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中频磁控溅射制备a-C∶H(Al,W)薄膜及其性能研究 被引量:2
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作者 龚秋雨 郝俊英 +1 位作者 刘小强 刘维民 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期556-564,共9页
采用中频磁控溅射技术,以w、Al复合靶(面积比为1:1)为靶材,在氩气和甲烷混合气体中于iq(100)型单晶硅表面沉积了一系列Al、w共掺杂含氢非晶碳[a-c:H(Al,w)]薄膜.分析了不同甲烷流量对薄膜成分、结构和表面形貌的影响,并表... 采用中频磁控溅射技术,以w、Al复合靶(面积比为1:1)为靶材,在氩气和甲烷混合气体中于iq(100)型单晶硅表面沉积了一系列Al、w共掺杂含氢非晶碳[a-c:H(Al,w)]薄膜.分析了不同甲烷流量对薄膜成分、结构和表面形貌的影响,并表征了薄膜的力学性能和摩擦磨损行为.结果表明:随着甲烷流量的增加,薄膜中C含量呈上升趋势,而w和Al含量均呈现递减趋势,过高流量的CH。会导致金属靶材中毒.薄膜中的sp^2C和sp^3c含量受w、Al以及H注入效应的共同影响.所制备的薄膜表面均较为平滑,表面粗糙度(RMS)在0.39~0.48nm范围内.薄膜的纳米硬度(日)在9.98-11.37GPa之间,弹性模量(E)介于71~93.36GPa之间,弹性恢复系数均在70%以上.当薄膜中w和Al的原子百分含量分别为3.74%和2.37%时,H/E值和H^3/E^3值分别为0.141和0.198,且此时薄膜在大气环境下表现出较好的减摩抗磨性能.薄膜具有适度的sp^3C/sp^2c比值、优异的弹性形变性能、摩擦过程中对偶球表面形成连续而致密的转移层等因素是薄膜具有良好摩擦学性能的重要原因. 展开更多
关键词 中频磁控溅射 A-C H(A1 w)薄膜 摩擦磨损 力学性能
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Structure characteristic and its evolution of Cu-W films prepared by dual-target magnetron sputtering deposition
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作者 周灵平 汪明朴 +3 位作者 彭坤 朱家俊 傅臻 李周 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第11期2700-2706,共7页
Immiscible Cu-W alloy thin films were prepared using dual-target magnetron sputtering deposition process. The structure evolution of Cu-W thin films during preparation was investigated by X-ray diffraction, transmissi... Immiscible Cu-W alloy thin films were prepared using dual-target magnetron sputtering deposition process. The structure evolution of Cu-W thin films during preparation was investigated by X-ray diffraction, transmission electron microscopy and high resolution transmission electron microscopy. In the initial stage of dual-target magnetron sputtering deposition process, an amorphous phase formed; then it crystallized and the analogy spinodal structure formed due to the bombardment of the sputtered particles during sputtering deposition process, the surface structure of the film without the bombardment of the sputtered particles was the amorphous one, the distribution of the crystalline and amorphous phase showed layer structure. The solid solubility with the analogy spinodal structure was calculated using the Vegard law. For Cu-13.7%W (mole fraction) film, its structure was composed of Cu-ll%W solution, Cu-37%W solution and pure Cu; for Cu 14.3%W film, it was composed of Cu-15%W solution, Cu-38%W solution, and pure Cu; for Cu-18.1%W film, it was composed of Cu-19%W solution, Cu-36% W solution and pure Cu. 展开更多
关键词 Cu-w thin film sputtering deposition amorphous phase layer structure solid solubiiity Vegard law
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IWO缓冲层对MOCVD-ZnO:B薄膜性能的影响研究
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作者 闫聪博 陈新亮 +6 位作者 陈雪莲 孙建 张德坤 魏长春 张晓丹 赵颖 耿新华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期697-702,共6页
金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲... 金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲层,应用于MOCVD-ZnO:B薄膜与玻璃之间,可促进ZnO:B薄膜的生长,并且有效提升薄膜的光散射特性。当IWO缓冲层厚度为20nm时,获得的IWO/ZnO:B薄膜的电阻率为2.07×10-3Ω.cm,迁移率为20.9cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.44×1020 cm-3;同时,薄膜具有的透过率大于85%,且在550nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约9.5%,在800nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约4.5%。 展开更多
关键词 MOCVD ZnO:B薄膜 透明导电氧化物(TCO) 薄膜太阳电池 电子束蒸发 w的In2O3(In2O3:w IwO)薄膜 绒度
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电子束沉积技术生长WZO-TCO薄膜及其特性研究 被引量:1
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作者 陈雪莲 陈新亮 +4 位作者 张存善 张德坤 魏长春 张晓丹 赵颖 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1655-1659,共5页
采用电子束沉积技术生长W掺ZnO(WZO,ZnO:W)透明导电氧化物(TCO)薄膜(即WZO-TCO薄膜)并研究了衬底温度(100~350℃)对薄膜微观结构、表面形貌以及光电性能的影响。实验表明,随着衬底温度的升高,薄膜的晶体质量取得明显改善(从非晶化状态... 采用电子束沉积技术生长W掺ZnO(WZO,ZnO:W)透明导电氧化物(TCO)薄膜(即WZO-TCO薄膜)并研究了衬底温度(100~350℃)对薄膜微观结构、表面形貌以及光电性能的影响。实验表明,随着衬底温度的升高,薄膜的晶体质量取得明显改善(从非晶化状态转变到结晶状态),生长的WZO薄膜呈现c轴择优取向[即(002)晶面]的六角纤锌矿结构。提高衬底温度后,薄膜的光电性能得到了显著改善。霍尔(Hall)迁移率随着衬底温度增加而单调升高,从100℃时的0.1cm2.V-1.s-1提高到350℃时的15.4cm2.V-1.s-1。在衬底温度200℃时获得WZO薄膜最低电阻率2.6×10-3Ω.cm。实验结果还表明,在350℃条件下获得的WZO薄膜性能相对较好,其典型Hall迁移率为15.4cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.2×1020 cm-3,可见光和近红外区域内的平均透过率为82.27%(含2mm玻璃衬底)。 展开更多
关键词 电子束沉积技术 w掺ZnO(wZO ZnO:w)薄膜 透明导电氧化物(TCO)膜 光电性能 太阳电池
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