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VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制
被引量：
5
1
作者
牛沈军
王建利
兰天平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第7期503-505,共3页
结合VB-GaAs晶体生长工艺,对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了掺杂计算的修正因子。针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料。
关键词
GAAS晶体
vb-gaas技术
硅掺杂
下载PDF
职称材料
题名
VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制
被引量：
5
1
作者
牛沈军
王建利
兰天平
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第7期503-505,共3页
文摘
结合VB-GaAs晶体生长工艺,对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了掺杂计算的修正因子。针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料。
关键词
GAAS晶体
vb-gaas技术
硅掺杂
Keywords
GaAs monocrystal：
vb-gaas
method： silicon-doped
分类号
O78 [理学—晶体学]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制
牛沈军
王建利
兰天平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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职称材料
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