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(Sr,Pb)TiO_3系V形PTCR陶瓷材料的研制
被引量:
4
1
作者
詹益增
吴世俊
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999年第2期21-23,共3页
研究了原材料、液相添加剂BN对Y3+掺杂的(Sr0.4Pb0.6)TiO3V形PTCR陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂BN能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ25和烧结温度。用常规的制备方法...
研究了原材料、液相添加剂BN对Y3+掺杂的(Sr0.4Pb0.6)TiO3V形PTCR陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂BN能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ25和烧结温度。用常规的制备方法制得居里温度TC≈210℃、ρ25≤5.0×103Ω·cm、电阻温度系数α40≈13%℃-1、电阻率ρ突变比ρmax/ρmin>5.0×103的V形PTCR陶瓷材料。
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关键词
钛酸锶铅
v形ptcr陶瓷
添加剂
氮化硼
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职称材料
题名
(Sr,Pb)TiO_3系V形PTCR陶瓷材料的研制
被引量:
4
1
作者
詹益增
吴世俊
机构
华南理工大学材料科学与工程学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999年第2期21-23,共3页
文摘
研究了原材料、液相添加剂BN对Y3+掺杂的(Sr0.4Pb0.6)TiO3V形PTCR陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂BN能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ25和烧结温度。用常规的制备方法制得居里温度TC≈210℃、ρ25≤5.0×103Ω·cm、电阻温度系数α40≈13%℃-1、电阻率ρ突变比ρmax/ρmin>5.0×103的V形PTCR陶瓷材料。
关键词
钛酸锶铅
v形ptcr陶瓷
添加剂
氮化硼
Keywords
strontium lead titanate,
v
type
ptcr
ceramics, additi
v
es
分类号
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
(Sr,Pb)TiO_3系V形PTCR陶瓷材料的研制
詹益增
吴世俊
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999
4
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职称材料
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