W(110)表面反常STM图像的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论的第一性原理方法研究了W(110)p(1×1)表面的STM图像对于衬底偏压的依赖性.计算结果表明:在衬底负偏压条件下,W(110)p(1×1)表面的钨原子在STM图像中显示为暗点而非通常在其它过渡金属中观察到的亮斑,并且暗点随偏压绝对值的减小而逐渐弱化.计算还模拟了恒流模式的STM测量时针尖的起伏变化.当衬底偏压在0～100meV区间时,针尖起伏高度最为明显(～0.006nm).在更高的正偏压下,STM的针尖起伏随偏压改变而线性变化(0.0015～0.0035nm).这些结果说明了W(110)p(1×1)表面是非常平坦的.由于钨原子的价电子为5d态,和3d电子相比具有更为扩展的行为,表面态电子波函数交叠区间集中在原子周围,所以STM测量时亮点突起出现在原子的周围.

W(110)面二维氧化的低能电子显微镜研究

应用低能电子显微术对Ｗ（１１０）面二维氧化结构进行了初步研究．随着氧暴露量的增加，低能电子衍射图样由清洁表面（１×１）结构转变成ｐ（２×１），再变为带有复杂衍射卫星点的ｐ（２×２）结构．利用低能电子显微术的暗场像模式，对（００）束附近的分数衍射斑点进行了放大成像，发现表面由两种对比度相差很大的区域组成，它们就是具有不同方位取向的氧超结构畴区．两种畴区的分布与衬底表面缺陷特别是表面台阶有一定的关系。

用于先进的双嵌入和栓工艺的低缺陷钨CMP高性价比浆料(英文)

介绍了用于钨双嵌入和钨栓CMP工艺的新型CMP3200TM氧化铝浆料,测试证明,这种浆料在110nm技术节点的钨CMP工艺应用中取得了理想的效果。通过对氧化铝粒子制造工艺的有效控制,获得了可满足110nm技术节点双嵌入和栓层钨CMP工艺要求的低缺陷率,高性价比的氧化铝蛐硝酸铁浆料。从而在价格竞争激烈的半导体制造领域,特别是代工市场引起了业界越来越多的关注。