提出了一种提高微波宽带压控振荡器（VCO）稳定性的方法。压控振荡器采用了从谐振电路输出的结构,并与后级缓冲放大电路之间加入了一个匹配电路,从而可有效提高宽带振荡器的稳定性,改善振荡器的温度特性。基于此电路结构,采用Ga As HBT...提出了一种提高微波宽带压控振荡器（VCO）稳定性的方法。压控振荡器采用了从谐振电路输出的结构,并与后级缓冲放大电路之间加入了一个匹配电路,从而可有效提高宽带振荡器的稳定性,改善振荡器的温度特性。基于此电路结构,采用Ga As HBT工艺设计了一款微波宽带压控振荡器芯片。为拓宽振荡器的工作频带和降低相位噪声,使用片外Ga As超突变结、高Q值变容二极管。该宽带压控振荡器芯片实测结果显示,在调谐电压为1.5~15 V内,可实现输出频率覆盖13~19 GHz,调谐线性度≤2.5∶1,调谐电压8 V时相位噪声为-89 d Bc/Hz@100 k Hz。该压控振荡器工作电压为5 V,工作电流为65 m A,19 GHz频率点处输出功率在85℃环境温度下比在25℃环境温度下仅下降2 d B,具有良好的温度稳定性。展开更多
基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一款X波段低相噪单片集成压控振荡器（VCO）,该VCO采用Colpitts双推（push-push）电路结构,芯片上集成了负阻振荡电路、分布式谐振器、变容二极管和耦合输出电路。通过优化HBT器件尺寸...基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一款X波段低相噪单片集成压控振荡器（VCO）,该VCO采用Colpitts双推（push-push）电路结构,芯片上集成了负阻振荡电路、分布式谐振器、变容二极管和耦合输出电路。通过优化HBT器件尺寸以降低其引入的1/f噪声,同时设计高Q值分布式谐振电路,从而有效降低了VCO的输出相位噪声。通过采用背靠背变容二极管对来增加VCO输出频率调谐带宽。测试结果表明,所设计芯片在5 V供电时的电流约180 m A,电调电压在1-13 V变化下输出频率覆盖8.8-10 GHz,典型输出功率为10 d Bm,单边带相位噪声为-115 d Bc/Hz@100 k Hz。芯片尺寸为2.5 mm×1.6 mm。展开更多
采用0.35μm Bi CMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器。同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响。基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,提高了谐振回路的品质因数以降低VCO的相位噪声。采用...采用0.35μm Bi CMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器。同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响。基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,提高了谐振回路的品质因数以降低VCO的相位噪声。采用噪声滤波技术,减小了电流源晶体管噪声对压控振荡器相位噪声的影响。测试结果表明,优化后的压控振荡器能够覆盖1.96~2.70 GHz的带宽,频偏为100 k Hz和1 MHz的相位噪声分别为-105和-128 d Bc/Hz,满足了集成锁相环对压控振荡器的指标要求。展开更多
基于短波通信系统低噪声、小型化需求,提出了一种低相噪压控振荡器(VCO),其频率范围46~76 MHz,调谐电压2.5~9.5 V,采用表面贴的封装结构,体积12.7 mm×12.7 mm×4.3 mm。设计采用改进型电容三点式克拉泼振荡器电路,与LC调谐带...基于短波通信系统低噪声、小型化需求,提出了一种低相噪压控振荡器(VCO),其频率范围46~76 MHz,调谐电压2.5~9.5 V,采用表面贴的封装结构,体积12.7 mm×12.7 mm×4.3 mm。设计采用改进型电容三点式克拉泼振荡器电路,与LC调谐带宽电路共同产生正弦波频率信号的设计方法,通过线路设计、高Q元器件的应用及精细的工艺加工,逐步提高性能指标,实现了低噪声压控振荡器(VCO)制造的目的。测试结果表明,振荡器单边带相位噪声10 k Hz、100 k Hz处分别达到了-125 d Bc/Hz、-145 d Bc/Hz,较同类压控振荡器产品降低了-15 d Bc/Hz左右。展开更多
文摘提出了一种提高微波宽带压控振荡器（VCO）稳定性的方法。压控振荡器采用了从谐振电路输出的结构,并与后级缓冲放大电路之间加入了一个匹配电路,从而可有效提高宽带振荡器的稳定性,改善振荡器的温度特性。基于此电路结构,采用Ga As HBT工艺设计了一款微波宽带压控振荡器芯片。为拓宽振荡器的工作频带和降低相位噪声,使用片外Ga As超突变结、高Q值变容二极管。该宽带压控振荡器芯片实测结果显示,在调谐电压为1.5~15 V内,可实现输出频率覆盖13~19 GHz,调谐线性度≤2.5∶1,调谐电压8 V时相位噪声为-89 d Bc/Hz@100 k Hz。该压控振荡器工作电压为5 V,工作电流为65 m A,19 GHz频率点处输出功率在85℃环境温度下比在25℃环境温度下仅下降2 d B,具有良好的温度稳定性。
文摘基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一款X波段低相噪单片集成压控振荡器（VCO）,该VCO采用Colpitts双推（push-push）电路结构,芯片上集成了负阻振荡电路、分布式谐振器、变容二极管和耦合输出电路。通过优化HBT器件尺寸以降低其引入的1/f噪声,同时设计高Q值分布式谐振电路,从而有效降低了VCO的输出相位噪声。通过采用背靠背变容二极管对来增加VCO输出频率调谐带宽。测试结果表明,所设计芯片在5 V供电时的电流约180 m A,电调电压在1-13 V变化下输出频率覆盖8.8-10 GHz,典型输出功率为10 d Bm,单边带相位噪声为-115 d Bc/Hz@100 k Hz。芯片尺寸为2.5 mm×1.6 mm。
文摘采用0.35μm Bi CMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器。同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响。基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,提高了谐振回路的品质因数以降低VCO的相位噪声。采用噪声滤波技术,减小了电流源晶体管噪声对压控振荡器相位噪声的影响。测试结果表明,优化后的压控振荡器能够覆盖1.96~2.70 GHz的带宽,频偏为100 k Hz和1 MHz的相位噪声分别为-105和-128 d Bc/Hz,满足了集成锁相环对压控振荡器的指标要求。
文摘基于短波通信系统低噪声、小型化需求,提出了一种低相噪压控振荡器(VCO),其频率范围46~76 MHz,调谐电压2.5~9.5 V,采用表面贴的封装结构,体积12.7 mm×12.7 mm×4.3 mm。设计采用改进型电容三点式克拉泼振荡器电路,与LC调谐带宽电路共同产生正弦波频率信号的设计方法,通过线路设计、高Q元器件的应用及精细的工艺加工,逐步提高性能指标,实现了低噪声压控振荡器(VCO)制造的目的。测试结果表明,振荡器单边带相位噪声10 k Hz、100 k Hz处分别达到了-125 d Bc/Hz、-145 d Bc/Hz,较同类压控振荡器产品降低了-15 d Bc/Hz左右。
