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BiCMOS工艺中VNPN晶体管的优化设计
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作者 吕海凤 李海松 +1 位作者 吴虹 孙伟锋 《电子器件》 CAS 2008年第2期488-491,共4页
BiCMOS工艺对晶体管的工艺条件设计提出了更高的要求。结合实际BiCMOS工艺,借助专业TCAD模拟软件ISE,模拟了晶体管基区注入和退火等工艺条件对VNPN晶体管的电流增益β和击穿电压BVCEO的影响,给出了优化的设计方案。在线流片结果表明优化... BiCMOS工艺对晶体管的工艺条件设计提出了更高的要求。结合实际BiCMOS工艺,借助专业TCAD模拟软件ISE,模拟了晶体管基区注入和退火等工艺条件对VNPN晶体管的电流增益β和击穿电压BVCEO的影响,给出了优化的设计方案。在线流片结果表明优化后:晶体管β=47,[BV]CEO=9.5V,达到了低频功率晶体管的应用要求,同时保证了BiC-MOS工艺中的CMOS器件性能不变,并且工艺稳定可在线量产。因此这种优化设计是可取的。 展开更多
关键词 BICMOS vnpn β [BV]CEO TCAD
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