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Effect of(Cr,V)_(2)(C,N)on the Microstructure and Mechanical Properties of WC-10Co Cemented Carbides
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作者 LI Xiangkun WANG Lu YE Jinwen 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第5期1138-1148,共11页
WC-10Co cemented carbides with finer WC and narrower grain size distributions are produced by using(Cr,V)_(2)(C,N)as grain growth inhibitors.As a result,with the increase of(Cr_(0.9),V_(0.1))_(2)(C,N)and(V_(0.9),Cr_(0... WC-10Co cemented carbides with finer WC and narrower grain size distributions are produced by using(Cr,V)_(2)(C,N)as grain growth inhibitors.As a result,with the increase of(Cr_(0.9),V_(0.1))_(2)(C,N)and(V_(0.9),Cr_(0.1))_(2)(C,N),the grains size of WC and mean free path of Co phase decrease,and adjacency of WC increases.Refinement and homogenization of grains enhance the transverse rupture strength(TRS)and the hardness.Meanwhile,the deflection and bridging of cracks keep the fracture toughness at a respectable level.The WC-10Co-0.6(Cr_(0.9),V_(0.1))_(2)(C,N)-0.025(V_(0.9),Cr_(0.1))_(2)(C,N)cemented carbides exhibit excellent comprehensive mechanical properties with the TRS of 4602.6 MPa,hardness of 1835 kg/mm^(2),and fracture toughness of 10.39 MPa·m^(1/2),respectively.However,the large pores are caused by excess N larger than 0.03 wt%and deteriorates the mechanical properties.We provide a new approach to WC-Co cemented carbides preparation with a narrow grain size distribution by adding novel grain growth inhibitors. 展开更多
关键词 (cr v)_(2)(c N) nutrient content Wc grains size microstructure mechanical properties
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工艺参数对真空紫外光直接光CVD SiO_2-Si界面特性的影响
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作者 谢茂浓 杜开瑛 刘玉荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期23-26,共4页
采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对Xe激发真空紫外光直接光CVDSiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明,衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度ΔNot、慢界面态密度ΔNst的影响比反应室总气... 采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对Xe激发真空紫外光直接光CVDSiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明,衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度ΔNot、慢界面态密度ΔNst的影响比反应室总气压Pc和SiH4/O2分压比显著。ΔNot和ΔNst在110℃附近有极小值,约为1010cm-2量级。Ts>120℃,ΔNot呈正电荷性,Ts<110℃,ΔNot呈负电荷性。Si—O—Si伸缩振动吸收峰位在1060~1080cm-2间,随Ts的减少而增加。 展开更多
关键词 高频c-v特性 cvD 二氧化硅
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工艺参数对真空紫外光直接光CVDSiO_2/Si界面特性的影响
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作者 谢茂浓 杜开瑛 刘玉荣 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期172-175,共4页
采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对Xe激发真空紫外光(VUV)直接光CVDSiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明:衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度ΔNot、慢界面态密度ΔNst的影响比... 采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对Xe激发真空紫外光(VUV)直接光CVDSiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明:衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度ΔNot、慢界面态密度ΔNst的影响比反应室总气压Pc和SiH2/O2分压比显著。ΔNot和ΔNst在110°C附近有极小值,大小为1010cm-2量级。Ts>120°C,ΔNot呈正电荷性,Ts<110°C,ΔNot呈负电荷性。Si-O-Si伸缩振动吸收峰位在1060~1080cm-2间,随Ts的减少而增加。 展开更多
关键词 cvD 半导体 光化学汽相淀积
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电池正极材料Li_3V_(2-2x/3)Mn_x(PO_4)_3/C的制备及性能研究
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作者 陈核章 张宝 +2 位作者 张佳峰 沈超 郑俊超 《广州化工》 CAS 2012年第13期64-66,共3页
以V2O5、NH4H2PO4、Li2CO3、(CH3COO)2Mn.4H2O原料,以葡萄糖和抗坏血酸为复合还原剂及碳源,通过常温还原-低温烧结法制备锂离子电池正极材料Li3V(2-2x/3)Mnx(PO4)3/C(x=0,0.03,0.06,0.09,0.12)。通过X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),恒电... 以V2O5、NH4H2PO4、Li2CO3、(CH3COO)2Mn.4H2O原料,以葡萄糖和抗坏血酸为复合还原剂及碳源,通过常温还原-低温烧结法制备锂离子电池正极材料Li3V(2-2x/3)Mnx(PO4)3/C(x=0,0.03,0.06,0.09,0.12)。通过X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),恒电流充放电测试对该正极材料的物相、结构、微观形貌以及电化学性能进行了表征。结果表明,Mn2+的掺杂对磷酸钒锂电化学性能的发挥影响很大,其中当锰掺杂量x=0.09时材料表现出最佳的电化学性能,0.2 C倍率条件下首次放电比容量131 mAh/g,循环50次后容量衰减仅为4.02%。 展开更多
关键词 锂离子电池正极材料 Li3v(2-2x/3)Mnx(PO4)3/c MN掺杂
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阿糖胞苷对HL60细胞增殖和凋亡及bcl-2基因表达的影响 被引量:4
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作者 刘兴元 曾国芳 +1 位作者 谢晓恬 孙祖越 《上海医学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期180-183,F0003,共5页
目的探讨阿糖胞苷(Ara-C)对急性早幼粒白血病细胞HL60增殖、凋亡及bcl-2基因表达的影响。方法 Ara-c与HL60细胞共同孵育后,应用光学显微镜和透射电子显微镜观察细胞的形态学变化,通过四唑盐(MTT)法分析不同剂量Ara-C对细胞增殖的抑制作... 目的探讨阿糖胞苷(Ara-C)对急性早幼粒白血病细胞HL60增殖、凋亡及bcl-2基因表达的影响。方法 Ara-c与HL60细胞共同孵育后,应用光学显微镜和透射电子显微镜观察细胞的形态学变化,通过四唑盐(MTT)法分析不同剂量Ara-C对细胞增殖的抑制作用,应用流式细胞术分析Ara-C对细胞凋亡和Bcl-2蛋白的影响,应用逆转录聚合酶链反应(RT-PCR)研究bcl-2基因表达的影响。结果 250μg/ml Ara-C对HL60细胞作用48 h后,光学显微镜下可见细胞呈核固缩、深染及染色质边集等多种形态改变,透射电子显微镜下可见典型的凋亡细胞,MTT检测显示Ara-C能明显抑制细胞的生长。流式细胞仪分析结果显示,细胞凋亡百分率随作用时间的延长而增加,而Bcl-2蛋白则随之下降。RT-PCR结果显示,bcl-2 mRNA的表达亦随着药物作用时间的延长而下降。结论 Ara-C能诱导HL60细胞凋亡,下调Bcl-2蛋白及bcl-2 mRNA水平。 展开更多
关键词 阿糖胞苷 HL60细胞 细胞凋亡 BcL-2基因 Annexin-v/PI
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驱动AM-OLED的2-a-Si∶H TFT的设计与制作 被引量:4
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作者 刘金娥 廖燕平 +5 位作者 齐小薇 高文涛 荆海 付国柱 李世伟 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期660-667,共8页
a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅... a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si∶HTFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m2。 展开更多
关键词 OLED 阈值电压漂移 N/Si c-v 2-a-Si:H TFT
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Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究
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作者 李佳帅 张静 +2 位作者 杨红 刘倩倩 闫江 《电子器件》 CAS 北大核心 2018年第6期1362-1366,共5页
为满足集成电路发展需求,通过向Hf O2掺入Al元素形成Al掺杂的Hf O2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的变化。通过对电学参数的分析,研究Al掺杂Hf O2材料体内正电荷缺陷、k值(晶相变化)、界面层厚度、栅漏电... 为满足集成电路发展需求,通过向Hf O2掺入Al元素形成Al掺杂的Hf O2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的变化。通过对电学参数的分析,研究Al掺杂Hf O2材料体内正电荷缺陷、k值(晶相变化)、界面层厚度、栅漏电等的影响。最终,在N2环境中700℃退火条件下,Al掺杂Hf O2的电学特性达到最优,其EOT为0.88 nm、Vfb为0.46 V和Ig为2.19×10-4A/cm2。最优条件下的EOT(Equivalent Oxide Thickness)可以满足14/16(nm)器件的需要(EOT<1 nm),Ig比相同EOT的Hf O2材料小3个数量级。 展开更多
关键词 微电子 Al掺杂的HfO2 退火工艺 结晶 c-v特性 高k
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P(v-a)CO_(2)/C(a-v)O_(2)对急性有机磷中毒患者预后的预测价值研究 被引量:2
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作者 崔文华 韩翡 +1 位作者 宋林超 张仕娟 《临床急诊杂志》 CAS 2021年第10期663-666,共4页
目的:探讨动静脉二氧化碳分压差/动静脉氧含量差[P(v-a)CO_(2)/C(a-v)O_(2)]对急性有机磷中毒患者预后的预测价值。方法:选取我院111例有机磷农药中毒患者,按P(v-a)CO_(2)/C(a-v)O_(2)治疗后变化分为下降组(n=54)和上升组(n=57)。比较... 目的:探讨动静脉二氧化碳分压差/动静脉氧含量差[P(v-a)CO_(2)/C(a-v)O_(2)]对急性有机磷中毒患者预后的预测价值。方法:选取我院111例有机磷农药中毒患者,按P(v-a)CO_(2)/C(a-v)O_(2)治疗后变化分为下降组(n=54)和上升组(n=57)。比较两组的一般资料、并发症、氧代谢相关指标以及预后,分析氧代谢指标对预后的价值。结果:与下降组相比,上升组休克、重要器官损伤以及中间综合征发生率明显升高,同时胆碱酯酶恢复正常、意识恢复及机械通气时间延长,阿托品用量明显升高,病死率亦升高。两组乳酸在治疗前后比较差异均有统计学意义(P<0.05)。两组的P(v-a)CO_(2)/C(a-v)O_(2)治疗前比较差异无统计学意义,治疗后上升组P(v-a)CO_(2)/C(a-v)O_(2)明显高于下降组。Logistic回归分析显示,乳酸是治疗前患者的死亡危险因素(P<0.05),P(v-a)CO_(2)/C(a-v)O_(2)和乳酸是急性有机磷中毒治疗后的死亡危险因素。进一步ROC曲线发现,治疗前后均是P(v-a)CO_(2)/C(a-v)O_(2)对急性有机磷中毒患者死亡预测价值最高,曲线下面积及最佳诊断界值为分别为0.840、2.45以及0.861、2.55。结论:氧代谢相关指标与急性有机磷中毒患者预后密切相关,其中P(v-a)CO_(2)/C(a-v)O_(2)是评估预后不良的较好指标。 展开更多
关键词 有机磷农药中毒 乳酸 动静脉二氧化碳分压差/氧含量差 预测价值
原文传递
基于TextRank的网评产品特征提取方法 被引量:3
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作者 何金金 郭振波 王开西 《青岛大学学报(自然科学版)》 CAS 2018年第1期109-114,共6页
针对经典TF-IDF算法在在文档特征词提取中因忽略了词之间连接关系而导致提取准确率较低的问题,提出一种基于word2vec加权的TextRank词图构建方法。首先通过爬虫获取网络产品评论语料,并进行分词、词性标注以及名词提取等预处理;其次利用... 针对经典TF-IDF算法在在文档特征词提取中因忽略了词之间连接关系而导致提取准确率较低的问题,提出一种基于word2vec加权的TextRank词图构建方法。首先通过爬虫获取网络产品评论语料,并进行分词、词性标注以及名词提取等预处理;其次利用word2vec形成词元与词元之间的相似度矩阵;最后将word2vec中获取到的词元之间的相似度作为词语影响力权值,对经典TextRank产品特征提取方法进行改进。实验数据表明,与传统的TextRank产品特征提取方法相比,改进后的方法查准率提高了5%,查全率提高了2.9%,在实际工程中能够有效的提高产品特征提取的准确率。 展开更多
关键词 评论 特征词抽取 TF-IDF Word2vec TextRank
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力学定理探讨
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作者 闫赤元 《办公自动化》 2018年第14期21-23,共3页
本文通过相对论中质速关系式m=m_0/√[1-(v/c)~2]和万有引力定律在实际运用分析,并结合E=mc^2进一步分析得出新的质速关系式◎v=◎_0(1+v1/c^2)v。当v1=1米/秒,则有v趋近于c时lim◎v=e◎_0(e为常数)。这一结论否定了爱因斯坦关于物体的... 本文通过相对论中质速关系式m=m_0/√[1-(v/c)~2]和万有引力定律在实际运用分析,并结合E=mc^2进一步分析得出新的质速关系式◎v=◎_0(1+v1/c^2)v。当v1=1米/秒,则有v趋近于c时lim◎v=e◎_0(e为常数)。这一结论否定了爱因斯坦关于物体的运动速度趋近于光速时,质量无限制增大的结论。在对物体相互作用分析中发现物体间相互作用存在两种力,一种是作用物体所施的力,另一种是被作用物体所受的力。物体在运动学中,由于速率变化,施力物体的性质,决定了受力物体所受力永远不存在恒定。从而得出被作用物体的加速度表达式为a(v)=(m/△t)(V_0-v)/◎_0(1+v_1/c^2)v进而得出受力物体所受力的表达式F(v)=◎va(v),为今后用力学研究物质运动准备了新的工具。 展开更多
关键词 质速关系式m=m0/√[1-(v/c)^2] 万有引力定律 质能关系式E=mc^2 作用力F=(m/△t)v0 被作用受力Fv=(m/△t)(v0-v) 新的质速关系式◎v=◎0(1+v1/c2)^v 新加速度表达式a(v)=(m/△t)(v0-v)/◎0(1+v1/c2)^v 新力学定理表达式F(v)=◎va(v)
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鄂尔多斯盆地中央古隆起东侧奥陶系中组合天然气成因与来源 被引量:16
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作者 李军 赵靖舟 +6 位作者 王大兴 孙六一 任军峰 武春英 吴伟涛 赵子龙 曲付涛 《石油学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期821-831,共11页
随着鄂尔多斯盆地奥陶系天然气勘探工作的不断深入,中央古隆起东侧奥陶系马家沟组五段5亚段—马家沟组五段10亚段中组合天然气勘探取得了重要进展,但目前有关天然气成因与来源的研究还很薄弱。根据天然气地球化学特征、古油藏发育特征... 随着鄂尔多斯盆地奥陶系天然气勘探工作的不断深入,中央古隆起东侧奥陶系马家沟组五段5亚段—马家沟组五段10亚段中组合天然气勘探取得了重要进展,但目前有关天然气成因与来源的研究还很薄弱。根据天然气地球化学特征、古油藏发育特征等分析结果,并结合天然气成藏地质背景,厘定了鄂尔多斯盆地中央古隆起东侧奥陶系中组合天然气的成因与来源。研究表明,鄂尔多斯盆地奥陶系中组合天然气为上古生界煤系烃源岩生成的煤型气与下古生界碳酸盐岩烃源岩生成的油型气的混合气,并以上古生界煤型气为主。现今气藏天然气组分中甲烷主要来自上古生界煤系烃源岩,上组合以及中组合少部分天然气的乙烷较多来自下古生界油型气,中组合大部分天然气乙烷及重烃仍来自上古生界煤系烃源岩。 展开更多
关键词 天然气碳同位素 煤型气 气源对比 奥陶系中组合 鄂尔多斯盆地
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