V_T 辐照模式 pMOS 剂量计的标定

对辐照偏置为阈值ＶＴ的ｐＭＯＳ剂量计进行了６０Ｃｏγ射线和６ＭｅＶ电子束的辐照标定，结果表明，在不低于１０２Ｇｙ（Ｓｉ）的剂量范围内，这种变化的负栅偏电压下工作的ｐＭＯＳ剂量计呈现出线性响应，其适用于空间环境的响应灵敏度为２０ｍＶ／Ｇｙ（Ｓｉ）。同时发现，对６０Ｃｏγ射线的响应灵敏度为对６ＭｅＶ电子束的１．３倍左右。对实验结果进行了分析，认为ｐＭＯＳ剂量计的响应灵敏度与粒子辐射的种类具有一定的依赖性，提出了剂量计对混合辐射场的标定方法。