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微弱电流及V/I法高电阻测量
被引量:
5
1
作者
赵振业
段光安
《国外电子测量技术》
2001年第3期6-7,17,共3页
本文分析了影响V/I法高阻测量精度的主要因素,设计了以单片机为核心的高阻测量仪。采用加压测流的方案,运用双屏蔽输入电缆、优选输入级器件、隔离等关键技术,使电阻测量可达10^(16)Ω,电流测量可达10^(-13)A。
关键词
高阻测量
加压测流
法
微弱电流测量
v/i法
下载PDF
职称材料
题名
微弱电流及V/I法高电阻测量
被引量:
5
1
作者
赵振业
段光安
机构
天津大学电子信息工程学院
天津无线电六厂
出处
《国外电子测量技术》
2001年第3期6-7,17,共3页
文摘
本文分析了影响V/I法高阻测量精度的主要因素,设计了以单片机为核心的高阻测量仪。采用加压测流的方案,运用双屏蔽输入电缆、优选输入级器件、隔离等关键技术,使电阻测量可达10^(16)Ω,电流测量可达10^(-13)A。
关键词
高阻测量
加压测流
法
微弱电流测量
v/i法
Keywords
High resistance measurement, weak current measurement
分类号
TM934.1 [电气工程—电力电子与电力传动]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
微弱电流及V/I法高电阻测量
赵振业
段光安
《国外电子测量技术》
2001
5
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