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减小VDMOSFET反向传输电容的研究 被引量：3
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作者 张鹤鸣 李跃进 戴显英 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期69-71,共3页
为减小VDMOS的反向传输电容，设计了三种体内结构与常现VDMOS相同而表面结构不同的器件实验结果表明，三种结构器件的反向传输电容与常规VDMOS相比都有较大幅度的降低，在Vds＝10V时，分别下降了36％、56％和72％
关键词 vdhos 反向传输电容 VDMOSFET
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