱和速率是Si的2倍。SiC功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特性。三菱电机发布的SiC功牢模块包括用于变频空调的600V／15A混合SiCDIPIPMTM、600V／20A混合SiCDIPPFCTM、600V／20A全sicDIPPFCTM，用于工业设备的1200V／75A混合SiC．IPM、600V／200A混合SiC—IPM等。另外，三菱电机还将同步展出多个系列的新型功率模块，