W掺杂VO_(2)(M)粉体研究进展

W掺杂M相VO_(2)(W-VO_(2)(M))发生热致半导体-金属相变的温度可低至室温,在智能窗领域应用潜力巨大。在“双碳”背景下,继续开展W-VO_(2)(M)合成及其在智能窗中的应用研究具有重要意义。从W单元素掺杂、含W共掺杂和核-壳结构含W掺杂3个方面系统梳理了W-VO_(2)(M)粉体的研究情况,分析了W、Ti共掺杂M相VO_(2)(W/Ti-VO_(2)(M))粉体研究的可行性。最后,提出W/Ti-VO_(2)(M)与SiO2复合形成核-壳结构(W/Ti-VO_(2)(M)@SiO2)粉体的研究思路。

Zr掺杂对纳米VO_(2)粉体结构及相变性质的影响

采用水热合成结合高温热处理制备了VO_(2)粉体,研究了Zr元素掺杂对VO_(2)结构及相变性质的影响。结果表明:掺杂Zr元素会对VO_(2)结构产生影响,Zr^(4+)可以占据V^(4+)晶格点阵位置,形成有限固溶体,从而增大VO_(2)的晶胞参数,不同浓度Zr掺杂试样,仍呈VO_(2)单斜相结构。由于掺杂导致的晶格变形,阻止了颗粒的聚集,因此Zr添加具有一定的细化晶粒作用。DSC曲线测试表明,Zr掺杂可以降低VO_(2)(M)的相变温度,掺杂浓度为6%(原子百分比,下同)时,相变温度可由未掺杂的69.9℃降到61.1℃,Zr掺杂试样相变前后的红外透射率变化也较大,达到30%以上。