关于退火温度对VO_2薄膜制备及其电学性质影响的研究

采用真空蒸发-真空退火工艺由V2O5粉末制备VO2薄膜,研究了退火温度对薄膜的影响.经XRD,XPS及电阻-温度测试发现,随退火温度的升高,VO2薄膜先后经历了单斜晶系VO2(B)型→单斜晶系VO2(A)型→四方晶系VO2的变化,在3种类型的薄膜中V均以V4+为主,且在VO2(A)型薄膜中V4+含量最高.薄膜电阻以退火温度460℃时为分界线,低于460℃时,VO2(B)型薄膜电阻和电阻温度系数随退火温度的升高而增大;高于460℃时,四方晶系VO2薄膜的电阻及其电阻温度系数随退火温度的升高呈现相反的趋势.

真空度对VO_2(B)型薄膜制备及光电特性的影响

对不同真空度下得到的VO2（B）型薄膜的结晶状况、组分、电学性质和光学性质进行测试和分析，以探讨退火真空度对VO2（B）型薄膜的影响。以高纯五氧化二钒（V2O5）粉末（纯度高于99．99％，质量分数）为原料，采用真空蒸发——还原工艺，分别在高、低真空度下还原出VO2（B）型（空间群为C2/m）薄膜。利用X射线衍射（XRD）仪，X射线光电子能谱仪（XPS），电阻温度关系（TCR）测试仪和紫外可见分光光度计对薄膜进行测试，讨论了退火真空度对VO2（B）型薄膜的结晶状况、组分、电学性质和光学性质的影响。结果显示，在高、低真空度下退火，VO2（B）型薄膜出现的温度范围是不同的，在低真空度下退火出现的范围在400～480℃，而在高真空度下退火出现的范围只有400～440℃；高真空度退火得到薄膜的晶粒较大，透过率较低真空度得到的薄膜高7％～8％；但在低真空度下退火，薄膜中的V更易被还原，电阻温度系数绝对值更大，最大可达-2．4％／K。