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基于VO_2/TiO_2/FTO微结构的电压诱导相变存储器特性 被引量:1
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作者 陈培祖 李毅 +4 位作者 蒋蔚 徐婷婷 伍征义 张娇 刘志敏 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期387-393,共7页
相变存储器作为下一代具有竞争力的新型存储器,其基础和核心是相变存储介质。为了制备基于VO_2薄膜的非易失性相变存储器,首先采用等离子体增强化学气相沉积法在氟掺杂二氧化锡(FTO)导电玻璃衬底上沉积一层厚度为100 nm的TiO_2薄膜,再... 相变存储器作为下一代具有竞争力的新型存储器,其基础和核心是相变存储介质。为了制备基于VO_2薄膜的非易失性相变存储器,首先采用等离子体增强化学气相沉积法在氟掺杂二氧化锡(FTO)导电玻璃衬底上沉积一层厚度为100 nm的TiO_2薄膜,再通过直流磁控溅射法制备VO_2薄膜,并在TiO_2/FTO复合薄膜上形成VO_2/TiO_2/FTO微结构,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪和半导体参数测试仪表征分析微结构的结晶和非易失性相变存储特性。结果表明,N_2和O_2的体积流量比为60∶40时,在TiO_2/FTO上可生长出晶向为<110>的高质量VO_2薄膜,在VO_2/TiO_2/FTO微结构两侧反复施加不同的脉冲电压,可观测到微结构具有非易失性相变存储特性,在67,68和69℃温度下的相变阈值电压分别为8.5,6.5和5.5 V,相比多层膜结构的相变阈值电压降低了约37%。 展开更多
关键词 vo2/tio2/fto 直流磁控溅射 相变存储器 阈值电压 电致相变
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VO_2/FTO复合热致变色薄膜的制备及其光学特性 被引量:5
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作者 王锋 李毅 +10 位作者 丁杰 佟国香 覃源 严梦 梁倩 方宝英 王晓华 陈少娟 陈建坤 郑鸿柱 袁文瑞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期143-148,共6页
在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上采用直流磁控溅射的方法室温沉积纯钒金属薄膜,再在退火炉中经后退火工艺制备VO2/FTO复合热致变色薄膜,并对复合薄膜的结构及其光学特性进行研究.结果表明,导电玻璃上的FTO并没有改变VO2择优取向生长,... 在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上采用直流磁控溅射的方法室温沉积纯钒金属薄膜,再在退火炉中经后退火工艺制备VO2/FTO复合热致变色薄膜,并对复合薄膜的结构及其光学特性进行研究.结果表明,导电玻璃上的FTO并没有改变VO2择优取向生长,但明显改变了VO2薄膜的表面形貌特征.与相同工艺条件下在玻璃衬底上制备的VO2薄膜相比,VO2/FTO复合薄膜的相变温度降低约18℃,热滞回线温宽收窄约4℃,相变前后的红外透过率分别约为42%和21%.说明复合薄膜既可明显降低相变温度和热滞宽度,又可增强VO2薄膜的红外调控能力. 展开更多
关键词 vo2 fto 复合薄膜 热致变色 光学特性
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表面In掺杂TiO2的N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转换效率 被引量:6
3
作者 程辉 姚江宏 曹亚安 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2632-2640,共9页
采用溶胶-凝胶法制备出In表面修饰的TiO2(TiO2-Inx%)纳米粒子,x%代表在In掺杂的TiO2样品中In3+与In3+和Ti4+离子摩尔百分含量.利用二(四丁基铵)顺式-双(异硫氰基)双(2,2-联吡啶-4,4-二羧酸)钌(II)(N719)作为敏化剂,制备出N719/TiO2/FTO... 采用溶胶-凝胶法制备出In表面修饰的TiO2(TiO2-Inx%)纳米粒子,x%代表在In掺杂的TiO2样品中In3+与In3+和Ti4+离子摩尔百分含量.利用二(四丁基铵)顺式-双(异硫氰基)双(2,2-联吡啶-4,4-二羧酸)钌(II)(N719)作为敏化剂,制备出N719/TiO2/FTO(氟掺杂锡氧化物)和N719/TiO2-Inx%/FTO染料敏化薄膜电极.光电转换效率实验表明,在薄膜电极+0.5mol.L-1LiI+0.05mol.L-1I2的三甲氧基丙腈(MPN)溶液+Pt光电池体系中,N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转换效率均高于N719/TiO2/FTO,其中N719/TiO2-In0.1%/FTO的光电转换效率比N719/TiO2/FTO提高了20%.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、漫反射吸收光谱(DRS)、荧光(PL)光谱和表面光电流作用谱确定了TiO2-Inx%样品中In3+离子的存在方式和能带结构;利用表面光电流作用谱研究了N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光致界面电荷转移过程.结果表明,In3+离子在TiO2表面形成O-In-Cln(n=1,2)物种,该物种的表面态能级位于导带下0.3eV处;在光电流产生过程中,O-In-Cln(n=1,2)表面态能级有效地抑制了光生载流子在TiO2-Inx%层的复合,促进了阳极光电流的增加,从而导致N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转化效率高于N719/TiO2/FTO,并进一步讨论了光致界面电荷转移的机理. 展开更多
关键词 tio2-Inx% O-In-Cln (n=1 2)物种 表面敏化 N719 tio2-Inx% fto 光电转换效率
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具有光透性的超长TiO_2纳米管阵列/FTO的制备及表征 被引量:4
4
作者 肖鹏 张云怀 +1 位作者 张晓星 CAO Guo-Zhong 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期32-36,共5页
采用电子束蒸发方法在透明导电玻璃FTO上沉积Ti金属薄膜,室温条件下在C2H6O2+NH4F中通过恒压阳极氧化法制备出超长TiO2纳米管阵列/FTO电极,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM),透射电子显微镜(TEM),X光电子能谱(XPS),X射线衍射(XRD)及... 采用电子束蒸发方法在透明导电玻璃FTO上沉积Ti金属薄膜,室温条件下在C2H6O2+NH4F中通过恒压阳极氧化法制备出超长TiO2纳米管阵列/FTO电极,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM),透射电子显微镜(TEM),X光电子能谱(XPS),X射线衍射(XRD)及光谱分析等方法对纳米管阵列/FTO电极进行了表征.研究表明,制备出的TiO2纳米管阵列内径43nm,管长5.4μm,经退火处理后得到长度为5μm锐钛矿相TiO2纳米管阵列/FTO透明电极,在可见光波长段的透射率为45%,在400nm波长处有一明显吸收峰. 展开更多
关键词 tio2纳米管阵列/fto电极 阳极氧化 光透性
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多孔TiO_2/FTO纳米有序阵列膜的可控生长研究 被引量:2
5
作者 王成伟 马军满 +1 位作者 李燕 张其君 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第4期37-42,共6页
用脉冲激光沉积(PLD)技术在导电玻璃(FTO)衬底上沉积Ti膜,采用电化学阳极氧化方法,细致研究了FTO衬底上多孔TiO2纳米有序阵列膜的可控生长.结果表明,恰当的阳极电压对形成高度有序、孔径均匀的多孔TiO2/FTO阵列膜至关重要;通过优化的工... 用脉冲激光沉积(PLD)技术在导电玻璃(FTO)衬底上沉积Ti膜,采用电化学阳极氧化方法,细致研究了FTO衬底上多孔TiO2纳米有序阵列膜的可控生长.结果表明,恰当的阳极电压对形成高度有序、孔径均匀的多孔TiO2/FTO阵列膜至关重要;通过优化的工艺参数,借助阳极氧化过程中各阶段电流-时间(I-t)曲线的准确判断,可实现对多孔TiO2阵列膜生长过程的有效控制,制备出高质量的多孔TiO2/FTO阵列膜. 展开更多
关键词 多孔tio2/fto纳米有序阵列膜 阳极氧化 可控生长
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柱状晶形貌TiO_2膜厚对FTO/TiO_2镀膜玻璃光催化活性影响 被引量:1
6
作者 滕繁 刘涌 +3 位作者 葛言凯 章瑞铄 宋晨路 韩高荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期633-637,共5页
采用溶胶凝胶法,在FTO(SnO2:F)低辐射镀膜玻璃衬底上制备了柱状晶体结构的TiO2薄膜,获得双层结构FTO/TiO2镀膜玻璃样品.研究了TiO2薄膜厚度对FTO/TiO2镀膜玻璃样品的光催化活性、低辐射性能以及透光性能的影响.结果表明,FTO/TiO2镀膜玻... 采用溶胶凝胶法,在FTO(SnO2:F)低辐射镀膜玻璃衬底上制备了柱状晶体结构的TiO2薄膜,获得双层结构FTO/TiO2镀膜玻璃样品.研究了TiO2薄膜厚度对FTO/TiO2镀膜玻璃样品的光催化活性、低辐射性能以及透光性能的影响.结果表明,FTO/TiO2镀膜玻璃样品光催化活性随着TiO2薄膜厚度的增加先升高后下降,在TiO2薄膜厚度为300 nm时光催化活性最佳;低辐射性能随着TiO2薄膜厚度的增加而下降,但TiO2薄膜厚度为300 nm时仍然具备一定的低辐射性能;透光性能与TiO2薄膜膜厚的关系不大,可见光透射比保持在72%左右;表面平均粗糙度约为1 nm,表面光滑,不易沾染油污灰尘.该镀膜玻璃在保证低辐射建筑节能和透光的前提下,兼具光催化自清洁功能,具有很好的应用前景. 展开更多
关键词 fto/tio2 溶胶凝胶 柱状晶 光催化活性 玻璃
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可见光响应的Ag_3VO_4/TiO_2制备及其催化活性的研究
7
作者 邹学军 董玉瑛 +1 位作者 李思佳 崔玉波 《大连民族学院学报》 CAS 2014年第5期508-511,516,共5页
采用微波辅助溶胶-凝胶方法制备了对可见光响应的Ag3VO4/TiO2纳米光催化剂,并对制备的样品进行XRD、UV-Vis DRS、N2吸附-脱附、SEM等表征。结果表明,Ag3VO4掺杂量的不同,对光催化降解效果有不同的影响。Ag3VO4掺杂量为1%时,Ag3VO4/TiO2... 采用微波辅助溶胶-凝胶方法制备了对可见光响应的Ag3VO4/TiO2纳米光催化剂,并对制备的样品进行XRD、UV-Vis DRS、N2吸附-脱附、SEM等表征。结果表明,Ag3VO4掺杂量的不同,对光催化降解效果有不同的影响。Ag3VO4掺杂量为1%时,Ag3VO4/TiO2复合光催化剂具有较强的催化性能,而随着Ag3VO4掺杂量的增加,催化剂的活性逐渐降低。用500℃煅烧的掺杂量为1%的Ag3VO4/TiO2复合光催化剂降解罗丹明B,4 h后降解率可以达到80%。 展开更多
关键词 Ag3 vo4/tio2 溶胶凝胶 光催化氧化 罗丹明B
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TiO_2/VO_2双层薄膜的制备及光电性能研究 被引量:3
8
作者 吕晓庆 李合琴 +3 位作者 周矗 崔跃 何蓓 刘涛 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1659-1661,共3页
文章采用磁控溅射法在玻璃基底上分别制备VO2单层薄膜与TiO2/VO2双层薄膜,并在Ar气中进行退火。用X射线衍射仪、扫描电镜、紫外-可见光分光光度计、LCR测试仪对薄膜样品的晶体结构、表面形貌、可见光透过率、电阻-温度特性进行测试。结... 文章采用磁控溅射法在玻璃基底上分别制备VO2单层薄膜与TiO2/VO2双层薄膜,并在Ar气中进行退火。用X射线衍射仪、扫描电镜、紫外-可见光分光光度计、LCR测试仪对薄膜样品的晶体结构、表面形貌、可见光透过率、电阻-温度特性进行测试。结果表明,TiO2/VO2双层薄膜的相变温度降低到56℃,电阻温度系数为-1.087/℃,可见光透过率提高了20%~30%,且薄膜生长致密均匀。 展开更多
关键词 tio2 vo2双层薄膜 相变温度 电阻温度曲线 可见光透过率
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基于FTO/VO_2/FTO结构的VO_2薄膜电压诱导相变光调制特性 被引量:2
9
作者 郝如龙 李毅 +9 位作者 刘飞 孙瑶 唐佳茵 陈培祖 蒋蔚 伍征义 徐婷婷 方宝英 王晓华 肖寒 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第19期319-327,共9页
采用直流磁控溅射和后退火工艺在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上制备VO2薄膜,研究了不同退火时间和不同比例的氮氧气氛对VO2薄膜性能的影响,对VO2薄膜的结晶取向、表面形貌、表面元素的相对含量和透过率随波长变化进行了测试分析,结果... 采用直流磁控溅射和后退火工艺在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上制备VO2薄膜,研究了不同退火时间和不同比例的氮氧气氛对VO2薄膜性能的影响,对VO2薄膜的结晶取向、表面形貌、表面元素的相对含量和透过率随波长变化进行了测试分析,结果表明在最佳工艺条件下制备得到了组分相对单一的VO2薄膜.基于FTO/VO2/FTO结构在VO2薄膜两侧的透明导电膜上施加电压并达到阈值电压时,观察到了明显的电流突变.当接触面积为3 mm×3 mm时,阈值电压为1.7 V,阈值电压随接触面积的增大而增大.与不加电压的情况相比,FTO/VO2/FTO结构在电压作用下高低温的红外透过率差值可达28%,经反复施加电压,该结构仍保持性能稳定,具有较强的电致调控能力. 展开更多
关键词 vo2/fto 直流磁控溅射 阈值电压 电致相变
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TiO_2\FTO镀膜玻璃色饱和度的数值模拟
10
作者 朱岳江 刘涌 +1 位作者 宋晨路 韩高荣 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期110-113,131,共5页
本文以具有较高折射率的材料——二氧化钛(TiO2)替代自身折射率较低的材料——SiCOx作为氟掺杂氧化锡(FTO)镀膜玻璃中间层薄膜,通过数值模拟计算的方法主要研究了TiO2\FTO镀膜玻璃的表面色饱和度控制表现,并与传统的SiCOx\FTO镀膜玻璃... 本文以具有较高折射率的材料——二氧化钛(TiO2)替代自身折射率较低的材料——SiCOx作为氟掺杂氧化锡(FTO)镀膜玻璃中间层薄膜,通过数值模拟计算的方法主要研究了TiO2\FTO镀膜玻璃的表面色饱和度控制表现,并与传统的SiCOx\FTO镀膜玻璃就色饱和度控制表现进行了对比,结果发现TiO2\FTO镀膜玻璃具有更加优异的表面色饱和度控制表现,适合进行实际应用推广。 展开更多
关键词 色饱和度 tio2 fto镀膜玻璃 折射率
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基于FTO的TiO_2纳米管阵列可控制备
11
作者 冯舒婷 章天金 《湖北大学学报(自然科学版)》 CAS 2015年第5期502-505,共4页
采用直流磁控溅射法在透明导电玻璃FTO上制备了表面平整、致密度高的Ti膜,经过在含氟化物电解液中的阳极氧化过程后得到了垂直于FTO的高度有序的Ti O2纳米管阵列.通过调节阳极氧化反应过程中的电压、温度参数,得到了一系列具有不同孔径... 采用直流磁控溅射法在透明导电玻璃FTO上制备了表面平整、致密度高的Ti膜,经过在含氟化物电解液中的阳极氧化过程后得到了垂直于FTO的高度有序的Ti O2纳米管阵列.通过调节阳极氧化反应过程中的电压、温度参数,得到了一系列具有不同孔径、壁厚、长径比、管密度的TiO2纳米管阵列,从扫描电镜(SEM)的结果中可以得出,Ti O2纳米管的各项管参数与反应条件电压、温度呈线性关系.其中,氧化电压对纳米管管径起主要影响作用,管内径由49.3 nm至75.3 nm连续可调,而温度对纳米管壁厚起明显作用,管壁厚度从11.6 nm变化到38.1 nm.由此得到的多尺寸TiO2纳米管阵列对前入式光照的光伏器件的应用具有重大意义. 展开更多
关键词 tio2纳米管 可控制备 fto
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FTO导电玻璃基底表面TiO_2纳米线阵列的合成
12
作者 刘元 《江西化工》 2014年第1期210-216,共7页
近几年,以TiO2纳米材料为核心的应用不断增加。在一些重要领域,如能量产生,累积,保存以及环境污染物降解中一些很具潜力的技术都是以TiO2纳米材料为基础的。TiO2作为一种n型半导体材料,由于特殊的光响应性质,引起了科学家们的广泛兴趣... 近几年,以TiO2纳米材料为核心的应用不断增加。在一些重要领域,如能量产生,累积,保存以及环境污染物降解中一些很具潜力的技术都是以TiO2纳米材料为基础的。TiO2作为一种n型半导体材料,由于特殊的光响应性质,引起了科学家们的广泛兴趣。尤其是低维尺寸的TiO2纳米材料,例如纳米线和纳米管,更是在最近得到了极大地关注。TiO2纳米线阵列依赖于形貌的独特的物理、化学、光电性质,使其在环境可持久性有机污染物质的处理技术中具有重要意义。 展开更多
关键词 tio2纳米线阵列 fto导电玻璃 金红石型 光催化反应 溶剂热合成
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Synthesis of Hierarchical SnO2 Nanowire–TiO2 Nanorod Brushes Anchored to Commercially Available FTO-coated Glass Substrates
13
作者 Derek R.Miller Sheikh A.Akbar Pat A.Morris 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2017年第3期93-100,共8页
Growth of single-crystal Sn O_2 nanowires using a fluorine-doped Sn O_2(FTO) thin film as both the source and substrate is demonstrated for the first time at relatively low temperature(580 °C) which preserves the... Growth of single-crystal Sn O_2 nanowires using a fluorine-doped Sn O_2(FTO) thin film as both the source and substrate is demonstrated for the first time at relatively low temperature(580 °C) which preserves the integrity of the underlying glass support and improves scalability to devices. Furthermore, a microwave hydrothermal process is shown to grow Ti O_2 nanorods on these nanowires to create a hierarchical nanoheterostructure that will lead to efficient photogenerated charge carrier separation and rapid transport of electrons to the substrate. This process simplifies nanowire growth by using commercially available and widely used FTO substrates without the need for an additional upstream Sn source and can be used as a high surface area host structure to many other hierarchical structures. 展开更多
关键词 SNO2 NANOWIRE Fluorine-doped SnO2fto Vapor–liquid–solid(VLS) tio2 Nanorod brush
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导电玻璃上室温沉积钛膜及TiO_2纳米管阵列的制备与表征 被引量:9
14
作者 汤育欣 陶杰 +3 位作者 张焱焱 吴涛 陶海军 包祖国 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2191-2197,共7页
在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上采用射频磁控溅射的方法室温沉积纯Ti薄膜,以NH4F/甘油为电解液,经电化学阳极氧化得到结构有序、微米级的TiO2纳米管阵列/FTO复合结构,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)以及光电化学... 在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上采用射频磁控溅射的方法室温沉积纯Ti薄膜,以NH4F/甘油为电解液,经电化学阳极氧化得到结构有序、微米级的TiO2纳米管阵列/FTO复合结构,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)以及光电化学的方法对纳米管阵列进行了表征.研究表明,在氩气气压为0.5Pa,功率为150W,时间为0.5h条件下在导电玻璃上室温沉积获得钛膜的结构为晶带T型组织,表面均匀性好且致密度较高;在电压为30V下,随着阳极氧化时间从1h延长至3h,纳米管的管径从50nm增加到75nm,纳米管的长度从750nm增至1100nm后减至800nm,管壁由平滑变为波纹状;随氧化电压的升高,纳米管管径逐渐增大,而表面覆盖物逐渐减少,可通过在稀的HF溶液(0.05%(w,质量分数))中超声清洗去除;此外,瞬态光电流测试表明结晶的电极表现出更好的光电转换性能,紫外光照射下能促进TiO2光生载流子有效分离,在热处理温度为450℃时,具有较高的光电化学性能. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 室温 fto导电玻璃 tio2纳米管阵列 NH4F/甘油
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TiO2-Loaded WO3 Composite Films for Enhancement of Photocurrent Density
15
作者 Wen-Gui Wang Li Zhu +1 位作者 Yu-Yan Weng Wen Dong 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2017年第2期112-116,共5页
Titanium dioxide (TiO2) loaded tungsten trioxide (WO3) composite films are prepared by an E-beam vapor system. Associated with the existence of a heterojunction at the interface of TiO2 and WO3, the prepared TiO2-... Titanium dioxide (TiO2) loaded tungsten trioxide (WO3) composite films are prepared by an E-beam vapor system. Associated with the existence of a heterojunction at the interface of TiO2 and WO3, the prepared TiO2-WO3 composite film shows enhanced photocurrent density, four times than the pure WO3 film illuminated under xenon lamp, and higher incident-photon-to-current conversion e^ciency. By varying the initial TiO2 film thickness, such composite structures could be optimized to obtain the highest photocurrent density. We believe that thin TiO2 films improve the light response and increase the surface roughness of WO3 films. Furthermore, the existence of the heterojunction results in the e^cient charge carriers' separation, transfer process, and a lower recombination of electron-hole pairs, which is beneficial for the enhancement of photocurrent density. 展开更多
关键词 tio2-Loaded WO3 Composite Films for Enhancement of Photocurrent Density fto
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磁控溅射制备W掺杂VO_2/FTO复合薄膜及其性能分析 被引量:5
16
作者 佟国香 李毅 +12 位作者 王锋 黄毅泽 方宝英 王晓华 朱慧群 梁倩 严梦 覃源 丁杰 陈少娟 陈建坤 郑鸿柱 袁文瑞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第20期438-444,共7页
为了获得相变温度低且热致变色性能优越的光学材料,室温下在F:SnO2(FTO)导电玻璃基板表面沉积钨钒金属膜,再经空气气氛下的热氧化处理,制备了W掺杂VO2/FTO复合薄膜,利用X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和表面形貌进... 为了获得相变温度低且热致变色性能优越的光学材料,室温下在F:SnO2(FTO)导电玻璃基板表面沉积钨钒金属膜,再经空气气氛下的热氧化处理,制备了W掺杂VO2/FTO复合薄膜,利用X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和表面形貌进行了分析.结果表明:高温热氧化处理过程中没有生成W,F,V混合氧化物,W以替换V原子的方式掺杂.与采用相同工艺和条件制备的纯VO2/FTO复合薄膜相比,W掺杂VO2薄膜没有改变晶面取向,仍具有(110)晶面择优取向,相变温度下降到35 C左右,热滞回线收窄到4 C,高低温下的近红外光透过率变化量提高到28%.薄膜的结晶程度明显提高,表面变得平滑致密,具有很好的一致性,对光电薄膜器件的设计开发和工业化生产具有重要意义. 展开更多
关键词 W掺杂 vo2 fto导电玻璃 磁控溅射
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VO_2/FTO复合薄膜的制备及其光电特性研究
17
作者 郑鸿柱 李毅 +9 位作者 陈少娟 陈建坤 袁文瑞 孙瑶 唐佳茵 刘飞 郝如龙 方宝英 肖寒 王晓华 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1593-1599,共7页
采用直流磁控溅射法在掺氟的SnO_2(FTO)导电玻璃衬底上沉积纯钒金属薄膜,再在常压氮氧混合气氛中退火制备VO_2/FTO复合热致变色薄膜,并对复合薄膜的结构、光学特性以及电学特性进行了测试分析。结果表明,薄膜结晶程度较高,表面平滑致密... 采用直流磁控溅射法在掺氟的SnO_2(FTO)导电玻璃衬底上沉积纯钒金属薄膜,再在常压氮氧混合气氛中退火制备VO_2/FTO复合热致变色薄膜,并对复合薄膜的结构、光学特性以及电学特性进行了测试分析。结果表明,薄膜结晶程度较高,表面平滑致密,具有很好的一致性,导电玻璃上的FTO并没有改变VO_2择优取向生长,但明显改变了VO_2薄膜的表面形貌特征。与VO_2薄膜的典型相变温度68℃相比,VO_2/FTO复合薄膜的相变温度降低约20℃,热滞回线收窄到5℃,相变前后的红外透过率分别为45%和22%,相变前后电阻率的变化达3个数量级,VO_2/FTO复合薄膜优良的光电特性对新型光电薄膜器件的设计开发和应用具有重要意义。 展开更多
关键词 vo2 fto 氮氧混合 热致变色 光电特性
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FTO/TiO2复合薄膜的自洁净和低辐射性能研究(英文)
18
作者 滕繁 刘涌 +2 位作者 曾孟龙 宋晨路 韩高荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S3期266-270,共5页
用溶胶-凝胶法在FTO(SnO_2:F)低辐射(low-e)镀膜玻璃衬底上旋涂制备TiO_2薄膜,获得FTO/TiO_2双层结构复合薄膜,采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见光谱(UV-Vis)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)等手段分析样品。结果表明,当TiO_2... 用溶胶-凝胶法在FTO(SnO_2:F)低辐射(low-e)镀膜玻璃衬底上旋涂制备TiO_2薄膜,获得FTO/TiO_2双层结构复合薄膜,采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见光谱(UV-Vis)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)等手段分析样品。结果表明,当TiO_2薄膜的厚度为210nm左右时,FTO/TiO_2复合薄膜具有最佳的光催化活性。FTO/TiO_2复合薄膜与水滴的接触角随着紫外线照射时间的增加逐渐降低,表明复合薄膜在紫外线照射后具有较好的亲水性。TiO_2薄膜对FTO基底起到保护作用,热处理后的复合薄膜仍具有较好的低辐射性能。当FTO/TiO_2复合薄膜的TiO_2层厚度为210nm时,复合薄膜同时具有较好的自清洁性能和低辐射性能。 展开更多
关键词 fto/tio2复合薄膜 溶胶-凝胶法 光催化活性 亲水 自清洁 低辐射
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FTO/TiO2/ZnO/Cu2O/Ag异质结电池的光电性能研究
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作者 袁斌霞 蔡晓东 +4 位作者 曹盛 王道累 朱瑞 韩清鹏 吴懋亮 《功能材料与器件学报》 CAS 2020年第1期52-57,共6页
由于氧化锌和氧化亚铜的材料安全无毒、制作成本低及环境友好等特点,ZnO/Cu2O异质结电池具有很广阔的发展前景。本文首先通过旋涂法制备了ZnO薄膜,然后以真空蒸镀法和热氧化法制备了Cu2O薄膜,采用SEM表征证明所得ZnO和Cu2O薄膜平整度较... 由于氧化锌和氧化亚铜的材料安全无毒、制作成本低及环境友好等特点,ZnO/Cu2O异质结电池具有很广阔的发展前景。本文首先通过旋涂法制备了ZnO薄膜,然后以真空蒸镀法和热氧化法制备了Cu2O薄膜,采用SEM表征证明所得ZnO和Cu2O薄膜平整度较高。最后使用真空蒸镀法制备Ag电极,组装完成了FTO/ZnO/Cu2O/Ag异质结电池。通过改变氧化亚铜的厚度来研究电池性能的变化规律,结果表明光电性能随着Cu2O的厚度增加而增加。为了进一步提高电池性能,加入了TiO2光吸收层,组装了FTO/TiO2/ZnO/Cu2O/Ag异质结电池。结果表明,TiO2光吸收层的加入提高了短路电流和开路电压。另外,该电池直接在空气中组装,组装工艺简单,具有推广价值。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 Cu2O薄膜 fto/ZnO/Cu2O/Ag fto/tio2/ZnO/Cu2O/Ag 异质结电池
原文传递
水热合成技术在建筑陶瓷工业中的应用 被引量:1
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作者 谈国强 秦波 +2 位作者 章薇 魏莎莎 宋丽花 《陶瓷》 CAS 2011年第1期39-42,共4页
简要介绍了水热合成技术的原理、特点及在建筑陶瓷工业中的应用,提出了利用VO2材料的热致变色现象,使建筑陶瓷外墙砖随不同季节吸收和反射红外光,具有智能化和利用水热技术在TiO2材料中用N替换了少量的晶格氧使涂覆TiO2薄膜的内墙砖在... 简要介绍了水热合成技术的原理、特点及在建筑陶瓷工业中的应用,提出了利用VO2材料的热致变色现象,使建筑陶瓷外墙砖随不同季节吸收和反射红外光,具有智能化和利用水热技术在TiO2材料中用N替换了少量的晶格氧使涂覆TiO2薄膜的内墙砖在太阳光下具有自清洁性能的新思路。 展开更多
关键词 水热合成技术 tio2 vo2 薄膜 建筑陶瓷
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