自然增长下的具VMO系数拟线性椭圆组的部分正则性

设散度型拟线性系数算子关于自变量x-致满足VMO的结构条件,对于低阶项满足自然增长条件的拟线性椭圆方程组,建立了其弱解具有确切H(?)lder指数的部分正则性.

单片机控制的VMOS管脉冲电源的研制

本文描述了用于ELID磨削脉冲电源的MCS—51单片机控制系统.文中对该系统的工作原理、硬件、软件作了介绍和分析,并就VMOS管的驱动电路做了一些探讨.该电源已完成多种规格的调试,并已投入实际运行中.

步进电机伺服的VMOS驱动方法

本文提出了一种驱动步进伺服的方法,众所周知,VMOS器件是一种优良的功率开关,其优点是开关速度快和损耗低,用VOMS器件构成的步进伺服驱动器效率高体积小.结果表明输出力矩大大超过其额定值.

VMOS高线性度跨导运算放大器

本文提出由ＶＭＯＳ器件组成跨导运算放大器。分析了ＶＭＯＳ基本差动输入级的传输特性，提出一种高线性度的跨导可调ＶＭＯＳ跨导运算放大电路。

功率VMOS器件的参数最佳化折衷

改善功率VMCS器件设计的一个关键问题,是如何对耐压BV_(DSS)和导通电阻R_(on)进行合理的最佳化折衷。本文采用计算机辅助设计(CAD)的方法对各种可能的工艺和结构参数进行了大量计算,按照实际生产中的工艺条件进行筛选,得出了最佳化的设计参数。经与VN0906参照对比,证明设计是十分有效和准确的。

高温环境中VMOS超声功率开关的性能分析

对采用ＶＭｔＯＳ功率器件构成的超声功率开关的开关性能和温度性能进行了分析，设计了应用于超声测井仪器中的实用功率发射电路，给出了实际电路的高温试验结果。结果表明，ＶＭＯＳ功率器件在高温环境下的多项性能指标均优于双极型功率器件，可靠性也更高，所给出的设计方法可供高温环境功率电路设计参考。

用于电机的VMOSFET驱动电源

论述采用N沟道VMOS开关管构成的功率步进电动机驱动电源的设计,给出了电源中的斩波限流电路和调频调压电路.实验证明,该新型驱动装置的运行频率、矩频特性、效率等明显优于同类产品.

VMOS管单灯逆变器的限流保护

为解决用VMOS管组成单灯逆变器的限流保护问题,设计了限流保护电路。该限流装置设有自动复原装置,自动化程度高,减轻了人工更换保险管的劳动强度,具有一定的实用与经济价值。

VMOS场效应管在电火花加工脉冲电源中的应用研究

一种垂直导电型的场效应管—ＶＭＯＳ场效应管，应用在电火花脉冲电源上，改善了脉冲电源的性能，使电火花加工水平得以提高。本文列举了ＶＭＯＳ管电路的一些典型应用。

采用VMOS场效应管的逆变器

本文介绍了采用VMOS场效应管作为开关元件的逆变器。为改善逆变器输出电压波形,以100W、50Hz主电路为试验模型,研究讨论了几种控制方案及其线路,并对几种控制方案下逆变器的输出波形作了比较分析。此种线路简单可靠,为研制由VMOS管组成的中大型逆变电源提供了实践经验。

VMo/γ-Al_2O_3催化剂上丙烷氧化脱氢制丙烯

以浸渍法制备VMo/γ-Al_2O_3和VMo Mg/γ-Al_2O_3催化剂,考察其催化丙烷氧化脱氢制丙烯的反应活性,采用XRD、UV-Vis DRS和In suit IR对催化剂进行表征。结果表明,V负载质量分数为3%、Mo负载质量分数为7%时的3V7Mo/γ-Al_2O_3催化剂表现出较好的催化性能;添加Mg后催化剂的催化性能有所改善,反应温度500℃时,丙烷转化率为18.19%,丙烯选择性74.76%。丙烷和丙烯在3V7Mo/γ-Al_2O_3和3V7Mo4Mg/γ-Al_2O_3催化剂上吸附后,C—H键的H与催化剂活性中心的晶格氧发生作用形成H—O键,且3V7Mo4Mg/γ-Al_2O_3催化剂上出现C—O键的温度比3V7Mo/γ-Al_2O_3催化剂高,表明加入Mg有利于提高丙烯选择性。

基于vMOS值测试评估的LTE网络优化

超卓视频vMOS值作为用户观看移动视频主观体验的一种客观评价标准,可以客观反映用户对LTE网络体验的业务使用感知。某地市联通在开展LTE超卓网络优化时,在超卓视频vMOS值的专项优化方面进行了探索。选取超卓区域分别进行1080p及720p的vMOS值评估测试,通过与超卓视频目标值对标多维度分析,找出短板及问题,提出针对性的解决方案及优化方向,探索出LTE网络优化新思路。

Heisenberg群上具VMO系数的退化椭圆方程的Morrey正则性

本文研究Heisenberg群上具有VMO(零平均振荡)系数的非散度型退化椭圆方程.通过证明适当的Sobolev-Poincaré型不等式,建立方程的Lp正则性;然后利用初等方法,得到退化椭圆方程解的Morrey正则性.

具VMO系数拟线性椭圆组的L^(2,λ)部分正则性

对于一类拟线性椭圆型方程组,建立了当主项系数算子满足VMO条件下弱解梯度在Morrey空间L2,λ的部分正则性.

拟正则映照的局部单叶性和VMO_Φ空间的Orlicz-范数

本文证明了如果拟正则映照f的伸张张量Gf（x）或矩阵伸张Mf（x）与VMOφ空间的Orlicz-范数距离充分小,则f为局部同胚.

带VMO系数的拟线性抛物型方程斜微商问题(英文)

本文给出了拟线性抛物型方程Ｌｕ＝ｕｔ－ａｉｊ（ｘ，ｔ，ｕ）Ｄｉｊｕ＋ ａ（ｘ，ｔ，ｕ，Ｄｕ）＝０在正则斜微商边界条件 Ｂｕ＝ｂｉＤｉｕ＝ｇ下的强解ｕ∈ ２，１ｑ（ＱＴ）（ｑ＞ｎ＋１）的存在、唯一性．这里我们假设系数ａｉｊ是Ｃａｒａｔｈｅｏｄｏｒｙ函数，且关于（ｘ，ｔ），ａｉｊ∈ＶＭＯ ∩Ｌ∞”；而函数 ａ（ｘ，ｔ，ｕ，Ｄｕ）关于 Ｄｕ至多是二次增长．

VMOS管——高频大功率的理想器件

VMOS管是近十几年世界上新出现的高频大功率半导体器件,它集电子管、双极晶体管的优点于一体,而又没有这两类器件的缺点。它具有多子导电,开关速度极快;无二次击穿现象,安全工作区宽;输入阻抗高,只需电压激励;线性好,失真小;

VMO函数与上半连续函数和的拓扑度

在有界区域上定义了VMO函数与上半连续闭凸值映射和的拓扑度,并讨论了其拓扑度的一些性质.

VMOS管小型固体激光器电源

VMOS场效应晶体管有许多超过双极晶体管的优点,特别适合于功率电子学应用。我们使用VMOS管、光隔离器等器件研制的小型激光器电源,性能良好。本文给出了实际电路及实验结果。