VO_x/TiO_x/Ti多层薄膜的制备工艺与内耗研究

用磁控反应溅射法在玻璃和钼片衬底上制备VOx/TiOx/Ti多层薄膜。用X射线衍射(XRD)、QJ31单臂电桥、薄膜内耗仪等测试了薄膜的晶体结构、电阻、内耗。分别进行了薄膜的制备工艺与内耗研究。测试分析结果表明:试样的晶体结构、电阻-温度曲线、杨氏模量的突变均表明多层薄膜在66℃左右发生相变。样品的电阻温度系数为-4.35%/℃。并且真空退火有利于二氧化钒相生成。