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单向可控硅YCR008触发电流I_(GT)跳档的探讨
1
作者
耿凤美
《电子与封装》
2007年第11期9-12,共4页
可控硅是可控硅整流器的简称.它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三...
可控硅是可控硅整流器的简称.它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。触发电流IGT是可控硅的重要参数之一。可控硅根据触发电流IGT大小可分为很多档位,但实际根据触发电流IGT大小进行分档时,经常出现跳档现象.文章着重探讨单向可控硅YCR008触发电流IGT低档位(0.5-6)μA产品中有高档位(20-60)μA的产品跳档原因分析以及解决此问题的方案.
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关键词
IGT
vrgm
VFGM
漏电流
软击穿
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职称材料
可控硅YCR008触发电流IGT跳档的探讨
2
作者
耿凤美
《电子质量》
2007年第5期17-19,共3页
可控硅触发电流IGT经常出现跳档,本文着重分析可控硅YCR008跳档原因并提出解决方案。
关键词
IGT
vrgm
VFGM
漏电流
软击穿
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职称材料
题名
单向可控硅YCR008触发电流I_(GT)跳档的探讨
1
作者
耿凤美
机构
江苏长电科技股份有限公司
出处
《电子与封装》
2007年第11期9-12,共4页
文摘
可控硅是可控硅整流器的简称.它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。触发电流IGT是可控硅的重要参数之一。可控硅根据触发电流IGT大小可分为很多档位,但实际根据触发电流IGT大小进行分档时,经常出现跳档现象.文章着重探讨单向可控硅YCR008触发电流IGT低档位(0.5-6)μA产品中有高档位(20-60)μA的产品跳档原因分析以及解决此问题的方案.
关键词
IGT
vrgm
VFGM
漏电流
软击穿
Keywords
IGT
vrgm
VFGM
leakage
knee curve
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
可控硅YCR008触发电流IGT跳档的探讨
2
作者
耿凤美
机构
江苏长电科技股份有限公司
出处
《电子质量》
2007年第5期17-19,共3页
文摘
可控硅触发电流IGT经常出现跳档,本文着重分析可控硅YCR008跳档原因并提出解决方案。
关键词
IGT
vrgm
VFGM
漏电流
软击穿
Keywords
IGT
vrgm
VFGM
leakage current
Soft breakdown
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
单向可控硅YCR008触发电流I_(GT)跳档的探讨
耿凤美
《电子与封装》
2007
0
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职称材料
2
可控硅YCR008触发电流IGT跳档的探讨
耿凤美
《电子质量》
2007
0
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职称材料
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