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掺钯硅快恢复二极管V_F~T_(RR)兼容性研究
1
作者
廖勇明
杨仕钟
+1 位作者
陈振
游志朴
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期74-76,共3页
作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF~TRR兼容性,得到掺钯硅二极管的VF~TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果;这一结果与目前广泛采用的Baliga理论的预测不相符合,作者对此进行了分析与讨论.根据实验结果,作者认为应用掺钯技术有望...
作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF~TRR兼容性,得到掺钯硅二极管的VF~TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果;这一结果与目前广泛采用的Baliga理论的预测不相符合,作者对此进行了分析与讨论.根据实验结果,作者认为应用掺钯技术有望制造出性能优良的超快恢复二极管.
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关键词
掺钯
硅快恢复二极管
vf-trr兼容性
反恢复时间
反向漏电流
性
能指标
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职称材料
题名
掺钯硅快恢复二极管V_F~T_(RR)兼容性研究
1
作者
廖勇明
杨仕钟
陈振
游志朴
机构
四川大学物理系
出处
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期74-76,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF~TRR兼容性,得到掺钯硅二极管的VF~TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果;这一结果与目前广泛采用的Baliga理论的预测不相符合,作者对此进行了分析与讨论.根据实验结果,作者认为应用掺钯技术有望制造出性能优良的超快恢复二极管.
关键词
掺钯
硅快恢复二极管
vf-trr兼容性
反恢复时间
反向漏电流
性
能指标
Keywords
palladium diffusion
fast recovery diode
V_F~T_(RR) tradeoff
reverse recovery time
reverse leakage current
分类号
TN315.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺钯硅快恢复二极管V_F~T_(RR)兼容性研究
廖勇明
杨仕钟
陈振
游志朴
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2003
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