高压VDMOSFETRon最佳化比例设计研究

正文以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻Ron与结构参数之间的关系。重点讨论了N沟道VDMOSFET的P^(-)体扩散区结构Xjp^(-)和栅氧化物厚度Tox对器件特性导通电阻Ron的影响,给出了多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶区尺寸Lp的最佳化设计比值与Ron的关系,最后阐述了研究讨论的结构。

低阻VDMOSFET的优化设计与制造

文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。

低压VDMOSFET导通电阻的优化设计

对低压VDMOSFET导通电阻Ron的各个构成部分进行了理论分析 ,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的影响 .通过这些分析和计算 ,得出了VDMOSFET单元设计的最佳原则 ,并给出了低压条件下最佳单元尺寸 .

VDMOSFET的T_(ox)与特征导通电阻R_(onA)的关系

介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型 ,重点讨论了栅SiO2 厚度Tox对特征导通电阻RonA的影响 ,经过大量的理论计算 ,给出了击穿电压为 2 0V时VDMOSFET的Tox与RonA的关系曲线 .

六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型

介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型 ,计算了不同漏源击穿电压下 ,各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例 ,分析了阻值随电压变化的原因 .

n沟VDMOSFET单粒子烧毁的二维数值模拟

应用半导体器件二维模拟软件Medici对功率MOSFET器件单粒子烧毁SEB(Single EventBurnout)效应开展了理论模拟研究。理论模拟与以往的实验结果比较吻合,证明采取的物理模型的正确性。得到了SEB灵敏度与载流子浓度、基区宽度和发射结掺杂浓度等参数的变化关系,提出了改善SEB的几种加固措施。该模型对于评估器件SEB效应提供了理论方法。

减小VDMOSFET反向传输电容的研究

为减小VDMOS的反向传输电容，设计了三种体内结构与常现VDMOS相同而表面结构不同的器件实验结果表明，三种结构器件的反向传输电容与常规VDMOS相比都有较大幅度的降低，在Vds＝10V时，分别下降了36％、56％和72％

VDMOSFET的最佳化设计研究(500V)

以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P^-体扩散区结深X_(jp)-和栅氧化物厚度T_(ox)对器件特征导通电阻R_(onA)的影响.首次给出了多晶硅窗口区尺寸P_w和多晶区尺寸P_T的最佳化设计比例P_w/P_T与x_(jp)-和T_(ox)的关系.最后阐述了器件的最佳化设计思想.

VDMOSFET结构设计

本文论述了具有垂直沟道、多单元结构的高电压、大电流功率MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的设计理论及方法.并从四个方面阐述了其结构特点,提供了具体设计参数及部分二维数值分析结果.

功率VDMOSFET的瞬态热阻抗测量

介绍了利用ＶＤＭＯＳＦＥＴ的寄生ｐｎ结二极管Ｄｓｄ作为温敏元件来测量功率ＶＤＭＯＳ管热阻抗的方法；给出了温敏参数中温度系数和几类功率ＶＤＭＯＳ管瞬态热阻抗的测量结果；讨论了对热阻抗测量准确度有较大影响的四个因素。其结果，在一定条件下进行的瞬态热阻抗测量可用来监测ＶＤ－ＭＯＳ管的芯片粘接质量和用作功率ＶＤＭＯＳ管的快速热筛选。

高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法

提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的体二级管恢复速度的新方法.在这一方法中,肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中.据此生产的样品的实验结果表明,对于500V/2A的VDMOSFET,反向恢复电荷减小了50%,体二极管的恢复因数增大了60%.

VDMOSFET的CAD系统软件中数据类型的设计

初步探讨了在VDMOSFET的CAD系统软件设计中有关数据类型的设计及相应的一些处理方法。

VDMOSFET沟道区的研究

讨论了影响沟道长度及沟道的夹断区长度的因素,通过沟道区的优化促进了VDMOSFET性能的提高.

VDMOSFET终端场板的设计考虑

对最基本的场板结构 ,通过理论推导 ,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系 ;又给出了场板长度值与击穿电压和P+区结深之间的关系 .

VDMOSFET的终端优化设计

主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计,讨论了已有终端结构中的场环、场板技术,工作原理.以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的结构为例,详细讨论了场板在减少反馈电容、提高器件的击穿电压、降低导通电组、改善跨导、提高输出电阻、改进安全工作区方面的理论机制及作用.

VDMOSFET的最佳设计

以正方形单胞为例,较系统的分析了VDMOSFET的物理机制及其工作原理,并通过大量计算找出多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶硅尺寸Lp的最佳设计比例,阐述了器件的最佳化设计思想.

高压VDMOSFET的最佳设计

介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了PW与PT对特征导通电阻RonA的影响,经过大量的理论计算,给出了击穿电压为500V,TOX与RonA的关系曲线.首次提出RonA与PW/PT有最佳比例关系.

功率VDMOSFET的优化设计

本文推导出在外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式及使外延层理想比电阻达到最小值时电阻率和厚度的精确表达式.文中揭示了VDMOSFET 以往设设中存在的问题.提出了整体优化的方法并考虑了终端的影响.

高压VDMOSFET的PW/PT与RonA的关系

本文介绍了功率 VDMOSFET导通电阻的模型 ,重点讨论了 PW与 PT对特征导通电阻 Ron A的影响 ,经过大量的理论计算 ,给出了击穿电压为 5 0 0 V时 PW/PT与 Ron A的关系曲线。首次提出 Ron A与 PW/PT有最佳比例关系。

VDMOSFET特征导通电阻的数学模型

对六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻建立了一种新的数学模型—等效截面模型。给出了特征导通电阻与器件的横向、纵向结构参数的关系,并将计算结果与常规模型和实际测量值进行了比较,与实验结果符合得很好。