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单向可控硅YCR008触发电流I_(GT)跳档的探讨
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作者 耿凤美 《电子与封装》 2007年第11期9-12,共4页
可控硅是可控硅整流器的简称.它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三... 可控硅是可控硅整流器的简称.它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。触发电流IGT是可控硅的重要参数之一。可控硅根据触发电流IGT大小可分为很多档位,但实际根据触发电流IGT大小进行分档时,经常出现跳档现象.文章着重探讨单向可控硅YCR008触发电流IGT低档位(0.5-6)μA产品中有高档位(20-60)μA的产品跳档原因分析以及解决此问题的方案. 展开更多
关键词 IGT vrgm VFGM 漏电流 软击穿
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可控硅YCR008触发电流IGT跳档的探讨
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作者 耿凤美 《电子质量》 2007年第5期17-19,共3页
可控硅触发电流IGT经常出现跳档,本文着重分析可控硅YCR008跳档原因并提出解决方案。
关键词 IGT vrgm VFGM 漏电流 软击穿
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