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An Accurate 1.08GHz CMOS LC Voltage-Controlled Oscillator 被引量:1
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作者 唐长文 何捷 +1 位作者 菅洪彦 闵昊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期867-872,共6页
An accurate 1.08GHz CMOS LC voltage-controlled oscillator is implemented in a 0.35μm standard 2P4M CMOS process.A new convenient method of calculating oscillator period is presented.With this period calculation tech... An accurate 1.08GHz CMOS LC voltage-controlled oscillator is implemented in a 0.35μm standard 2P4M CMOS process.A new convenient method of calculating oscillator period is presented.With this period calculation technique,the frequency tuning curves agree well with the experiment.At a 3.3V supply,the LC-VCO measures a phase noise of -82.2dBc/Hz at a 10kHz frequency offset while dissipating 3.1mA current.The chip size is 0.86mm×0.82mm. 展开更多
关键词 MOS varactor LC tank voltage-controlled oscillator oscillator tuning curve
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A 10GHz LC Voltage-Controlled Oscillator in 0.25μm CMOS
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作者 王欢 王志功 +2 位作者 冯军 章丽 李伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期484-489,共6页
A monolithic 10GHz LC voltage-controlled oscillator (VCO) is implemented in standard 0.25μm CMOS technology. The VCO adopts an optimized symmetric circular inductor with center-tap, an accumulation-mode MOS (A-MOS... A monolithic 10GHz LC voltage-controlled oscillator (VCO) is implemented in standard 0.25μm CMOS technology. The VCO adopts an optimized symmetric circular inductor with center-tap, an accumulation-mode MOS (A-MOS) varactor in series with a passive metal-isolator-metal capacitor (MIM-CAP) and a tail current source with an LC filter to operate with high-frequency and low-noise resulting in - 103.2dBc/Hz at 1MHz offset from carrier frequency of 10.2GHz and approximately 11.5% tuning range. With a 3.3V supply voltage, the core circuit consumes 9.9mW. The chip area is 0.67mm × 0.58mm. 展开更多
关键词 vco LC oscillator CMOS technology
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Noise-Induced Transition in a Voltage-Controlled Oscillator Neuron Model
3
作者 XIE Hui-Zhang LIU Xue-Mei +2 位作者 AI Bao-Quan LIU Liang-Gang LI Zhi-Bing 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2008年第7期257-260,共4页
In the presence of Gaussian white noise,we study the properties of voltage-controlled oscillator neuronmodel and discuss the effects of the additive and multiplicative noise.It is found that the additive noise can acc... In the presence of Gaussian white noise,we study the properties of voltage-controlled oscillator neuronmodel and discuss the effects of the additive and multiplicative noise.It is found that the additive noise can accelerate andcounterwork the firing of neuron,which depends on the value of central frequency of neuron itself,while multiplicativenoise can induce the continuous change or mutation of membrane potential. 展开更多
关键词 Gaussian white noise TRANSITION voltage-controlled oscillator neuron model
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基于变压器磁调谐的双模W波段VCO
4
作者 朱承同 徐雷钧 +1 位作者 谢月娥 陈元平 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期164-170,共7页
提出了一种基于变压器的用于无变容管W波段压控振荡器(VCO)的磁调谐技术。通过控制变压器磁调谐线圈所连接MOS管的开关状态,引入了四个重叠的频率子带。所提出的可切换的六线圈变压器采用40 nm CMOS工艺的顶层厚金属设计,实现了较高的... 提出了一种基于变压器的用于无变容管W波段压控振荡器(VCO)的磁调谐技术。通过控制变压器磁调谐线圈所连接MOS管的开关状态,引入了四个重叠的频率子带。所提出的可切换的六线圈变压器采用40 nm CMOS工艺的顶层厚金属设计,实现了较高的输出频率稳定性和谐振腔品质因数。所采用的技术在对相位噪声的不利影响最小的情况下扩展了调谐范围,实现了无变容管W波段VCO的宽调谐范围和低功耗。所设计的双模W波段VCO输出频率为84.2~107.5 GHz,频率调谐范围大于24%,在1 V电源电压下功耗仅6.1 mW,在10 MHz偏移处的相位噪声为-107.203~-97.875 dBc/Hz。 展开更多
关键词 变压器 磁调谐 无变容管 W波段 压控振荡器(vco)
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Dual-Delay-Path Ring Oscillator with Self-Biased Delay Cells for Clock Generation
5
作者 Agord de Matos Pinto Jr Raphael Ronald Noal Souza +2 位作者 Mateus Biancarde Castro Eduardo Rodrigues de Lima Leandro Tiago Manêra 《Circuits and Systems》 2023年第6期19-28,共10页
This work summarizes the structure and operating features of a high-performance 3-stage dual-delay-path (DDP) voltage-controlled ring oscillator (VCRO) with self-biased delay cells for Phase-Locked Loop (PLL) structur... This work summarizes the structure and operating features of a high-performance 3-stage dual-delay-path (DDP) voltage-controlled ring oscillator (VCRO) with self-biased delay cells for Phase-Locked Loop (PLL) structurebased clock generation and digital system driving. For a voltage supply V<sub>DD</sub> = 1.8 V, the resulting set of performance parameters include power consumption P<sub><sub></sub>DC</sub> = 4.68 mW and phase noise PN@1MHz = -107.8 dBc/Hz. From the trade-off involving P<sub>DC</sub> and PN, a system level high performance is obtained considering a reference figure-of-merit ( FoM = -224 dBc/Hz ). Implemented at schematic level by applying CMOS-based technology (UMC L180), the proposed VCRO was designed at Cadence environment and optimized at MunEDA WiCkeD tool. 展开更多
关键词 Phase Locked Loop (PLL) voltage-controlled Ring oscillators (VCRO) Dual-Delay-Path DDP Delay Cells
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Design of 1GHz Local Oscillator with DLL -Based Frequency Multiplier Technique
6
作者 李金城 仇玉林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期967-970,共4页
A new method of synthesizing 1GHz based on a 0 5μm CMOS D LL is proposed,which can synthesize frequency with simple logic and amplifiers.T he designed frequency synthesizer consists of a DLL (Delay-Locked Loop) and... A new method of synthesizing 1GHz based on a 0 5μm CMOS D LL is proposed,which can synthesize frequency with simple logic and amplifiers.T he designed frequency synthesizer consists of a DLL (Delay-Locked Loop) and a b uilding block of synthesizing logic.The reference frequency input into this freq uency synthesizer is 25MHz and the synthesized frequency is 1GHz. 展开更多
关键词 DLL PLL frequency synthesizer VCDL vco transce iver local oscillator
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The Jitter Performance Comparison Between DLL and PLL-Based RF CMOS Oscillators
7
作者 李金城 仇玉林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1246-1249,共4页
By jitter performance comparison between PLL (Phase Locked Loop) and DLL (Delay Locked Loop),a helpful equation is derived for the structure choice between DLL and PLL based synthesizers fabricated in CMOS processes ... By jitter performance comparison between PLL (Phase Locked Loop) and DLL (Delay Locked Loop),a helpful equation is derived for the structure choice between DLL and PLL based synthesizers fabricated in CMOS processes to get an optimum jitter performance and power consumption.For a frequency synthesizer,a large multiple factor prefers PLL based configuration which consumes less power,while a small one needs DLL based topology which produces a better jitter performance. 展开更多
关键词 JITTER PLL DLL frequency synthesizer RF CMOS transceiver Local oscillator(LO) Voltage Controlled Delay Line(VCDL) vco
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Efficiency and stability enhancement of a virtual cathode oscillator
8
作者 樊玉伟 李志强 +1 位作者 舒挺 刘静 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第7期541-544,共4页
A virtual cathode oscillator (VCO) with a resonant cavity is presented and investigated numerically and theoretically, and its efficiency and stability are enhanced. An equivalent circuit method is introduced to ana... A virtual cathode oscillator (VCO) with a resonant cavity is presented and investigated numerically and theoretically, and its efficiency and stability are enhanced. An equivalent circuit method is introduced to analyze the resonant cavity com- posed of anode foil and feedback annulus, and a theoretical expression for the fundamental mode frequency of the resonant cavity is given. The VCO is investigated in detail with a particle-in-cell method. We obtain the microwave frequencies from simulation, theoretical expression, and relative references, and draw three important conclusions. First, the microwave fre- quency is a constant when the diode voltage is changed from 588 kV to 717 kV. Second, the fluctuation of the microwave frequency is very small when the AK gap is changed from 1.2 cm to 1.6 cm. Third, the microwave frequency agrees with the theoretical result. The relative error, which is calculated according to the theoretical and simulation frequencies, is only 1.7%. 展开更多
关键词 virtual cathode oscillator (vco equivalent circuit method particle-in-cell method
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基于负阻MMIC的新型VCO研制 被引量:9
9
作者 郭文胜 陈君涛 邓海丽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期909-912,933,共5页
提出了一种基于负阻单片微波集成电路的新型压控振荡器(VCO)的设计方法,即负阻电路采用GaAs HBT工艺设计流片,调谐选频电路采用薄膜混合集成工艺制作。利用微封装技术将二者结合构成完整的VCO。这种新型VCO既具有单片微波集成电路的小... 提出了一种基于负阻单片微波集成电路的新型压控振荡器(VCO)的设计方法,即负阻电路采用GaAs HBT工艺设计流片,调谐选频电路采用薄膜混合集成工艺制作。利用微封装技术将二者结合构成完整的VCO。这种新型VCO既具有单片微波集成电路的小型化、低成本的优势,又保持了薄膜混合集成电路可灵活调试的特性。通过设计流片数款在不同频段的负阻单片微波集成电路,可完成频率1~18 GHz、小型化、系列化VCO的研制。X波段宽带VCO的实测结果显示,当电调电压在2~13 V变化时输出频率覆盖8~12.5 GHz,调谐线性度为2∶1,电调电压5 V时相位噪声为-96 dBc/Hz@100 kHz。 展开更多
关键词 负阻单片微波集成电路(MMIC) 压控振荡器 砷化镓异质结三极管 相位噪声 小型化
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Wideband CMOS LC VCO design and phase noise analysis 被引量:1
10
作者 郭雪锋 王志功 +1 位作者 李智群 唐路 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2008年第4期433-436,共4页
A wideband LC cross-coupled voltage controlled oscillator(VCO) is designed and realized with standard 0. 18 μm complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) technology. Band switching capacitors are adopted to ex... A wideband LC cross-coupled voltage controlled oscillator(VCO) is designed and realized with standard 0. 18 μm complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) technology. Band switching capacitors are adopted to extend the frequency tuning range, and the phase noise is optimized in the design procedure. The functional relationships between the phase noise and the transistors' width-length ratios are deduced by a linear time variant (LTV) model. The theoretical optimized parameter value ranges are determined. To simplify the calculation, the working region is split into several sub-ranges according to transistor working conditions. Thus, a lot of integrations are avoided, and the phase noise function upon the design variables can be expressed as simple proportion formats. Test results show that the DC current is 8.8 mA under a voltage supply of 1.8 V; the frequency range is 1.17 to 1.90 GHz, and the phase noise reaches - 83 dBc/Hz at a 10 kHz offset from the carrier. The chip size is 1. 2 mm × 0. 9 mm. 展开更多
关键词 voltage controlled oscillator(vco) WIDEBAND phase noise
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一种低功耗宽频率调谐范围的伪差分环形VCO 被引量:4
11
作者 卓汇涵 张万荣 +1 位作者 靳佳伟 周永旺 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期343-347,共5页
设计了一种低功耗、宽频率调谐范围的伪差分环形压控振荡器(VCO)。电路设计分为振荡环路设计和电流源设计两部分。在振荡器的振荡环路部分,提出了一种新颖的降低功耗的方法,即通过动态地调节接入振荡环路的锁存器,减小驱动电流,降低功... 设计了一种低功耗、宽频率调谐范围的伪差分环形压控振荡器(VCO)。电路设计分为振荡环路设计和电流源设计两部分。在振荡器的振荡环路部分,提出了一种新颖的降低功耗的方法,即通过动态地调节接入振荡环路的锁存器,减小驱动电流,降低功耗;在振荡器的控制电源部分,采用gain-boost结构,设计了一款理想的可控双电流源,实现了振荡器的宽频率调谐范围。基于SMIC 65 nm工艺,在1.8 V工作电压下,对振荡器进行了后仿验证。结果表明,在频率为900 MHz时,振荡器的功耗仅为3.564 m W;当控制电压在0.6~1.8 V变化时,振荡器的频率调谐范围可宽达0.495~1.499 GHz。 展开更多
关键词 低功耗 动态锁存 调谐范围 理想电流源 压控振荡器(vco)
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宽带HBT VCO单片电路的设计和制作 被引量:1
12
作者 陈凤霞 蔡文胜 +1 位作者 戚伟 李远鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期8-13,共6页
针对传统采用的VCO设计理论,分析了VCO的基本结构及其工作原理,分析了负阻法和反馈法的优缺点,采用虚地法对VCO电路进行了分析和设计,从而简化了VCO的设计。同时利用EDA工具对微波宽带VCO单片电路进行优化和仿真,采用多种方法提高芯片... 针对传统采用的VCO设计理论,分析了VCO的基本结构及其工作原理,分析了负阻法和反馈法的优缺点,采用虚地法对VCO电路进行了分析和设计,从而简化了VCO的设计。同时利用EDA工具对微波宽带VCO单片电路进行优化和仿真,采用多种方法提高芯片性能。基于HBT工艺,设计出了宽带、低相位噪声的VCO单片电路,芯片工作电压为5V,工作电流为50~58mA,VCO振荡频率为3.2~6.2GHz,相噪为-73dBc/Hz@10kHz,输出功率11~14dBm。同时还阐述了采用片上外加变容管的优缺点以及改进方法。 展开更多
关键词 压控振荡器 频率 虚地 负阻 异质结双极晶体管
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一种新型电容阵列结构线性宽带VCO 被引量:1
13
作者 徐雷钧 王超然 白雪 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期781-787,共7页
针对开关电容阵列结构压控振荡器(VCO)的非线性粗调谐特性,提出了一种新型的电容阵列结构线性宽带VCO。该VCO只有1组MOS电容、4路数字控制信号控制电阻阵列和电流源阵列,得到1组偏置直流电压以进行粗调谐;1路模拟控制电压通过电流叠加... 针对开关电容阵列结构压控振荡器(VCO)的非线性粗调谐特性,提出了一种新型的电容阵列结构线性宽带VCO。该VCO只有1组MOS电容、4路数字控制信号控制电阻阵列和电流源阵列,得到1组偏置直流电压以进行粗调谐;1路模拟控制电压通过电流叠加的方式叠加在MOS电容的控制电压上,进行精细调谐。电阻阵列控制不同数字控制信号下的调谐增益KVCO,与电流源阵列共同产生直流偏置电压以控制步进频率,可以灵活地精确设置不同数字信号控制下的电容值大小,取得线性的粗调谐特性。仿真结果显示,该VCO的调谐范围为5.00~5.87GHz,步进频率为166 MHz,调谐增益KVCO变化范围为-900^-450MHz/V,不同数字控制信号下的调谐特性几乎相同,比传统二进制电容阵列拥有更好的粗调谐特性。1.8V供电电压下,电路最大消耗4.43mA直流电流。 展开更多
关键词 压控振荡器 宽带 线性化 电容阵列
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振动对SYK801型SAW VCO频谱性能的影响 被引量:1
14
作者 黄汉生 隆海燕 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第2期68-71,74,共5页
对SYK801型声表面波压控振荡器(SAW VCO)在振动条件下的输出频谱性能进行了初步的探索和研究。介绍了这类型振荡器的振动灵敏度系数的表达式,初步分析影响振动灵敏度系数的主要因素,提出改善振动性能的技术措施。测试... 对SYK801型声表面波压控振荡器(SAW VCO)在振动条件下的输出频谱性能进行了初步的探索和研究。介绍了这类型振荡器的振动灵敏度系数的表达式,初步分析影响振动灵敏度系数的主要因素,提出改善振动性能的技术措施。测试结果表明所采取的技术措施对改善振荡器的振动性能是有效的。 展开更多
关键词 声表面波 压控振荡器 振动 频谱性能
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A wideband low-phase-noise LC VCO for DRM/DAB frequency synthesizer
15
作者 雷雪梅 王志功 王科平 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2010年第4期528-531,共4页
The wideband CMOS voltage-controlled oscillator(VCO)with low phase noise and low power consumption is presented for a DRM/DAB(digital radio mondiale and digital audio broadcasting)frequency synthesizer.In order to... The wideband CMOS voltage-controlled oscillator(VCO)with low phase noise and low power consumption is presented for a DRM/DAB(digital radio mondiale and digital audio broadcasting)frequency synthesizer.In order to obtain a wide band and a large tuning range,a parallel switched capacitor bank is added in the LC tank.The proposed VCO is implemented in SMIC 0.18-μm RF CMOS technology and the chip area is 750 μm×560 μm,including the test buffer circuit and the pads.Measured results show that the tuning range is 44.6%;i.e.,the frequency turning range is from 2.27 to 3.57 GHz.The measured phase noise is-122.22 dBc/Hz at a 1 MHz offset from the carrier.The maximum power consumption of the core part is 6.16 mW at a 1.8 V power supply. 展开更多
关键词 CMOS voltage-controlled oscillator switched capacitor bank MOS varactors WIDEBAND low phase noise DRM/DAB frequency synthesizer
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5GHz0.18μm CMOS工艺正交输出VCO
16
作者 陈莹梅 王志功 +2 位作者 朱恩 冯军 章丽 《光通信研究》 北大核心 2004年第2期39-41,共3页
文章采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器.环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90℃的正交输出时钟.采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行流片,电压控制振荡器(VCO)的频率范围为4.... 文章采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器.环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90℃的正交输出时钟.采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行流片,电压控制振荡器(VCO)的频率范围为4.9~5.5GHz,模拟的相位噪声为-119.3dBc/Hz@5M,采用1.8V电源电压,核芯电路的功耗为30mW,振荡器核芯面积为60μm×60μm. 展开更多
关键词 CMOS 相位噪声 环形振荡器 电压控制振荡器 vco 正交输出 光纤通信
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变压器反馈的超低功耗低相位噪声CMOS LC-VCO设计
17
作者 吴秀山 王志功 +1 位作者 李智群 李青 《微波学报》 CSCD 北大核心 2009年第6期63-66,共4页
设计了一种全集成交叉耦合变压器反馈的Lc压控振荡器(LC.VCO),该VCO在电源电压低于阈值电压的情况下实现了超低功率消耗和低相位噪声。该超低功耗的VCO采用SMIC0.18p,m数模混合RFIP6MCMOS工艺进行了流片验证。测试结果表明:电路在... 设计了一种全集成交叉耦合变压器反馈的Lc压控振荡器(LC.VCO),该VCO在电源电压低于阈值电压的情况下实现了超低功率消耗和低相位噪声。该超低功耗的VCO采用SMIC0.18p,m数模混合RFIP6MCMOS工艺进行了流片验证。测试结果表明:电路在0.4V电源供电和工作频率为2.433GHz时,相位噪声为-125.3dBc/Hz(频偏1MHz),核心直流功耗仅为720txW。芯片的工作频率为2.28—2.48GHz,调谐范围为200MHz(8.7%),电路的优值为-193.7dB,信号的输出功率约为1dBm。该VCO完全可以满足IEEE802.11b接收机的应用要求。 展开更多
关键词 低相位噪声 低功耗 变压器 电压控制振荡器 反馈
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低相位噪声VCO的设计
18
作者 向永波 阎跃鹏 高海飞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期534-537,共4页
设计了一个用于移动通信中继站的低相位噪声压控振荡器(VCO)。该VCO采用了考皮兹结构,谐振器使用LC器件,放大器件使用双极结型晶体管(BJT)。其频率调动范围为730~840 MHz,压控灵敏度为22 MHz/V,输出功率为10.7 dBm。在800 MHz中心频率... 设计了一个用于移动通信中继站的低相位噪声压控振荡器(VCO)。该VCO采用了考皮兹结构,谐振器使用LC器件,放大器件使用双极结型晶体管(BJT)。其频率调动范围为730~840 MHz,压控灵敏度为22 MHz/V,输出功率为10.7 dBm。在800 MHz中心频率处,其实测相位噪声分别为-99.42 dBc/Hz@10 kHz,-116.44 dBc/Hz@100 kHz,-135.06 dBc/Hz@1 MHz。提出了一种采用基极低频滤波的办法消除VCO的杂散频率,整个测试频段内观察不到明显的杂散。阐述了VCO相位噪声的主要来源,给出了低噪声VCO的设计方法。理论计算,仿真结果和实物测试取得了一致的结论,对低噪声VCO的设计提供了一定的参考。 展开更多
关键词 压控振荡器 相位噪声 杂散 变容管 双极结型晶体管
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一种简易微波VCO的设计 被引量:7
19
作者 鲁建彬 朱成 +1 位作者 祝潇 葛俊祥 《微波学报》 CSCD 北大核心 2013年第3期51-55,共5页
描述了一种高性能简易微波VCO器件的设计和实验。该器件基于负阻原理设计,利用微波FET和变容二极管等分立元件制作,具有高性价比的特点。设计过程中利用ADS软件进行电路的匹配和优化,通过合适的外电路设计对变容二极管VCO的调频线性度... 描述了一种高性能简易微波VCO器件的设计和实验。该器件基于负阻原理设计,利用微波FET和变容二极管等分立元件制作,具有高性价比的特点。设计过程中利用ADS软件进行电路的匹配和优化,通过合适的外电路设计对变容二极管VCO的调频线性度进行改善,同时,降低了VCO的相位噪声。实际电路的测试结果表明,当该VCO的中心频率为4.3GHz时,其调谐范围大于200MHz,输出功率大于5.2dBm,相位噪声优于-112dBc/Hz@1MHz和-83dBc/Hz@100kHz。 展开更多
关键词 压控振荡器 负阻原理 变容管 场效应管(FET) 性价比
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多段LC VCO的自适应频段选择技术 被引量:2
20
作者 齐贺飞 陈陵都 +2 位作者 赵瑞华 李晋 陈君涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期812-816,共5页
摘要:研究了一款单片CMOSLc压控振荡器(VCO)。除可变电容和开关电容阵列外,设计中还应用了二叉树的原理。多频段VCO自适应选择最优工作频段,将压控电压置于预先设定的范围内,谐振频率放在该频段的中心附近,提高了VCO的工作稳定... 摘要:研究了一款单片CMOSLc压控振荡器(VCO)。除可变电容和开关电容阵列外,设计中还应用了二叉树的原理。多频段VCO自适应选择最优工作频段,将压控电压置于预先设定的范围内,谐振频率放在该频段的中心附近,提高了VCO的工作稳定性。设计难点在于如何控制压控电压位于合适的范围。将该VCO应用在锁相环(PLL)中,对锁相环芯片测试的结果表明,当压控电压为1~2V时,锁相环能够快速锁定,频率输出范围为600~1300MHz。电荷泵的NMOS和PMOS匹配最佳,相位噪声最好。自适应频段选择技术还提高了锁相环的工作可靠性,强制控制电压进入设定区间,保证了锁相环可靠入锁,在高、低温下也不会发生失锁。 展开更多
关键词 压控振荡器(vco) 二叉树 锁相环(PLL) 稳定性 多频段
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