基于V_(BE)线性化与分段补偿技术的带隙基准电压源

基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,采用VBE线性化补偿技术与温度分段补偿技术设计了一种高精度的带隙基准电压源。仿真结果显示,所设计的带隙基准电压源在-40℃～125℃内获得了0.47ppm/℃的温漂系数,在低频处获得了-60dB的电源抑制。

一种采用高阶曲率补偿的带隙基准源

基于0.18μm BCD工艺,提出了一种具有较低温度系数的高阶曲率补偿带隙基准源。在基本Kuijk带隙基准的结构基础上,利用VBE线性化法来进行高阶曲率补偿,同时保证流过补偿双极晶体管的电流也得到高阶补偿,两次高阶补偿使得带隙基准源的温度系数更低。根据仿真结果,该带隙基准电压在-55°C~125°C温度范围内,输出电压的最大压差为0.3766 mV,温度系数为1.762 ppm/°C,低频时电源抑制比(PSRR)为-73.9 dB。该带隙基准源已应用于某一高精度的低压差线性稳压器(LDO)中。