利用VensiL/SBH法回收贵金属

1.关于Vensil Vensil是含NaBH12%,NaOH40%,其余为水的液态物,是一种将水溶液中金属离子转换为金属颗粒的强还原剂,广泛用于贵金属的回收。

全局调控子MtrA_(sbh)影响米尔贝霉素生物合成的研究

MtrA是链霉菌中保守存在的全局性应答调控蛋白。为探究冰城链霉菌中MtrA同源蛋白MtrA_(sbh)在生物农药米尔贝霉素产生中的作用,本文通过基因敲除、回补和过表达确定了MtrA_(sbh)对米尔贝霉素产生的影响;通过转录分析和凝胶阻滞初步探究了MtrA_(sbh)影响米尔贝霉素产生的机制;通过转录分析检测了MtrA_(sbh)对基因组中其他天然产物生物合成基因表达的影响。结果表明MtrA_(sbh)为米尔贝霉素产生的关键激活子,其失活导致米尔贝霉素彻底不产生,而过表达则显著提高米尔贝霉素的产量。MtrA_(sbh)通过影响米尔贝霉素基因簇和前体合成相关基因的表达来调控米尔贝霉素的产生。此外,MtrAsbh作为激活子或抑制子差异化影响了冰城链霉菌基因组中众多天然产物生物合成基因的表达。

InGaAsP SBH激光器光束质量的非傍轴分析(英文)

计算了InGaAsPSBH激光器的TE0 0 模 ,并利用非傍轴矢量矩理论 ,分析了平行于 p -n结方向上的光学质量因子M 2y 在以往有关M 2 的计算中 ,往往忽略了包层中光场的贡献 ,因此得出M 2 小于 1的结论 当半导体激光器的激活层的尺寸远小于发射波长时 ,大部分光场将渗透到包层中 ,因此 ,包层的光场是不能忽略的 考虑到激活层和包层中的光场对M 2 的影响 ,给出了非傍轴半导体激光M 2 的精确表达式 结果表明 ,My大于

用SBH降低山梨醇残糖

为了提高产品质量 ,扩大山梨醇的用途 ,使用 SBH处理粗液体山梨醇 ,可以降低其残糖和总糖含量 ;SBH使用方法简单 。

用SBH(NaBH_4)回收贵金属

1.SBH（NaBH4） 硼氢化钠简称SBH。分子式是NaBH4。此为水溶液中金属离子转变成金属粒子的强还原剂。商品SBH有98％NaBH4的粉末产品及其成形的锭剂（用于原子吸收光谱分析As、Se）,以及NaBH4 12％、NaOH 40％、水溶液状产品（商品名—本西尔VenSil,美国Morton—Thiokol Inc.Ventron Dir.的登记商标）。在通常的贵金属回收中广泛使用易操作、价廉的VenSil。

用SBH降低山梨醇残糖技术

为了提高产品质量，扩大山梨醇的用途，使用SBH处理粗液体山梨醇，可以降低其残糖和总糖含量。SBH使用方法简单，操作方便。

希望森兰SBH系列高压变频器在独山自来水厂中的应用

随着人口的增长和经济的发展,独山县＂十二五＂规划期间第一大民生工程——独山自来水厂在原有基础上新建了近期5万t日供水工程,远期规划扩建10万t日供水。为独山县的广大市民提供充足的自来水。由于独山县地处云贵高原,全境地处贵州高原向广西丘陵过渡的箱状背斜,形成较周边地区高出310~490m的突出平台地,最低海拔500m,最高海拔为1465m,平均海拔850~1100m之间。

希望森兰SBH系列高压变频器在新铝电厂350MW机组一次风机上的应用

新疆东方希望有色金属有限公司（以下简称＂新疆希铝＂）是中国大型民营企业东方希望集团旗下的全资子公司,是东方希望在新疆的重要重工支柱产业。该厂于2010年12月30日,在新疆昌吉州吉木萨尔县五彩湾工业园成立,为大型现代化铝电一体化工厂,是目前国内循环经济的典范。工程建成后做到零排放、零污染,将成为中国乃至世界最大的铝电一体化企业,给地区经济发展带来极大的推动作用。

希望森兰第三代SBH系列高压变频器

由成都市科学技术协会、成都市科学技术局主办．成都科学技术服务中心、成都自动化研究会、成都市生产力促进中心承办的“2012年成都市科学技术年会科技创新成果展示推介及投融资对接洽谈会”于2012年9月6日在成都市科技会堂隆重举行。

基于激光雷达分析一次重霾过程混合层高度

为深化对冬季重霾天气大气混合层高度的认识,利用Mie散射激光雷达观测了成都市2014年1月23日至2月4日一次典型重霾天气过程。基于Mie散射激光雷达探测获取的后向散射系数,使用SBH99算法计算了该过程的混合层高度,并系统分析其演变特征及其与气象因子的关系,研究结果表明:将激光雷达探测的混合层高度与探空曲线表征出的混合层高度进行对比分析,结果显示两者具有较好的一致性,相关系数为0.893 4;此次重霾过程中,混合层高度平均值较低,约378 m;霾天气发生后,混合层高度显著下降,并且混合层高度的最大值与最小值之间差距缩小,日变化波动不明显;混合层高度的发展与空气温度的变化趋势呈正相关关系,与相对湿度呈负相关关系。

生物芯片的原理和制作方法

生物芯片是用微加工技术(光刻、光化学合成、激光立体化学刻蚀等)并结合分子生物学技术制成的具有一定分子生物学分析检测功能的微型器件.它可用于完成生物样品的分离、制备、生化反应及产物的检测等一系列过程.本文综述了生物芯片概念的形成,生物芯片的特点、功能和分类,以及毛细管电泳型和探针列型两类生物芯片的几种制作方法.

选择性脑低温疗法的研究进展

选择性脑低温具有起效快,脑温控制方便和并发症少等优点,而逐步得到学者的重视。本文从选择性脑低温的发展过程、实验研究、临床应用,及其研究方向等几个方面对其相关的研究进展进行了综述。

一种新型超宽带低频小电尺寸天线的研究

本文研究了一种渐变微带缝隙天线和TEM喇叭的混合天线,分析了这种天线的详细结构和设计方法。该混和天线在100MHz到3200MHz的频率范围内驻波比小于1.8,带宽达到32∶1。该天线在低频端小于0.12波长是一种点小尺寸天线,尺寸小,质量轻。在全频段内E面H面方向图等化,主瓣无分叉而且非常平滑。另外该混合天线还具有很的低交叉极化和稳定的相位中心。是一种性能优良的超宽带天线,可以应用于紧缩场测试,电磁兼容测试,通信,电子对抗等需要高性能超宽带天线的领域。

微细镍粉的研制

以工业硫酸镍为原料 ,采用水合肼还原工艺成功制取了 0 8～ 2 μm的鳞片状镍粉。研究了温度、浓度、还原剂配比、pH等因子对镍还原率和粒度影响 ,确定了最佳条件 ,对镍粉形貌粒径成份进行了详细检测。

基于并行ACO算法的DNA杂交测序

针对求解DNA杂交测序(SBH)问题的相关算法存在解的精度不高及收敛速度慢等问题,建立SBH问题的数学模型,从中抽取启发式信息,提出一种改进的并行蚁群优化算法(IPACO),并将其应用到DNA杂交测序问题中。仿真实验结果表明,该算法解的精度和收敛速度均优于普通串行蚁群算法、禁忌搜索算法和进化算法。

退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触特性的影响

采用电子束蒸发法在4H-SiC表面制备了Ti/Au肖特基电极,研究了退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触电学特性的影响。对比分析了不同退火温度下样品的电流密度-电压(J-V)和电容-电压(C-V)特性曲线,实验结果表明退火温度为500℃时Au/Ti/4H-SiC肖特基势垒高度最大,在J-V测试和C-V测试中分别达到0.933 e V和1.447 e V,且获得理想因子最小值为1.053,反向泄漏电流密度也实现了最小值1.97×10^(-8)A/cm^2,击穿电压达到最大值660 V。对退火温度为500℃的Au/Ti/4H-SiC样品进行J-V变温测试。测试结果表明,随着测试温度的升高,肖特基势垒高度不断升高而理想因子不断减小,说明肖特基接触界面仍然存在缺陷或者横向不均匀性,高温下的测试进一步证明肖特基接触界面还有很大的改善空间。

DNA芯片技术

DNA芯片可用于核酸序列的测定及基因突变检测等。这里对DNA芯片的制作、作用原理。

海蓝组织细胞增生症一例及细胞分型

海蓝组织细胞增生症一例及细胞分型卢汉波龚五星陈孟君⒇（第二附属医院血液科长沙４１００１１）曾庆善彭隆祥谭爱玲（电镜室长沙４１００７８）关键词Ｈｅｌａ细胞；海蓝组织细胞增生症＊；细胞分型；病例报告中图号Ｒ３２９．２４海蓝组织细胞增生症（Ｓｅａｂｌｕｅｈ...

杂质分凝技术对肖特基势垒高度的调制

为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用硅化诱发杂质分凝技术(SIDS)调节NiSi/n-Si肖特基二极管(NiSi/n-Si SJD)的肖特基势垒高度,系统地研究了SIDS工艺条件如杂质注入剂量、注入能量和硅化物形成工艺对肖特基势垒高度调节的影响。实验结果表明,适当增加BF2杂质的注入剂量或能量均能显著提高有效电子势垒高度(φBn,eff),也即降低了有效空穴势垒高度(φBp,eff),从而减小反向偏置漏电流。同时,与传统的一步退火工艺相比,采用两步退火工艺形成NiSi也有利于提高有效电子势垒高度,减小反向漏电流。最后,提出了一种优化的调制肖特基势垒高度的SIDS工艺条件。

Se超薄层钝化Si(100)表面与金属Al、Pt的接触特性

采用超高真空气相沉积系统外延硒(Se)超薄层钝化Si(100)表面,研究其与金属铝(Al)、铂(Pt)的接触特性。对于Al与Se钝化后的Si接触样品,其肖特基势垒高度(SBH)值为0.2 e V,相比于HF处理的样品,SBH降低了一半;随着退火温度从200℃升至500℃,SBH值逐渐升高至HF处理的样品的SBH值。而对Pt与Se钝化的Si接触样品,未退火时电流电压特性基本与HF处理的样品一致,然而快速热退火后,Se钝化的样品基本保持不变,而HF处理的样品反向偏置电流迅速增大。通过拟合金半接触SBH与金属功函数的关系,得到线性关系的斜率为S=0.41,说明硒超薄层可以降低Si(100)表面与金属接触费米钉扎效应。