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具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器
被引量:
3
1
作者
杜国同
姜秀英
+2 位作者
刘素平
刘颖
高鼎三
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第5期350-353,共4页
本文报道了一种工艺较简单的新结构垂直腔面发射激光器的设计与初步研制结果.所用的外延片是由分子束外延生长的,下镜面是由对Al0.1Ga0.9As/AlAs异质膜构成的分布布拉格反射器,上镜面是由对Al0.1Ga0.9A...
本文报道了一种工艺较简单的新结构垂直腔面发射激光器的设计与初步研制结果.所用的外延片是由分子束外延生长的,下镜面是由对Al0.1Ga0.9As/AlAs异质膜构成的分布布拉格反射器,上镜面是由对Al0.1Ga0.9As/AlAs异质膜构成的分布布拉格反射器及半反射半透明的金属膜组合构成.器件的电流注入区由钨丝掩蔽两次质子轰击形成.器件初步研制已实现了室温脉冲激射,阈值最低320mA,最大峰值功率可达9mW.
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关键词
vc-seld
激光器
钨丝
质子轰击
下载PDF
职称材料
题名
具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器
被引量:
3
1
作者
杜国同
姜秀英
刘素平
刘颖
高鼎三
机构
吉林大学电子工程系电子科学与技术研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第5期350-353,共4页
文摘
本文报道了一种工艺较简单的新结构垂直腔面发射激光器的设计与初步研制结果.所用的外延片是由分子束外延生长的,下镜面是由对Al0.1Ga0.9As/AlAs异质膜构成的分布布拉格反射器,上镜面是由对Al0.1Ga0.9As/AlAs异质膜构成的分布布拉格反射器及半反射半透明的金属膜组合构成.器件的电流注入区由钨丝掩蔽两次质子轰击形成.器件初步研制已实现了室温脉冲激射,阈值最低320mA,最大峰值功率可达9mW.
关键词
vc-seld
激光器
钨丝
质子轰击
分类号
TN242 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器
杜国同
姜秀英
刘素平
刘颖
高鼎三
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
3
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