基于VO_(2)相变调控的Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结器件建模与仿真

利用COMSOL multiphysics软件对基于Ga_(2)O_(3)/VO_(2)的异质结光电器件进行了二维物理仿真。分析并报道了基于VO2相变调控的Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结光电器件的掺杂曲线、能级图、电场分布与电势分布等。探索了器件在光电探测器方面的应用,通过模拟器件在1 V偏压和10μW的光照条件下峰值响应率为0.068 A/W,抑制比(R250 nm/R450 nm)达到105量级。该模拟计算数据为进一步优化Ga_(2)O_(3)/VO_(2)光电二极管实验研究和应用有所裨益。

基于二氧化钒的可调双宽带太赫兹超材料吸收器

基于VO_(2)的相变特性提出一种具有双宽带特性的太赫兹超材料吸收器,包括对角放置的VO_(2)图案层、电介质层以及金反射层共3层结构。对吸收器的结构建模、吸收效果及吸收特性等进行了仿真分析,仿真结果表明,所设计吸收器吸收率大于90%的两个带宽分别为0.73 THz和0.6 THz。在通过热控制诱导VO_(2)从绝缘态到金属态的相变过程中,吸收率分别在31%~93.1%和30%~95.2%之间实现连续可调。另外,通过研究不同偏振角及入射角下所设计超材料吸收器的吸收性能发现,该吸收器具有偏振无关、偏振不敏感以及大入射角吸收特性。所设计吸收器有望在如太赫兹通信、成像和探测器等利用太赫兹波段领域得到广泛应用。