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析出V_4C_3在马氏体相变中的遗传 被引量:1
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作者 谢长生 孙培祯 +1 位作者 赵建生 孙德胜 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第5期A330-A336,共7页
本文利用电子衍射和矩阵分析方法探讨了析出V_4C_3在马氏体相变中的遗传现象。结果表明,奥氏体、马氏体和V_4C_3三相间的晶体学取向关系为: (010)_A∥(110)_M∥(010)_(V_4C_3) [101]_A∥[111]_M∥[101]_(V_4C_3)V_4C_3首先在奥氏体中析... 本文利用电子衍射和矩阵分析方法探讨了析出V_4C_3在马氏体相变中的遗传现象。结果表明,奥氏体、马氏体和V_4C_3三相间的晶体学取向关系为: (010)_A∥(110)_M∥(010)_(V_4C_3) [101]_A∥[111]_M∥[101]_(V_4C_3)V_4C_3首先在奥氏体中析出,遗传至马氏体中后,虽能与马氏体保持一定的取向关系,但界面结构理论分析指出,两相间的界面结合能高于Baker-Nutting关系所规定的结合能,因而是一五稳态。由于V_4C_3沿奥氏体的晶体缺陷析出,故这些缺陷将遗传至马氏体中。 展开更多
关键词 马氏体 相变 V4C3 析出 遗传
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INHERITANCE OF PRECIPITATED V_4C_3 IN MARTENSITIC TRANSFORMATION
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作者 XIE Changsheng SUN Peizhen ZHAO Jiansheng SUN Desheng Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 1992年第2期82-88,共7页
The inheritance phenomenon of precipitated V_4C_3 in martensitic transformation has been in- vestigated by means of electron diffraction and matrix analysis.A crystallographic orientation relation among austenite,mart... The inheritance phenomenon of precipitated V_4C_3 in martensitic transformation has been in- vestigated by means of electron diffraction and matrix analysis.A crystallographic orientation relation among austenite,martensite and V_4C_3 carbide was found to be. (010)_A∥( 10)_M∥(010)_(v_4c_3), [10 ]∥[11 ]_M [10 ]_(v_4c_3) The V_4C_3 first precipitated in austenite,and then was inherited to martensite.Although cer- tain orientation relation was kept between V_4C_3 and martensite,the interfacial structural ana- lysis pointed out that the biphase interfacial energy is higher than that determined by Baker-Nutting relation,thus it is metastable.Because the V_4C_3 precipitated along the crystalline defects in austenite,they could be inherited to martensite. 展开更多
关键词 v_4c_3 TRANSFORMATION INHERITANCE ORIENTATION
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V_4C_3质点与形变孪晶的交互作用
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作者 谢长生 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期A461-A463,共3页
本文利用V_4C_3与γ相双衍射所形成的Moire图,分析了析出V_4C_3质点与基体γ相的界面关系,探讨了V_4C_3对形变孪晶发展的阻止作用。结果表明,V_4C_3与γ相存在半共格关系,在外力作用下,孪晶位错可以进入相界面并转变为界面位错;孪晶位... 本文利用V_4C_3与γ相双衍射所形成的Moire图,分析了析出V_4C_3质点与基体γ相的界面关系,探讨了V_4C_3对形变孪晶发展的阻止作用。结果表明,V_4C_3与γ相存在半共格关系,在外力作用下,孪晶位错可以进入相界面并转变为界面位错;孪晶位错以绕过或交滑移的方式继续运动。 展开更多
关键词 交互作用 V4C3质点 形变 孪晶
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INTERACTION BETWEEN V_4C_3 PARTICLES AND DEFORMATION TWINS
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作者 XIE Changsheng Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 1991年第3期214-217,共4页
By using Moire′ pattern formed by the double diffraction of precipitated V_4C_3 and matrix of γ-phase,the nature of the structure of the interface between precipitated V_4C_3 and matrix as well as the retarding effe... By using Moire′ pattern formed by the double diffraction of precipitated V_4C_3 and matrix of γ-phase,the nature of the structure of the interface between precipitated V_4C_3 and matrix as well as the retarding effect of V4C3 particles on the development of deformation twins have been investigated.It is shown that partially coherent interfaces exist between V_4C_3 and ma- trix.Twinning dislocations may transform into interfacial dislocations under external stress, and may move continuously through bypassing or cross-sliping. 展开更多
关键词 v_4c_3 deformation twin Moire' pattern
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钒微合金钢中α-Fe/V_(4)C_(3)界面结构与稳定性的第一性原理计算 被引量:1
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作者 唐帅 刘佳敏 +4 位作者 李林鲜 温希平 彭庆 刘振宇 王国栋 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期172-177,共6页
为了探讨α-Fe/V_(4)C_(3)的界面稳定性,利用第一性原理平面波赝势方法优化(100)_(α-Fe)/(100)_(V_(4)C_(3))三种不同原子堆积序列(Fe-on-C,Fe-on-V和Bridge)的界面构型。通过界面分离功分析α-Fe/V_(4)C_(3)界面的结构稳定性,计算三... 为了探讨α-Fe/V_(4)C_(3)的界面稳定性,利用第一性原理平面波赝势方法优化(100)_(α-Fe)/(100)_(V_(4)C_(3))三种不同原子堆积序列(Fe-on-C,Fe-on-V和Bridge)的界面构型。通过界面分离功分析α-Fe/V_(4)C_(3)界面的结构稳定性,计算三种构型的界面分离功分别为4.29,1.43,2.70 eV,分离功越大表明界面稳定性越强,在α-Fe中析出的V_(4)C_(3)主要以Fe-on-C构型存在,其界面稳定性最强。通过态密度,差分电荷密度和电子局域化函数研究α-Fe/V_(4)C_(3)的电子结构性质。结果表明:在Fe-on-C构型中,界面处Fe原子存在电荷贫化区,丢失的电荷转移到界面处,由于C原子具有强电负性,在界面处形成较强的混合离子/共价键,并且Fe和C原子的键合作用明显强于Fe和V原子。通过总态密度和分波态密度发现,Fe-d轨道与C-p轨道在-4.5~-2.5 eV的区域内发生电子轨道杂化,形成Fe—C共价键。 展开更多
关键词 高强度低合金钢 α-Fe/V_(4)C_(3)界面 界面分离功 电子结构
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