FeSi熔体中SiC晶须的VLS生长

在1500℃、1600℃、1650℃和1750℃氩气中保温3 h,使Fe-Si在石墨基板上熔化并敷展,分别在熔层表面获得SiC颗粒层、SiC颗粒与晶须混合层、SiC晶须层和SiC腾空薄膜。XRD分析确定所有产物均为3C-SiC;TEM和SAED分析表明,SiC晶须为3C-SiC单晶,生长方向为[111]。基于上述结果,提出不同温度下C与熔体中的Si经不同反应路径,生成不同形貌SiC的反应机理：低温时（≤1500℃）,Fe提高了熔体中C的饱和溶解度,以液-固（LS）反应生成SiC颗粒;较高温度时（1500-1750℃）,借助Fe的催化作用,以气-液-固（VLS）机理生成SiC晶须;更高温度时（≥1750℃）,气-液-固（VLS）变得无序,生成SiC腾空连续膜。

多节状SiC晶须的VS生长机理及晶体缺陷分析

本文以稻壳为原料，对非金属催化剂合成的多节状ＳｉＣ晶须（简称ＳｉＣｗ）进行了研究，运用ＴＥＭ、ＸＲＤ等分析检测技术，对ＳｉＣｗ的形貌及显微结构进行了分析。研究表明：ＳｉＣｗ产品以直晶为主，表面粗糙，呈多节状；晶须以βＳｉＣ为主要晶型，少量αＳｉＣ以孪晶、位错、层错等晶体缺陷形式存在。此外，机理研究表明。

山西耿庄金矿区晶须状FeS_2-Fe(Ni、Co)S_2的显微形态与生长机理分析

在山西耿庄金矿区含金隐爆角砾岩体的晶洞内,发现重晶石晶体中的晶须状FeS2-Fe(Ni、Co)S2,有直杆(线)状、串珠状、顶珠状、藕节状、蒲棒状、分枝状等多种形貌,许多晶须有二、三次加粗现象,有部分加厚产物已生长成了规则的几何多面体。并且从重晶石晶体中心向边缘呈现出藕节状、蒲棒状组合→串珠状、顶珠状组合→直杆(线)状为主的变化规律。根据晶须生长理论,结合地质环境和矿区热液活动特点,就耿庄晶须的生长机理进行分析和探讨。认为本区隐爆作用、热液沸腾作用与晶须生长有密切关系。耿庄晶须早期以VLS机制生长为主,晚期则转变为VS机制生长;晶须形貌和成分随时间呈现规律性变化,对地质环境非常敏感。反映出形成时宏观条件的一致性和微观条件的差异性,是研究地质环境的重要信息。

Ag(TCNQ)纳米晶须的生长机理

本文采用真空饱和蒸汽反应法在相对较低的温度下制备了一系列一维纳米结构的金属有机配合物Ag(TCNQ)。用多晶XRD谱表征了样品的成份和晶体结构 ,通过SEM观察到了不同生长阶段的形貌。纳米晶须的生长分别经历了溶解、结晶和单向生长三个阶段。在此基础上 。

针尖状SiC纳米线的合成与机理分析

采用热蒸发硅的方法,于1650℃反应不同的时间,在聚丙烯腈(PAN)碳纤维上原位生长碳化硅纳米线。通过X射线衍射,场发射扫描电镜及透射电子显微镜分析和观察,发现制得的产物为β-SiC单晶纳米线,具有明显的针尖状头部,且呈放射状生长在碳纤维上,形成试管刷状阵列。基于在反应不同阶段所得到产物的不同形貌,结合对制备条件和制备原料的分析,提出不同于传统VLS机理的VL’S机理。

不同形貌氮化硅纳米结构的制备与表征(英文)

分别通过VLS和VS生长机制得到了Si3N4纳米线和纳米带。产物经X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）等表征手段进行了分析。FTIR图谱表明它们在800 -1100cm^-1的波数范围内有一个宽的吸收带,这是Si-N键伸缩振动模式的典型吸收带。它们的室温光致发光图谱显示,在420nm左右都有一很强的发射带,表明其将在纳米光电器件中有潜在应用。另外,Si3N4纳米线发光峰与纳米带的发光相比有少许蓝移（蓝移约4nm）,这可能和晶须尺寸的少许差别有关。至于纳米带的发光强度大于纳米线的原因,可能是纳米带的比表面积相对较大,有利于悬键的形成,从而导致材料结构内缺陷的浓度较大。

合成SiC晶须的晶体学研究

讨论 Si C晶须生长的主要过程 ;晶核的生成、基晶的形成及晶须的生长。