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W掺杂VO_(2)(M)粉体研究进展
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作者 孙恒辉 周汶燕 +3 位作者 王丹 袁新强 蒋鹏 张伟 《热加工工艺》 北大核心 2024年第10期10-15,21,共7页
W掺杂M相VO_(2)(W-VO_(2)(M))发生热致半导体-金属相变的温度可低至室温,在智能窗领域应用潜力巨大。在“双碳”背景下,继续开展W-VO_(2)(M)合成及其在智能窗中的应用研究具有重要意义。从W单元素掺杂、含W共掺杂和核-壳结构含W掺杂3个... W掺杂M相VO_(2)(W-VO_(2)(M))发生热致半导体-金属相变的温度可低至室温,在智能窗领域应用潜力巨大。在“双碳”背景下,继续开展W-VO_(2)(M)合成及其在智能窗中的应用研究具有重要意义。从W单元素掺杂、含W共掺杂和核-壳结构含W掺杂3个方面系统梳理了W-VO_(2)(M)粉体的研究情况,分析了W、Ti共掺杂M相VO_(2)(W/Ti-VO_(2)(M))粉体研究的可行性。最后,提出W/Ti-VO_(2)(M)与SiO2复合形成核-壳结构(W/Ti-VO_(2)(M)@SiO2)粉体的研究思路。 展开更多
关键词 W掺杂 vo_(2)(M)粉体 热致相变 智能窗
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基于VO_(2)相变调控的Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结器件建模与仿真
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作者 冯云松 周长祺 +5 位作者 王思雨 路远 金伟 商袁昕 李亚繁 陈友才 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期1883-1888,共6页
利用COMSOL multiphysics软件对基于Ga_(2)O_(3)/VO_(2)的异质结光电器件进行了二维物理仿真。分析并报道了基于VO2相变调控的Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结光电器件的掺杂曲线、能级图、电场分布与电势分布等。探索了器件在光电探测器方面... 利用COMSOL multiphysics软件对基于Ga_(2)O_(3)/VO_(2)的异质结光电器件进行了二维物理仿真。分析并报道了基于VO2相变调控的Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结光电器件的掺杂曲线、能级图、电场分布与电势分布等。探索了器件在光电探测器方面的应用,通过模拟器件在1 V偏压和10μW的光照条件下峰值响应率为0.068 A/W,抑制比(R250 nm/R450 nm)达到105量级。该模拟计算数据为进一步优化Ga_(2)O_(3)/VO_(2)光电二极管实验研究和应用有所裨益。 展开更多
关键词 Ga_(2)O_(3)/vo_(2)异质结 COMSOL vo_(2)相变 能级结构 仿真
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Dielectric properties and phase transitions of La_2O_3- and Sb_2O_3-doped barium strontium titanate ceramics 被引量:3
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作者 张晨 曲远方 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第11期2742-2748,共7页
The dielectric properties and phase transition characteristics of La2O3- and Sb2O3-doped barium strontium titanate ceramics prepared by solid state route were investigated. The microstructure was identified by X-ray d... The dielectric properties and phase transition characteristics of La2O3- and Sb2O3-doped barium strontium titanate ceramics prepared by solid state route were investigated. The microstructure was identified by X-ray diffraction method and scanning electron microscope was also employed to observe the surface morphologies. It is found that (La,Sb)-codoped barium strontium titanate ceramics exhibit typical perovskite structure and the average grain size decreases dramatically with increasing the content of Sb2O3. Both La3+ ions and Sb3+ ions occupy the A-sites in perovskite lattice. The dielectric constant and dielectric loss of barium strontium titanate based ceramics are obviously influenced by La2O3 as well as Sb2O3 addition content. The tetragonal-cubic phase transition of La2O3 modified barium strontium titanate ceramics is of second order and the Curie temperature shifts to lower value with increasing the La2O3 doping content. The phase transition of (La,Sb)-codoped barium strontium titanate ceramics diffuses and the deviation from Curie-Weiss law becomes more obvious with the increase in Sb2O3 concentration. The temperature corresponding to the dielectric constant maximum of (La,Sb)-codoped barium strontium titanate ceramics decreases with increasing the Sb2O3 content, which is attributed to the replacement of host ions by the Sb3+ ions. 展开更多
关键词 barium strontium titanate LA2O3 SB2O3 PEROVSKITE CERAMICS dielectric properties phase transition
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水热法制备VO_(2)/石墨烯复合粉体及其热变色性能
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作者 李巧会 周剑 卢金山 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2023年第1期124-131,共8页
以草酸氧钒溶液为钒源,钨酸钠为掺杂剂,氧化石墨烯为添加剂,水热法结合热处理工艺制备VO_(2)粉体和VO_(2)/石墨烯复合粉体。利用XRD、DSC和TEM分析技术,研究水热反应条件、掺杂量以及氧化石墨烯添加量等对粉体结构和形貌、相变温度以及... 以草酸氧钒溶液为钒源,钨酸钠为掺杂剂,氧化石墨烯为添加剂,水热法结合热处理工艺制备VO_(2)粉体和VO_(2)/石墨烯复合粉体。利用XRD、DSC和TEM分析技术,研究水热反应条件、掺杂量以及氧化石墨烯添加量等对粉体结构和形貌、相变温度以及热变色性能的影响。实验温度范围内,水热反应产物与反应温度无关,与水热反应时间相关,热处理时VO_(2)(D)和VO_(2)(B)的相变温度分别为300℃和550℃,掺杂降低了VO_(2)热变色温度和热滞后温差。随着氧化石墨烯添加量增大,热变色温度先降低后升高,而热滞后温差先增大后减小,当掺杂量为9 at.%并加入1 wt.%氧化石墨烯时,VO_(2)/石墨烯复合粉体的热变色温度为34.5℃,热滞后温差为7.7℃。 展开更多
关键词 vo_(2) 石墨烯 水热法 相变温度 热变色性能
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Phase transition, elastic and electronic properties of topological insulator Sb_2Te_3 under pressure: First principle study 被引量:5
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作者 卢清 张怀勇 +2 位作者 程艳 陈向荣 姬广富 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第2期348-354,共7页
The phase transition, elastic and electronic properties of three phases(phase Ⅰ,Ⅱ, and Ⅲ) of Sb_2Te_3 are investigated by using the generalized gradient approximation(GGA) with the PBESOL exchange–correlation ... The phase transition, elastic and electronic properties of three phases(phase Ⅰ,Ⅱ, and Ⅲ) of Sb_2Te_3 are investigated by using the generalized gradient approximation(GGA) with the PBESOL exchange–correlation functional in the framework of density-functional theory. Some basic physical parameters, such as lattice constants, bulk modulus, shear modulus,Young's modulus, Poisson's ratio, acoustic velocity, and Debye temperature Θ are calculated. The obtained lattice parameters under various pressures are consistent with experimental data. Phase transition pressures are 9.4 GPa(Ⅰ→Ⅱ) and 14.1 GPa(Ⅱ→Ⅲ), which are in agreement with the experimental results. According to calculated elastic constants, we also discuss the ductile or brittle characters and elastic anisotropies of three phases. Phases Ⅰ and Ⅲ are brittle, while phaseⅡ is ductile. Of the three phases, phaseⅡ has the most serious degree of elastic anisotropy and phase Ⅲ has the slightest one.Finally, we investigate the partial densities of states(PDOSs) of three phases and find that the three phases possess some covalent features. 展开更多
关键词 Sb2Ze3 phase transition elastic properties electronic properties
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Phase transition and thermodynamic properties of TiO_2 from first-principles calculations 被引量:2
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作者 于景新 傅敏 +1 位作者 姬广富 陈向荣 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第1期269-274,共6页
The pressure induced phase transitions of TiO2 from anatase to columbite structure and from rutile to columbite structure and the temperature induced phase transition from anatase to rutile structure and from columbit... The pressure induced phase transitions of TiO2 from anatase to columbite structure and from rutile to columbite structure and the temperature induced phase transition from anatase to rutile structure and from columbite to rutile structure are investigated by ab initio plane-wave pseudopotential density functional theory method (DFT), together with quasi-harmonic Debye model. It is found that the zero-temperature transition pressures from anatase to columbite and from rutile to columbite are 4.55 GPa and 19.92 GPa, respectively. The zero-pressure transition temperatures from anatase to rutile and from columbite to rutile are 950 K and 1500 K, respectively. Our results are consistent with the available experimental data and other theoretical results. Moreover, the dependence of the normalized primitive cell volume V/Vo on pressure and the dependences of thermal expansion coefficient α on temperature and pressure are also obtained successfully. 展开更多
关键词 local density approximation transition phase thermodynamic property TIO2
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价态和结构对VO_2薄膜热致相变光电性能的影响 被引量:10
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作者 卢勇 林理彬 +2 位作者 邹萍 何捷 王鹏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期185-191,共7页
本文通过合理控制真空还原时间和真空还原温度 ,利用真空还原V2 O5的方法制备出具有优良热致相变性能的VO2 薄膜 ;通过研究不同真空还原时间及真空退火温度对VO2 薄膜结构和热致相变过程中光电性能的影响 ,得到最佳真空还原参数 ;制备... 本文通过合理控制真空还原时间和真空还原温度 ,利用真空还原V2 O5的方法制备出具有优良热致相变性能的VO2 薄膜 ;通过研究不同真空还原时间及真空退火温度对VO2 薄膜结构和热致相变过程中光电性能的影响 ,得到最佳真空还原参数 ;制备的薄膜高 /低温电阻变化最大达 3个数量级 ,90 0nm波长光透过率在相变前后改变了 4 0 %左右 ,光学特性相变响应参数较大 ,热致相变性能优良。利用XPS、XRD对不同条件制备薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究 ,结果表明较低温度退火有利于V5+ 离子的还原 ,而升高退火温度可改善结晶状态 ,退火时间对VO2 中结晶状况和V离子价态有显著影响。讨论了离子价态和样品结晶状态对VO2 薄膜热相变过程中热滞回线的宽度、相变温度点的影响。 展开更多
关键词 vo2薄膜 热致相变 光电性能 价态 结构
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1.7MeV电子束在VO_2热致相变薄膜中引起的结构和光电性能的变化 被引量:5
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作者 卢勇 林理彬 +2 位作者 邹萍 卢铁城 何捷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期525-528,共4页
利用能量为 1.7MeV、注量分别为 10 13 ~ 10 15/cm2 的电子辐照VO2 薄膜 ,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响。结果表明电子辐照在V... 利用能量为 1.7MeV、注量分别为 10 13 ~ 10 15/cm2 的电子辐照VO2 薄膜 ,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响。结果表明电子辐照在VO2 薄膜中出现变价效应 ,产生新的X射线衍射峰 ,带来薄膜化学成分的变化。电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2 展开更多
关键词 结构 相变性能 电子辐照 热致相变 二氧化钡薄膜
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电子束在VO_2薄膜中引起的价态、相结构和光学性能的改变 被引量:1
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作者 卢勇 林理彬 +2 位作者 卢铁城 甘荣兵 何捷 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期706-710,共5页
利用能量为 1 .7Me V,注量分别为 1 .2 5× 1 0 13 /cm2 ,1 .2 5× 1 0 14 /cm2 ,1 .2 5× 1 0 15/cm2 的电子束辐照 VO2 薄膜 ,采用 XPS,XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并研究了电子辐照对样品相变过程中光... 利用能量为 1 .7Me V,注量分别为 1 .2 5× 1 0 13 /cm2 ,1 .2 5× 1 0 14 /cm2 ,1 .2 5× 1 0 15/cm2 的电子束辐照 VO2 薄膜 ,采用 XPS,XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并研究了电子辐照对样品相变过程中光透射特性的影响。结果表明电子辐照引起 VO2 薄膜中 V离子出现价态变化现象 ,并使薄膜的 X射线衍射峰发生变化。电子辐照在样品中产生的这些变化显著改变了 VO2 展开更多
关键词 vo2薄膜 价态 相结构 光学性能 相变性能 电子辐照 电子束 二氧化钒薄膜
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利用制备参数的改变调整VO_2薄膜的电阻温度系数 被引量:6
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作者 卢勇 林理彬 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期181-183,共3页
利用真空还原方法 ,通过合理控制时间和真空退火温度 ,制备出具有优良热致相变特性的VO2 薄膜 ,并对不同真空还原时间、真空退火温度和衬底条件下制备的VO2 薄膜结构和半导体相的电阻温度系数进行了研究。结果表明 ,不同制备参数对所得... 利用真空还原方法 ,通过合理控制时间和真空退火温度 ,制备出具有优良热致相变特性的VO2 薄膜 ,并对不同真空还原时间、真空退火温度和衬底条件下制备的VO2 薄膜结构和半导体相的电阻温度系数进行了研究。结果表明 ,不同制备参数对所得薄膜的结构和价态有显著影响 ,从而对VO2 的电阻温度系数产生较大调整。 展开更多
关键词 热致相变 电阻温度系数 二氧化钒薄膜
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Zr掺杂对纳米VO_(2)粉体结构及相变性质的影响 被引量:1
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作者 王斌 赵丹丹 +3 位作者 杜金晶 张乐乐 朱军 吕明 《有色金属工程》 CAS 北大核心 2021年第8期34-38,共5页
采用水热合成结合高温热处理制备了VO_(2)粉体,研究了Zr元素掺杂对VO_(2)结构及相变性质的影响。结果表明:掺杂Zr元素会对VO_(2)结构产生影响,Zr^(4+)可以占据V^(4+)晶格点阵位置,形成有限固溶体,从而增大VO_(2)的晶胞参数,不同浓度Zr... 采用水热合成结合高温热处理制备了VO_(2)粉体,研究了Zr元素掺杂对VO_(2)结构及相变性质的影响。结果表明:掺杂Zr元素会对VO_(2)结构产生影响,Zr^(4+)可以占据V^(4+)晶格点阵位置,形成有限固溶体,从而增大VO_(2)的晶胞参数,不同浓度Zr掺杂试样,仍呈VO_(2)单斜相结构。由于掺杂导致的晶格变形,阻止了颗粒的聚集,因此Zr添加具有一定的细化晶粒作用。DSC曲线测试表明,Zr掺杂可以降低VO_(2)(M)的相变温度,掺杂浓度为6%(原子百分比,下同)时,相变温度可由未掺杂的69.9℃降到61.1℃,Zr掺杂试样相变前后的红外透射率变化也较大,达到30%以上。 展开更多
关键词 vo_(2)粉体 水热合成 Zr掺杂 微观结构 相变温度
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纳米复合结构对VO_(2)相变特性的影响 被引量:1
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作者 谢忠洲 李钟昊 +2 位作者 逯浩 王莹 刘永生 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期66-71,共6页
二氧化钒具有良好的半导体-金属可逆相变特性,相变过程中伴随着剧烈的光学、电学等方面的变化。在常温下,二氧化钒为单斜晶系结构(M相);当温度达到相变温度以下时,二氧化钒的晶型变成四方晶红石结构(R相);当温度降低到相变温度以下时,... 二氧化钒具有良好的半导体-金属可逆相变特性,相变过程中伴随着剧烈的光学、电学等方面的变化。在常温下,二氧化钒为单斜晶系结构(M相);当温度达到相变温度以下时,二氧化钒的晶型变成四方晶红石结构(R相);当温度降低到相变温度以下时,二氧化钒的晶型又变回单斜晶系结构(M相)。这种典型可逆热色特征使二氧化钒成为当前建筑用智能窗材料的最佳选择。近些年来VO_(2)的制备方法已经基本成熟,但是性能的优化一直是研究的重点。因此,本文重点综述了几种不同的VO_(2)基纳米复合结构对其相变特性的影响,主要包括构建核壳结构、掺杂和多层薄膜结构三个方面,为推进VO_(2)薄膜智能窗的进一步优化提供了依据。 展开更多
关键词 vo_(2) 相变 热致变色 纳米复合结构 智能窗
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VO_(2)/GaAs异质结的制备及其光电特性研究
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作者 李军显 李毅 +2 位作者 周建忠 田蓉 刘进 《光学仪器》 2021年第2期48-54,共7页
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_(2)/p-GaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_(2)/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和... 采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_(2)/p-GaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_(2)/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_(2)薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_(2)/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_(2)相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 展开更多
关键词 vo_(2) GAAS 半导体−金属相变 异质结 整流特性
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烧结温度对Ba_(0.96)Ca_(0.04)Ti_(2)O_(5)陶瓷的物相结构与电学性能影响探究
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作者 田永尚 马明扬 +3 位作者 李水云 董俊丽 穆歌 王进双 《信阳师范学院学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2023年第2期208-212,共5页
在改性Pechini法制备Ba_(0.96)Ca_(0.04)Ti_(2)O_(5)(BCT2)粉体的基础上,采用常压固相烧结工艺制备了BCT2陶瓷,详细探究了在不同烧结温度(1050~1250℃)下对BCT2陶瓷物相结构与性能的影响规律。采用X射线衍射仪、冷场发射扫描电子显微镜... 在改性Pechini法制备Ba_(0.96)Ca_(0.04)Ti_(2)O_(5)(BCT2)粉体的基础上,采用常压固相烧结工艺制备了BCT2陶瓷,详细探究了在不同烧结温度(1050~1250℃)下对BCT2陶瓷物相结构与性能的影响规律。采用X射线衍射仪、冷场发射扫描电子显微镜、电子比重天平和精密阻抗分析仪,分别测试了BCT2陶瓷的物相结构、断面形貌、致密化程度和电学性能。结果表明,随着烧结温度一定程度的升高,BCT2陶瓷的结晶度提升、致密化程度增加、介电性能和铁电性增强。最佳烧结温度(1200℃)下BCT2陶瓷的性能为ρ_(r)=96.64%、T_(C)=444.9℃、ε_(m)=619.3和γ=0.429。 展开更多
关键词 Ba_(0.96)Ca_(0.04)Ti_(2)O_(5) 烧结温度 物相结构 介电性能 弥散相变
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La_(2)O_(3)掺杂量对0.06BiYbO_(3)-0.94Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_(3)三元系压电陶瓷结构和性能的影响
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作者 王艺颖 王芳 +4 位作者 左鑫 张明 李磊 许壮志 陈渝 《成都大学学报(自然科学版)》 2023年第1期61-68,共8页
采用传统的固相反应法制备0.06BiYbO_(3)-0.94Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_(3)-x wt.%La_(2)O_(3)(BY-PZT-x La,x=0~0.6)三元系压电陶瓷,并研究了La 2O 3掺杂量对BY-PZT-x La压电陶瓷微观结构和电学性能的影响.研究结果显示,BY-PZT-xLa压... 采用传统的固相反应法制备0.06BiYbO_(3)-0.94Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_(3)-x wt.%La_(2)O_(3)(BY-PZT-x La,x=0~0.6)三元系压电陶瓷,并研究了La 2O 3掺杂量对BY-PZT-x La压电陶瓷微观结构和电学性能的影响.研究结果显示,BY-PZT-xLa压电陶瓷为纯的四方钙钛矿结构,晶格常数随x的增加而减小,表明La_(2)O_(3)成功掺入BY-PZT压电陶瓷的钙钛矿结构中,La^(3+)取代A位的Pb^(2+)抑制了陶瓷的晶粒增长;随着x的增加,BY-PZT-xLa压电陶瓷的介电损耗因子和居里温度逐渐降低,但少量La_(2)O_(3)掺杂(x=0.1)可以大幅度提高体系的相对介电常数,并降低介电常数的温度系数;采用修正的居里—外斯定律研究了BY-PZT-x La压电陶瓷在居里温度以上的介电温度行为,发现其存在较弱的弥散相变特征;过量的La_(2)O_(3)掺杂(x>0.1)由于引入了过多的离子缺陷,钉扎铁电畴的翻转,从而导致P-E曲线被束缚.在BY-PZT-xLa压电陶瓷中,组分x=0.1兼具高居里温度(388℃)和高压电常数(320 pC/N),以及较高的热退极化温度(350℃),在高温压电器件中具有很大的应用潜力. 展开更多
关键词 BY-PZT La_(2)O_(3)掺杂 弥散相变 电滞回线 压电性能 热退极化
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Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbZrO_3-PbTiO_3三 被引量:2
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作者 朱信华 王群 孟中岩 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1995年第4期355-357,共3页
对Pb(Ni1/3Nb2/3O3-PbZrO3-PbTiO3,即xPb(Ni1/3Nb2/3)O3-(1-x)Pb(ZrδTi1-δ)O3(0.2≤x≤0.6,0.2≤δ≤0.5)三元系固溶体的压电性能进行了研究,结... 对Pb(Ni1/3Nb2/3O3-PbZrO3-PbTiO3,即xPb(Ni1/3Nb2/3)O3-(1-x)Pb(ZrδTi1-δ)O3(0.2≤x≤0.6,0.2≤δ≤0.5)三元系固溶体的压电性能进行了研究,结果表明材料压电活性较高的配方位于准同型相界(MPB)附近,压电常数d31值可达260×10-12C/N.讨论了结构相变对压电性能的影响. 展开更多
关键词 结构相变 锆钛酸铅 压电陶瓷
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Thermally modulated photoelectronic synaptic behavior in HfS_(2)/VO_(2) heterostructure
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作者 Le Wang Lin Wang +6 位作者 Xiao-Yun Ye Xiong-Hu Xu Li-Yan Shang Ya-Wei Li Jin-Zhong Zhang Liang-Qing Zhu Zhi-Gao Hu 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第8期3798-3809,共12页
Neuromorphic computing is known for its efficient computational speed,low latency,and reduced power consumption,which is considered a pivotal technology to overcome the von Neumann bottleneck.Artificial synapses are a... Neuromorphic computing is known for its efficient computational speed,low latency,and reduced power consumption,which is considered a pivotal technology to overcome the von Neumann bottleneck.Artificial synapses are an indispensable component of neuromorphic computational artificial neural networks.To guarantee effective and precise processing of optical signals,it must have a high responsivity,detectivity,and the ability to adapt to various environments.Here,a synaptic transistor based on the HfS_(2)/VO_(2) heterojunction with a responsivity of8.6×10^(3) A·W^(-1)and a detectivity of 1.26×10^(14)Jones at405 nm laser was reported.Meanwhile,the typical synaptic behavior was successfully simulated,including postsynaptic currents(PSCs),the transition from shortterm plasticity(STP)to long-term plasticity(LTP).When VO_(2) converts from the semiconductor state to the metal state,the HfS_(2)/VO_(2) heterojunction transforms into a Schottky heterojunction from a TypeⅡheterojunction with temperature.What's important,the heterojunction still exhibits excellent responsivity and detectivity,as well as stability of synaptic properties.In addition,the classical Pavlovian conditioning experiment is simulated under different laser intensity to study the brain's associative learning behavior.The results demonstrate that the HfS_(2)/VO_(2) heterojunction synapse exhibits significant responsivity and detectivity and is adaptable to high-temperature environments,showing great potential for neuromorphic computational applic ations. 展开更多
关键词 HfS_(2) vo_(2) phase transition Photoelectric synapse HETEROJUNCTION
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Er-Fe-In三元系773 K等温截面相图与Er_(12)Fe_(2)In_(3)化合物磁性
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作者 陈湘 倪超 段宇静 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期1559-1567,共9页
本文以X射线粉末衍射谱、等温磁化曲线和等磁场变温曲线为基础,研究了Er-Fe-In三元系773 K等温截面相图与Er_(12)Fe_(2)In_(3)化合物的磁性。结果表明:该三元系中只有一个三元化合物Er_(12)Fe_(2)In_(3)存在,且二元化合物与三元化合物... 本文以X射线粉末衍射谱、等温磁化曲线和等磁场变温曲线为基础,研究了Er-Fe-In三元系773 K等温截面相图与Er_(12)Fe_(2)In_(3)化合物的磁性。结果表明:该三元系中只有一个三元化合物Er_(12)Fe_(2)In_(3)存在,且二元化合物与三元化合物均未观察到固溶现象。化合物的磁性研究表明,低场下Er_(12)Fe_(2)In_(3)合金分别在10 K出现了一个正常反铁磁-顺磁相变以及在36 K出现一个类似反铁磁-顺磁的磁相变。磁化过程中存在磁场诱导反铁磁-铁磁相变,在2 T以上磁场中该合金只在居里温度约12 K时存在铁磁-顺磁相变。在0~5 T磁场范围内,合金的最大等温磁熵变(-ΔSMax)为9.9 J/(kg·K),在等温磁熵变最大值半高宽ΔTcycl=38.0 K(5.7~43.7 K)范围内,其相对制冷能力为278.1 J/kg。 展开更多
关键词 Er-Fe-In相图 RE_(3×4)(T_(2))_(4-x)X_(x)相 变磁相变 磁热效应
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2219铝合金火箭贮箱过渡环复杂成形过程中Al_(2)Cu结晶相组织演变与力学性能研究 被引量:7
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作者 张昀 李晓谦 +1 位作者 李瑞卿 喻海良 《塑性工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期84-93,共10页
采用超声辅助铸造技术制备了尺寸为Φ1380 mm×3700 mm大规格2219铝合金铸锭,并通过多向热锻、马架扩孔、多道次变温环轧和形变热处理等工艺将铸锭制备成Φ5000 mm的火箭贮箱用过渡环。对铸锭和环形件的Al_(2)Cu组织与力学性能进行... 采用超声辅助铸造技术制备了尺寸为Φ1380 mm×3700 mm大规格2219铝合金铸锭,并通过多向热锻、马架扩孔、多道次变温环轧和形变热处理等工艺将铸锭制备成Φ5000 mm的火箭贮箱用过渡环。对铸锭和环形件的Al_(2)Cu组织与力学性能进行检测分析发现,靠近铸锭心部位置的共晶组织相互桥接形成网络状形貌,面积分数为8.25%;从铸锭心部到边部,共晶组织含量逐渐减少,连续性降低。粗大密集的Al_(2)Cu相经环件成形工艺后发生固溶和破碎,基体内Al_(2)Cu相含量明显减少。其中,靠近环件内径部位Al_(2)Cu相呈带状聚集,平均晶粒尺寸约5~12μm,面积分数约1.02%。密集的Al_(2)Cu相容易造成应力集中,导致微裂纹优先形核和扩展,因此靠近内径处的强度与伸长率偏低,但均满足设计要求。靠近外径处的Al_(2)Cu相分散,面积分数约0.49%,基体内析出大量均匀分布的针状θ’强化相,材料强度与伸长率满足设计要求。 展开更多
关键词 2219铝合金过渡环 成形制造 超声辅助铸造 Al_(2)Cu相 力学性能
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La_(2)CuO_(4)阴极薄膜的相转变及其对电化学性能的影响 被引量:1
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作者 纪全增 孟君玲 +3 位作者 王浩聪 安涛 刘孝娟 孟健 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第8期976-985,共10页
通过调控薄膜的沉积条件,探索La_(2)CuO_(4)的晶体结构对电化学性质的影响。采用脉冲激光沉积设备在YSZ(100)单晶基底上沉积一系列La_(2)CuO_(4)薄膜,通过调节沉积时的氧压,制备了不同晶体结构的La_(2)CuO_(4)薄膜。研究表明,沉积氧压... 通过调控薄膜的沉积条件,探索La_(2)CuO_(4)的晶体结构对电化学性质的影响。采用脉冲激光沉积设备在YSZ(100)单晶基底上沉积一系列La_(2)CuO_(4)薄膜,通过调节沉积时的氧压,制备了不同晶体结构的La_(2)CuO_(4)薄膜。研究表明,沉积氧压的变化使薄膜晶体结构发生相转变,从T′相→T*相→T相。T′相为沿着c轴择优生长的单晶四方相,且表现出较大的界面极化电阻,在850℃的Rp值为2.351Ω·cm^(2)。T*相为T′相和T相的混合相,在850℃的电阻值介于T′相和T相之间。T相为正交相,相对于其它相结构表现出较低的界面极化电阻,沉积氧压为26.60 Pa下制备的T相在850℃的电阻值为0.783Ω·cm^(2),比T′相的电阻值低近67%。并且,正交相表面有相对较高的氧空位浓度,有利于氧气的吸附和扩散,加速了阴极的氧还原反应。因此,具有正交对称性的La_(2)CuO_(4)的电化学性质优于其它对称性。这一结果也表明可以通过改变薄膜材料的晶体结构,降低界面极化电阻,提高阴极薄膜的电化学性能。 展开更多
关键词 La_(2)CuO_(4) 阴极薄膜 相转变 电化学性能
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