VGF法Si-GaAs单晶生长过程中产生位错的因素

阐述了现有VGF法Si-Ga As单晶生长过程中影响位错产生、增殖的各种因素。与掺入杂质Si浓度;熔体不润湿、与晶体热膨胀系数相近的PBN坩埚材料,低位错密度的籽晶可有效地抑制生长晶体的位错密度;固液界面的形状及晶体内的温度梯度是降低位错密度的关键控制因素,而两因素又受到炉膛温度梯度、长晶速率、气体等晶体生长工艺参数的影响。

影响VGF法GaAs-Si单晶成品率的因素

阐述了现有VGF法GaAs-Si单晶生长过程中影响晶体成品率的各种因素。实验过程利用单晶生长炉进行生产出4英寸GaAs-Si单晶,使用磨床除去晶棒表面氧化层,再用氢氧化铵、过氧化氢和纯水按2∶1∶1浸泡,纯水冲洗干净,用纸巾擦干晶棒表面。通过对晶体外观检测颜色差异性,用Hall测试仪检测晶体电性能、电子显微镜查看EPD等,判断砷化镓单晶的成品率及存在的缺陷问题。通过讨论了坩埚形状,坩埚质量,坩埚烘烤,GaAa原料清洗效果、石英管质量、晶体生长速度、生长温度、环境湿度和环境杂质9种因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF砷化镓单晶生长成品率中的关键问题。