1.0 MeV电子辐照致VO_2(B)薄膜结构与光谱改变研究

本文以能量为1．0MeV的电子束辐照VO2（B）薄膜，对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算，同时使用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计对薄膜进行测试，分析了电子辐照对薄膜结构、形貌与紫外-可见光谱（280-880nm）的影响。结果显示：电子辐照可以在薄膜中引入点缺陷并产生退火效应，电子辐照使薄膜的表面晶粒细化，辐照后薄膜光谱的吸收峰位发生移动，其移动的最大位移达到21nm，辐照后薄膜的光学禁带宽度也有所增加。

特型二氧化钒薄膜的制备及电阻温度系数的研究

采用真空蒸发真空退火的制备工艺,制备出了特定的VO2(B)型薄膜并给出了最佳制备条件,经X射线衍射(XRD)分析及电学参数测试,其电阻温度系数(TCR)值达到-3.4×10-2K-1,无相变和热滞现象.作者还讨论了薄膜电阻温度关系,及其电阻温度系数与晶粒大小、激活能等的关系.

VO2(B)薄膜的制备及特性优化研究

采用直流磁控溅射法,在纯氩气氛中溅射V2O5靶材,在覆盖有氮化硅薄膜的P(100)硅基片表面沉积氧化钒薄膜。对沉积的薄膜进行了后续高真空高温退火处理。利用XRD对薄膜的晶相进行了分析,结果表明退火处理前和退火处理后的薄膜都具有VO2各晶面的取向,XPS分析证明了XRD的物相分析结果。对薄膜的方阻特性的测试表明生成的薄膜是典型的VO2(B)薄膜,退火后的薄膜方阻减小,方阻温度系数也降低。在此基础上,利用薄膜晶界散射理论,通过改变薄膜沉积时间和沉积温度使薄膜的方阻和方阻温度系数随薄膜厚度和晶粒大小而变化,从而使薄膜的电性能达到优化。