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由工业V_2O_5制取VO_2薄膜
被引量:
7
1
作者
杨绍利
徐楚韶
+1 位作者
陈厚生
胡再勇
《钢铁钒钛》
CAS
北大核心
2002年第2期7-10,共4页
以工业V2 O5为原料 ,采用N2 热分解法在普通玻璃和石英玻璃衬底上制备VO2 薄膜 ,在自制的电阻 -温度测量装置上测量VO2 薄膜的电阻随温度的变化。结果表明 :VO2 薄膜具有明显电阻突变特性 ,其相变达到了 1.5~ 2 .0个数量级 ,相变温度约...
以工业V2 O5为原料 ,采用N2 热分解法在普通玻璃和石英玻璃衬底上制备VO2 薄膜 ,在自制的电阻 -温度测量装置上测量VO2 薄膜的电阻随温度的变化。结果表明 :VO2 薄膜具有明显电阻突变特性 ,其相变达到了 1.5~ 2 .0个数量级 ,相变温度约为 35℃ ;VO2 薄膜的主要成分是二氧化钒 ,同时含有少量其它的钒化合物。
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关键词
v
2o
5
v
O2
薄膜
热分解
M-S相变
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职称材料
Li^+离子嵌入V_2O_5干凝胶薄膜的XPS研究
被引量:
4
2
作者
胡勇胜
陈文
+1 位作者
徐庆
郜定山
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
2001年第3期62-65,共4页
V2 O5薄膜是最具有实用价值的全固态“灵巧窗”器件中候选锂离子储存材料之一。本研究采用熔融淬冷法成功制备了V2 O5溶胶 ,利用提拉法在ITO玻璃片上制备了表面均匀和无裂纹的V2 O5干凝胶薄膜 ,并采用电化学方法将Li+ 离子嵌入到V2 O5...
V2 O5薄膜是最具有实用价值的全固态“灵巧窗”器件中候选锂离子储存材料之一。本研究采用熔融淬冷法成功制备了V2 O5溶胶 ,利用提拉法在ITO玻璃片上制备了表面均匀和无裂纹的V2 O5干凝胶薄膜 ,并采用电化学方法将Li+ 离子嵌入到V2 O5干凝胶薄膜中。本文着重采用X射线光电子能谱 (XPS)分析了Li+ 离子嵌入V2 O5干凝胶薄膜前后的化学组成及钒、氧。
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关键词
溶胶-凝胶法
W
2o
5
干凝胶薄膜
XPS
锂离子嵌入
五氧化二钒
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职称材料
工业五氧化二钒制备V_2O_5半导体薄膜分析
被引量:
1
3
作者
杨绍利
徐楚韶
+1 位作者
陈厚生
胡再勇
《重庆大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期97-100,共4页
用攀钢工业V2 O5为原料采用无机溶胶 -凝胶法制备V2 O5溶胶和凝胶 ,并用此胶体在不同衬底上制备出透明的半导体V2 O5薄膜。研究了胶体粘度对涂膜的影响 ,以及薄膜电阻率与温度、烘干处理和厚度的关系。用扫描电子显微镜 (SEM)研究了薄...
用攀钢工业V2 O5为原料采用无机溶胶 -凝胶法制备V2 O5溶胶和凝胶 ,并用此胶体在不同衬底上制备出透明的半导体V2 O5薄膜。研究了胶体粘度对涂膜的影响 ,以及薄膜电阻率与温度、烘干处理和厚度的关系。用扫描电子显微镜 (SEM)研究了薄膜的微观形貌 ,用XRD研究了薄膜的成份及其变化。结果表明 :胶体粘度对涂膜有较大影响 ;温度、湿份、薄膜厚度对薄膜电阻率均有较大影响 ;V2 O5薄膜由针状V2 O5颗粒组成 ,在衬底上呈均匀分布 ,且结构比较密集 ,其颗粒径向尺寸为 0 .5~ 1.0 μm ,长度方向为 3 0~ 5 0 μm。烘干处理后颗粒轮廓略有模糊、结构稀疏且尺寸有所长大 ,同时新生成了一些钒化合物。
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关键词
v
2o
5
溶胶-凝胶法
薄膜
电阻率
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职称材料
Sol-Gel V_2O_5薄膜的成膜和取向研究
被引量:
1
4
作者
袁宁一
李金华
林成鲁
《江苏石油化工学院学报》
2001年第4期1-3,共3页
采用溶胶 -凝胶法在SiO2 /Si衬底上沉积V2 O5薄膜 ,详细介绍了对衬底表面作亲水处理的方法。以不同浓度溶胶 ,在不同温度和不同气氛下对薄膜进行热处理 ,得到以〈0 0 1〉向为主取向的高取向薄膜 ,从理论上解释了V2 O5薄膜的取向机理 。
关键词
溶胶-凝胶法
v
2o
5
薄膜
结晶取向
氧化钒
衬底
沉积
硅
热蒸发
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职称材料
TiO_2-x(V_2O_5)纳米复合薄膜的光吸收
5
作者
夏长生
吴广明
+1 位作者
沈军
张志华
《同济大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第8期1111-1115,共5页
采用溶胶 -凝胶技术 ,以Ti(C4H9O) 4 和V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的TiO2 -x(V2 O5) (x为V2 O5的质量分数 ,分别为 10 % ,2 0 % ,30 % ,10 0 % )复合薄膜 .采用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌 ;使用UV VIS NIR分光光度计测量了...
采用溶胶 -凝胶技术 ,以Ti(C4H9O) 4 和V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的TiO2 -x(V2 O5) (x为V2 O5的质量分数 ,分别为 10 % ,2 0 % ,30 % ,10 0 % )复合薄膜 .采用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌 ;使用UV VIS NIR分光光度计测量了复合薄膜在紫外 -可见光波段的透射率和反射率光谱 ,研究其光吸收特性 .实验结果表明 :复合薄膜具有纳米颗粒结构 ;随着V2 O5用量的增加 ,复合薄膜在紫外光区的吸收逐渐增加 ,(αhv) 1/ 2 与hv存在线性关系 ,光学带隙由纯TiO2 的 3.36eV减小为x =30 %时的 2 .83eV ,光学带隙与x满足Eg(x) =Eg(0 ) +[Eg(1)-Eg(0 ) -b]x +bx2 关系式 ;复合薄膜光吸收边缘红移起因于V2 O5复合后薄膜中定域态宽度的增加 .
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关键词
TiO2-x(
v
2o
5
)纳米复合薄膜
溶胶-凝胶法
光吸收
光学带隙
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职称材料
脉冲溅射V_2O_5薄膜结构和性能研究
被引量:
4
6
作者
许旻
贺德衍
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期743-746,共4页
V2 O5薄膜具有很好的离子注入 /退出可逆性 ,是最有潜力的锂离子储存层的候选材料之一。它的电学特性与制备方法、化学计量比、结构和取向等有直接关系 ,仔细控制工艺参量是制备出在锂电池上应用的V2 O5薄膜关键。研究中采用脉冲磁控反...
V2 O5薄膜具有很好的离子注入 /退出可逆性 ,是最有潜力的锂离子储存层的候选材料之一。它的电学特性与制备方法、化学计量比、结构和取向等有直接关系 ,仔细控制工艺参量是制备出在锂电池上应用的V2 O5薄膜关键。研究中采用脉冲磁控反应溅射方法 ,通过精确地控制氧分压、基底温度等关键工艺参量 ,在石英玻璃和硅片上制备V2 O5薄膜。利用X射线衍射和X射线光电子谱 ,分析了薄膜的成分、相结构、结晶和价态情况 ,用原子力显微镜表征了薄膜的微观结构 ,用分光光度计测量从 2 0 0~ 2 5 0 0nm波段V2 O5薄膜的透射和反射光谱 ,对薄膜的电学性能也进行了测量和分析。结果表明 ,V2 O5薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好。高低温电阻变化 2个量级 ,薄膜的光学能隙为 2 .4 6eV。
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关键词
氧化钒薄膜
薄膜结构
脉冲磁控反应溅射法
原子力显微镜表征
结晶度
光学能隙
电学性质
原文传递
题名
由工业V_2O_5制取VO_2薄膜
被引量:
7
1
作者
杨绍利
徐楚韶
陈厚生
胡再勇
机构
重庆大学材料科学与工程学院
攀枝花钢铁研究院
出处
《钢铁钒钛》
CAS
北大核心
2002年第2期7-10,共4页
文摘
以工业V2 O5为原料 ,采用N2 热分解法在普通玻璃和石英玻璃衬底上制备VO2 薄膜 ,在自制的电阻 -温度测量装置上测量VO2 薄膜的电阻随温度的变化。结果表明 :VO2 薄膜具有明显电阻突变特性 ,其相变达到了 1.5~ 2 .0个数量级 ,相变温度约为 35℃ ;VO2 薄膜的主要成分是二氧化钒 ,同时含有少量其它的钒化合物。
关键词
v
2o
5
v
O2
薄膜
热分解
M-S相变
Keywords
v
2o
5
v
O 2
thin
film
thermal decomposition
M-S phase transition
分类号
TB43 [一般工业技术]
O614.511 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
Li^+离子嵌入V_2O_5干凝胶薄膜的XPS研究
被引量:
4
2
作者
胡勇胜
陈文
徐庆
郜定山
机构
武汉理工大学材料科学与工程学院
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
2001年第3期62-65,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 !(5 980 2 0 0 9)
湖北省自然科学基会资助项目 !(99J0 5 3 )
文摘
V2 O5薄膜是最具有实用价值的全固态“灵巧窗”器件中候选锂离子储存材料之一。本研究采用熔融淬冷法成功制备了V2 O5溶胶 ,利用提拉法在ITO玻璃片上制备了表面均匀和无裂纹的V2 O5干凝胶薄膜 ,并采用电化学方法将Li+ 离子嵌入到V2 O5干凝胶薄膜中。本文着重采用X射线光电子能谱 (XPS)分析了Li+ 离子嵌入V2 O5干凝胶薄膜前后的化学组成及钒、氧。
关键词
溶胶-凝胶法
W
2o
5
干凝胶薄膜
XPS
锂离子嵌入
五氧化二钒
Keywords
sol gel method
v
2o
5
xerogel
thin
film
s implantation XPS
分类号
O484 [理学—固体物理]
TQ135.11 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
工业五氧化二钒制备V_2O_5半导体薄膜分析
被引量:
1
3
作者
杨绍利
徐楚韶
陈厚生
胡再勇
机构
重庆大学材料科学与工程学院
攀枝花钢铁研究院
出处
《重庆大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期97-100,共4页
文摘
用攀钢工业V2 O5为原料采用无机溶胶 -凝胶法制备V2 O5溶胶和凝胶 ,并用此胶体在不同衬底上制备出透明的半导体V2 O5薄膜。研究了胶体粘度对涂膜的影响 ,以及薄膜电阻率与温度、烘干处理和厚度的关系。用扫描电子显微镜 (SEM)研究了薄膜的微观形貌 ,用XRD研究了薄膜的成份及其变化。结果表明 :胶体粘度对涂膜有较大影响 ;温度、湿份、薄膜厚度对薄膜电阻率均有较大影响 ;V2 O5薄膜由针状V2 O5颗粒组成 ,在衬底上呈均匀分布 ,且结构比较密集 ,其颗粒径向尺寸为 0 .5~ 1.0 μm ,长度方向为 3 0~ 5 0 μm。烘干处理后颗粒轮廓略有模糊、结构稀疏且尺寸有所长大 ,同时新生成了一些钒化合物。
关键词
v
2o
5
溶胶-凝胶法
薄膜
电阻率
Keywords
v
2o
5
sol-gel method
thin
film
resisti
v
ity
分类号
TB381 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
Sol-Gel V_2O_5薄膜的成膜和取向研究
被引量:
1
4
作者
袁宁一
李金华
林成鲁
机构
江苏石油化工学院功能材料实验室
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《江苏石油化工学院学报》
2001年第4期1-3,共3页
基金
中科院上海冶金所离子束开放实验室资助
文摘
采用溶胶 -凝胶法在SiO2 /Si衬底上沉积V2 O5薄膜 ,详细介绍了对衬底表面作亲水处理的方法。以不同浓度溶胶 ,在不同温度和不同气氛下对薄膜进行热处理 ,得到以〈0 0 1〉向为主取向的高取向薄膜 ,从理论上解释了V2 O5薄膜的取向机理 。
关键词
溶胶-凝胶法
v
2o
5
薄膜
结晶取向
氧化钒
衬底
沉积
硅
热蒸发
Keywords
Sol-Gel method
v 2o 5 thin film
crystalline orientation
分类号
TB43 [一般工业技术]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
TiO_2-x(V_2O_5)纳米复合薄膜的光吸收
5
作者
夏长生
吴广明
沈军
张志华
机构
同济大学波耳固体物理研究所
出处
《同济大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第8期1111-1115,共5页
基金
上海市重点学科建设基金资助项目
上海市自然科学基金资助项目 (0 2ZE14 10 1)
上海市中法合作资助项目 (0 2SL0 0 1)
文摘
采用溶胶 -凝胶技术 ,以Ti(C4H9O) 4 和V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的TiO2 -x(V2 O5) (x为V2 O5的质量分数 ,分别为 10 % ,2 0 % ,30 % ,10 0 % )复合薄膜 .采用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌 ;使用UV VIS NIR分光光度计测量了复合薄膜在紫外 -可见光波段的透射率和反射率光谱 ,研究其光吸收特性 .实验结果表明 :复合薄膜具有纳米颗粒结构 ;随着V2 O5用量的增加 ,复合薄膜在紫外光区的吸收逐渐增加 ,(αhv) 1/ 2 与hv存在线性关系 ,光学带隙由纯TiO2 的 3.36eV减小为x =30 %时的 2 .83eV ,光学带隙与x满足Eg(x) =Eg(0 ) +[Eg(1)-Eg(0 ) -b]x +bx2 关系式 ;复合薄膜光吸收边缘红移起因于V2 O5复合后薄膜中定域态宽度的增加 .
关键词
TiO2-x(
v
2o
5
)纳米复合薄膜
溶胶-凝胶法
光吸收
光学带隙
Keywords
TiO 2-x(
v
2o
5
) nano-composite
thin
film
s
sol-gel process
optical absorption
optical bandgap
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
脉冲溅射V_2O_5薄膜结构和性能研究
被引量:
4
6
作者
许旻
贺德衍
机构
兰州大学物理科学技术学院
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期743-746,共4页
文摘
V2 O5薄膜具有很好的离子注入 /退出可逆性 ,是最有潜力的锂离子储存层的候选材料之一。它的电学特性与制备方法、化学计量比、结构和取向等有直接关系 ,仔细控制工艺参量是制备出在锂电池上应用的V2 O5薄膜关键。研究中采用脉冲磁控反应溅射方法 ,通过精确地控制氧分压、基底温度等关键工艺参量 ,在石英玻璃和硅片上制备V2 O5薄膜。利用X射线衍射和X射线光电子谱 ,分析了薄膜的成分、相结构、结晶和价态情况 ,用原子力显微镜表征了薄膜的微观结构 ,用分光光度计测量从 2 0 0~ 2 5 0 0nm波段V2 O5薄膜的透射和反射光谱 ,对薄膜的电学性能也进行了测量和分析。结果表明 ,V2 O5薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好。高低温电阻变化 2个量级 ,薄膜的光学能隙为 2 .4 6eV。
关键词
氧化钒薄膜
薄膜结构
脉冲磁控反应溅射法
原子力显微镜表征
结晶度
光学能隙
电学性质
Keywords
thin
film
s
v
2o
5
pulsed-sputter deposition
microstructure
optical and electrical properties
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O484.42 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
由工业V_2O_5制取VO_2薄膜
杨绍利
徐楚韶
陈厚生
胡再勇
《钢铁钒钛》
CAS
北大核心
2002
7
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职称材料
2
Li^+离子嵌入V_2O_5干凝胶薄膜的XPS研究
胡勇胜
陈文
徐庆
郜定山
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
2001
4
下载PDF
职称材料
3
工业五氧化二钒制备V_2O_5半导体薄膜分析
杨绍利
徐楚韶
陈厚生
胡再勇
《重庆大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
下载PDF
职称材料
4
Sol-Gel V_2O_5薄膜的成膜和取向研究
袁宁一
李金华
林成鲁
《江苏石油化工学院学报》
2001
1
下载PDF
职称材料
5
TiO_2-x(V_2O_5)纳米复合薄膜的光吸收
夏长生
吴广明
沈军
张志华
《同济大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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职称材料
6
脉冲溅射V_2O_5薄膜结构和性能研究
许旻
贺德衍
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
4
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