宁夏两次区域性大到暴雨过程的对比分析

利用常规探空、地面观测站、自动站及各家数值预报等资料,对发生在2020年8月下半旬的2次区域性大到暴雨天气过程进行了分析。分析表明,2次过程均是在有较明显的高空槽与高空冷空气配合下的混合性降水;其共同的影响系统为500 h Pa高空槽、700 h Pa切变线、低空急流与地面冷锋;不同点是2次过程中副高与大陆高压脊的强度不同,决定了该次过程的低层系统的位置和走向,进而决定了降水落区差异。过程2中,地面有较清楚的锢囚形势出现,但模式检验表明,各模式对锢囚锋的模拟能力有限;可以利用V-3θ图更好地分析对流性降水的发生潜势。

界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响

为了分析4H-SiC/SiO_(2)固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制,对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试,并结合仿真探讨了测试频率、固定电荷、4H-SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对准静态C-V特性曲线的影响。实验和仿真结果表明:电子和空穴界面陷阱分别影响准静态C-V曲线的右半部分和左半部分;界面陷阱的E0、Es、N0(E0为陷阱能级中心与导带底能级或价带顶能级之差,Es为陷阱能级分布的宽度,N0为陷阱能级分布的密度峰值)对准静态C-V曲线的影响是综合的;当E0为0 eV,Es为0.2 eV,电子和空穴捕获截面均为1×10^(-18) cm^(2),电子和空穴界面陷阱的N0分别为5×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)和2×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)时,4H-SiC DIMOSFET准静态C-V仿真曲线和实测曲线相近。

镁铝尖晶石作为催化裂化双功能助剂的研究

酸性条件下制备了一系列不同镁铝比的尖晶石 ,作为硫转移剂应用于 FCC过程中。评价了其组成、结构、Ce的引入对其硫转移活性的影响 ,得到了作为硫转移剂的最佳组成。通过 MAT活性评价和固定流化床反应评价证实 ,最佳组成的尖晶石也是合适的捕钒剂。在 FCC催化剂体系中 ,它对催化剂活性有良好的保护作用 ,同时具有捕钒和硫转移作用。尖晶石中游离 Mg O含量的增加 ,既不能使硫转移活性提高 。

FCC催化剂钒污染及捕钒剂的研究

对一种工业ＦＣＣ催化剂进行处理后，制得载钒量在ｗ ｖ＝ ０．００１～０．０１ 之间的一组样品，并在７５０°Ｃ和１００％ 水蒸汽条件下逐个流化４ｈ，然后进行ＦＴＩＲ酸性表征和ＸＲＤ分析。实验结果表明Ｂ酸和Ｌ酸均随载钒量的增加而减少，在酸性位数目减少的过程中，酸的强弱比例基本不变；ＸＲＤ结果表明，随着载钒量的增加，样品的衍射峰强度几乎呈线性下降。在ｗ ｖ＝ ０．００５ 的载钒量条件下进行不同捕钒剂量的研究，发现捕钒剂加到ｗ ＭｇＯ＝ ０．１１ 时，催化剂的酸量可大幅回升，但酸性有些变化。

新型催化裂化抗钒催化剂在MIP装置上的工业应用

采用新开发的催化剂表面涂覆制备技术,制备了可用于富氧再生条件催化裂化装置的抗钒催化剂,并在中国石化金陵分公司3号催化裂化装置上进行了工业应用。应用结果表明:该催化剂具有良好的抗钒能力,在平衡剂的钒质量分数超过6000μg/g时表现出优异的催化性能;在降低剂耗的情况下,平衡剂微反活性仍提高了3以上,而且表现出优良的活性稳定性;在该催化剂作用下,催化裂化的液化气+汽油收率增加3.54百分点,柴油收率减少1.67百分点,丙烯产率(对新鲜原料)增加0.69百分点,干气中氢气/甲烷体积比降低0.23。

利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量

本文利用MOSFET亚阈IV曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量.

新型HfO_2栅介质电特性的理论分析与实验研究

对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合.利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度,比较了不同工艺条件下样品的电参数.结果表明NH4F表面预处理和高温退火新型工艺可以显著降低界面态和氧化层陷阱电荷,从而降低栅极漏电流.

中国西部大开发中新疆的地位:一个中亚视角

西部大开发是中国政府进入21世纪以来针对国内地区发展不平衡所采取的重大战略举措,但随着东北振兴、中部崛起战略的渐次实施,地区间战略博弈不可避免,这无疑会减弱西部大开发战略的政策效用。新疆是西部大开发战略的"重中之重",同时也是向西开放的前沿,在东部受到挤压的国际环境下,西进将成为新的国家战略重点,新疆的开发不但要关注与国内地区间的平衡,更要把握好与中亚国家间的平衡。特别是面对中亚国家较快的经济增长速度,为避免新疆掉入V型陷阱,应加大新疆沿边开发开放的力度,形成面向中亚地区的经济高地。

航空发动机加力燃烧室技术及新颖结构方案

传统发动机加力燃烧室都采用V型火焰稳定器组织燃烧,自加力出现到第三代发动机,该方案一直得到了广泛应用。随着新一代歼击机性能指标的提高,发动机加力燃烧室需要新的突破才能满足更高推重比的要求。本文介绍了第三代、第四代发动机加力燃烧室的结构方案,并根据新一代加力燃烧室一体化设计思想,介绍了新颖加力燃烧室的结构方案。

FHRS捕硅剂在加氢装置长周期运行中的作用分析

中国石油化工股份有限公司天津分公司2.0 Mt/a柴油加氢装置以直馏柴油、催化裂化柴油及焦化汽油和柴油混合油为原料油,焦化石脑油中的硅会沉积堵塞催化剂孔道,影响催化剂超深度脱硫效果及装置运行周期。该装置采用中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院开发的FHRS加氢捕硅专用催化剂及Mo-Ni型FHUDS-6柴油超深度脱硫催化剂级配体系,装置连续稳定生产国Ⅴ车用柴油22个月,体现出催化剂体系良好的活性和稳定性。在停工检修期间,从反应器不同位置卸出了失活催化剂并进行再生。分析表明:硅主要沉积在捕硅剂及上部少量主催化剂上,FHRS捕硅剂起到了保护主催化剂的捕硅作用,保证了装置连续稳定生产国Ⅴ柴油的长周期运行。

界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响

利用电容 电压 (C V )测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属 氧化物 半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响 .研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2 /Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用 .长时间存储模式下的电荷存储行为主要由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2

SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析

采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 。

Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应

利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PCVD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 C- V测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电荷 ,电荷俘获效应与 SRO层的性质有关 .基于电位在器件内部的分布及诱导 pn结的形成 。

考虑界面捕获效应的MIFIS结构电学性能

结合量子力学模型、偶极子转换理论和金属氧化物半导体结构的半导体物理理论,对描述金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结构电学性能的模型进行了改进。该模型考虑了半导体表面的界面捕获态,利用该模型,研究了界面捕获态对半导体表面势-电压(φSi-V)特性和MIFIS结构低频电容-电压(C-V)特性及记忆窗口的影响。结果显示,随着界面捕获态密度的增加,φSi-V和C-V特性曲线沿电压正方向移动并发生变形,记忆窗口逐渐减小,即界面捕获态密度越大,MIFIS结构的电学性能越差。该研究在MIFIS结构器件的设计和制作方面具有指导意义。

钒对催化裂化催化剂的影响及新型抗钒催化剂的应用

从重金属钒对催化裂化催化剂污染机理入手,分析了高钒原料对催化裂化催化剂以及产品分布的影响。针对中国石化扬子石油化工有限公司2.0 Mt/a催化裂化装置原料油中钒含量高的情况,试用中国石化石油化工科学研究院最新开发的CGP-1YZ型专用抗钒催化剂。工业应用结果表明,与装置原用催化剂相比,CGP-1YZ型催化剂具有良好的抗钒能力,使用抗钒催化剂后,转化率和汽油产率分别增加9.51和5.67百分点,焦炭选择性显著改善,催化剂单耗降低了0.15kg/t。

有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究

研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系。还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大。认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的。

钝化介质层对功率GaAs MESFET的栅-漏击穿特性影响

用直接测定GaAs MESFET的栅-漏极电容-频率(C-f)和高频电容-电压(C-V)的方法,研究了钝化层-半导体界面的慢界面陷阱电荷对栅-漏反向击穿特性的影响,为解决GaAs MESFET的栅-漏反向击穿特性不良和不稳定提供了依据。

单粒子辐射导致的VDMOS体二极管反向I-V曲线蠕变现象研究

单粒子辐射后,VDMOS器件体二极管反向I-V曲线发生蠕变的特殊失效现象被首次观察到。室温下,当VDMOS的栅极浮空,漏极电压加到一定值时(远低于VDMOS击穿电压),漏电流增大,体二极管I-V曲线开始漂移并最终稳定,形成电阻型曲线。通过测试VDMOS器件及其体二极管辐射后的电参数,分析漏电流的产生原因,研究体二极管反向I-V曲线发生蠕变现象的失效机制,并提出基于界面态、中性空穴陷阱,包括空穴激发、多级空穴俘获和能带隧穿机制的空穴迁移模型。基于该模型给出了单粒子辐射导致的VDMOS体二极管漏电流的表达式。此外,通过温度实验和漏极应力实验来验证空穴迁移模型。

Ga_(0.47)In_(0.53)As/SiO_2与Ga_(0.47)In_(0.53)As/Al_2O_3的界面性质

本文研究了GaInAs/SiO_2与GaInAs/Al_2O_3的界面性质.采用PECVD技术以TEOS为源以及采用MOCVD技术以Al(OC_3H_1)_3为源在n^+-InP衬底的n-Ga_(0.47) In_(0.33)As外延层上淀积了/SiO_2和Al_2O_3,制备成MIS结构.结果表明这些MIS结构具有良好的C-V特性,SiO_2/GaInAs界面在密度最低达 2.4×10^(11)cm^2·eV^(?),氧化物陷阱电荷密度达10^(?)～10^(10)cm^2,观察到GaInAs/SiO,结构中的深能级位置为E_c-E_T=0.39eV.GaInAs/Al_2O_3结构中的深能级位置为E_c=E_T=0.41eV.

MOS结构界面性质的变频C-V研究

本文提出了一种用于MOS界面测量的方法,能够测量半导体/氧化层界面的界面态密度、时间常数、俘获截面在禁带中的能量分布,还能够用于研究界面深能级及氧化层电荷陷阱态。此方法对样品漏电及测量环境要求较低,具有较大的实用意义。