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一种提高SONOS Flash产品VTP/VTE窗口的方法
1
作者
杨继业
姚毅
《集成电路应用》
2017年第3期44-49,共6页
在闪存(Flash)中一般都包括一个浮栅电极来存储电荷,现有技术中一般采用氧化物-氮化物-氧化物(简称ONO)结构来作为浮栅电极,制备ONO层的工艺是Flash制造中的关键工艺之一。这是一种通过改善ONO膜层质量而提升SONOS Flash产品VTP/VTE工...
在闪存(Flash)中一般都包括一个浮栅电极来存储电荷,现有技术中一般采用氧化物-氮化物-氧化物(简称ONO)结构来作为浮栅电极,制备ONO层的工艺是Flash制造中的关键工艺之一。这是一种通过改善ONO膜层质量而提升SONOS Flash产品VTP/VTE工艺窗口的方法。VTP/VTE窗口是Flash产品最为关键的特性之一,而SONOS Flash产品的VTP/VTE稳定性及窗口大小则取决于ONO膜层的质量。实验数据显示SONOS Flash的VTP/VTE窗口与ONO膜层中的SiON膜的氮/氧含量强相关,通过改善ONO设备结构进而得到氮/氧含量分布更均匀的SiON膜的方法,改善了产品VTP/VTE的窗口。
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关键词
SONOS
FLASH
ONO
vtp&vte
SION
RI
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职称材料
题名
一种提高SONOS Flash产品VTP/VTE窗口的方法
1
作者
杨继业
姚毅
机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司
出处
《集成电路应用》
2017年第3期44-49,共6页
文摘
在闪存(Flash)中一般都包括一个浮栅电极来存储电荷,现有技术中一般采用氧化物-氮化物-氧化物(简称ONO)结构来作为浮栅电极,制备ONO层的工艺是Flash制造中的关键工艺之一。这是一种通过改善ONO膜层质量而提升SONOS Flash产品VTP/VTE工艺窗口的方法。VTP/VTE窗口是Flash产品最为关键的特性之一,而SONOS Flash产品的VTP/VTE稳定性及窗口大小则取决于ONO膜层的质量。实验数据显示SONOS Flash的VTP/VTE窗口与ONO膜层中的SiON膜的氮/氧含量强相关,通过改善ONO设备结构进而得到氮/氧含量分布更均匀的SiON膜的方法,改善了产品VTP/VTE的窗口。
关键词
SONOS
FLASH
ONO
vtp&vte
SION
RI
Keywords
SONOS Flash, ONO,
vtp
&
vte
, SiON RI
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种提高SONOS Flash产品VTP/VTE窗口的方法
杨继业
姚毅
《集成电路应用》
2017
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