垂直腔体表面光发射器件的模拟与实践

设计了一种新型的垂直腔体表面光发射器件,并模拟了布拉格反射镜的反射谱以及薄膜厚度误差对镜反射谱的影响。模拟结果从理论上证实了PECVD方法能够满足制备垂直腔体表面光发射器件所要求的工艺条件,实验中用PECVD工艺制备出了性能良好的器件。

硅基垂直腔面光发射器件的设计与实现

提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构。它采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为布拉格反射器(DBR),以夹在上下两个布拉格反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层。通过设计与模拟,分析了DBR中薄膜生长顺序与层数对器件性能的影响。根据设计制作了光致红光发射器件并测量分析了它的光致发光谱。

硅基垂直腔面光发射器件的研制

为了实现与现有集成电路工艺兼容的全硅基发光器件,提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构。它采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅(或非晶氮化硅)/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为分布式Bragg反射器(DBR),以夹在上下两个Bragg反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层。通过设计与模拟,分析了DBR中薄膜生长顺序与层数对器件性能的影响。最后研制出光致红光发射器件和电致蓝绿光发射器件,并给出了它们的光致和电致发光谱。结果显示了在光致和电致激发下非晶碳化硅的发光和DBR对光谱的限制增强作用。