磁存储器环形带切口结构自由层磁化反转的微磁模拟

针对基于磁性隧道结的赝自旋阀磁随机存储器,使用带斜面切口环形结构自由层,抛弃采用厚度改变矫顽力的方式,降低了磁性隧道结的面积电阻,改进了垂直电流磁随机存储器.通过集成工艺中淀积的二次效应生成磁环的切口,利用微磁学方法计算分析了自由层的磁化反转特性,结果表明该模型具有低串扰、低面积电阻、高磁阻率以及较强的抗干扰性能.