多节状SiC晶须的VS生长机理及晶体缺陷分析

本文以稻壳为原料，对非金属催化剂合成的多节状ＳｉＣ晶须（简称ＳｉＣｗ）进行了研究，运用ＴＥＭ、ＸＲＤ等分析检测技术，对ＳｉＣｗ的形貌及显微结构进行了分析。研究表明：ＳｉＣｗ产品以直晶为主，表面粗糙，呈多节状；晶须以βＳｉＣ为主要晶型，少量αＳｉＣ以孪晶、位错、层错等晶体缺陷形式存在。此外，机理研究表明。

不同形貌氮化硅纳米结构的制备与表征(英文)

分别通过VLS和VS生长机制得到了Si3N4纳米线和纳米带。产物经X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）等表征手段进行了分析。FTIR图谱表明它们在800 -1100cm^-1的波数范围内有一个宽的吸收带,这是Si-N键伸缩振动模式的典型吸收带。它们的室温光致发光图谱显示,在420nm左右都有一很强的发射带,表明其将在纳米光电器件中有潜在应用。另外,Si3N4纳米线发光峰与纳米带的发光相比有少许蓝移（蓝移约4nm）,这可能和晶须尺寸的少许差别有关。至于纳米带的发光强度大于纳米线的原因,可能是纳米带的比表面积相对较大,有利于悬键的形成,从而导致材料结构内缺陷的浓度较大。