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VMJ器件的红外特性 被引量：1
1
作者 张治国 季秉厚 刘典宪 《内蒙古大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第4期525-528,共4页
垂重多重结半导体器件(VMJ)有良好的近红外光电特性。本文报道了垂直多重结器件的制作工艺及其红外光谱响应的测量结果,同时对该器件的红外谱响应作了分析,并挺出了进一步改进方案.
关键词 半导体器件 红外光谱响应 vmj器件
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VMJ光电器件电极引线新法 被引量：1
2
作者 张治国 吴巧兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期20-21,共2页
本文分析了VMJ光电器件使用传统电极引线工艺所存在的问题,进而提出了一种非常简单的电极引线方法。
关键词 vmj 光电器件 电极 引线
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VMJ硅X-RAY探测器件的研究与参数测算
3
作者 张治国 《泉州师范学院学报》 2001年第2期15-20,共6页
介绍VMJ器件的结构和结果,并对器件的各种参数进行了详细的测算,同时分析了工艺条件对器件性能的影响.对器件窗口材料的选择也作了讨论.
关键词 X射线 半导体 vmj X-RAY探测器件 无损检测 垂直多重PN结 硅 焊缝检测 参数测算
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