杂多酸K7Fe^3＋P2W17O62H2对硫醇—磷脂杂化双层膜通透性的影响

利用涂抹冷冻法制备了硫醇-磷脂杂化双层膜,采用循环伏安和交流阻抗方法,研究了硫醇-磷脂杂化双层膜与杂多酸K7Fe3+P2W17O62H2作用前后通透性的变化.发现该种杂多酸能够诱导硫醇-磷脂杂化双层膜产生一些孔洞,降低了膜电阻,增加了膜电容,也增加了探针Fe(CN)63-/4-与电极的电子传递.同时对产生该现象的机理进行了初步的探讨.

Y_2W_3O_(12)和Yb_2W_3O_(12)的制备及其负热膨胀性能

利用液相沉淀法制备了Y2W3O12和Yb2W3O12粉体。经室温XRD测定,Y2W3O12(空间群为Pnca)和Yb2W3O12(空间群为Pbcn)皆为单一的正交相。在50-800℃温度区间对两种粉体进行高温XRD测试,并利用软件TOPAS3.0对其在不同温度下的XRD图谱进行精修,发现Y2W3O12和Yb2W3O12都具有较大的负热膨胀特性,经计算两者的线热膨胀系数(αl)平均值分别为-6.38×10-6℃-1和-4.18×10-6℃-1。与高温固相反应法相比,液相沉淀法大大缩短了粉体的合成周期,降低了合成温度。

退火处理对W:Bi_4Ge_3O_(12)和Bi_(12)GeO_(20)晶体发光性能的影响

通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光强度比纯Bi4Ge3O12有所增强,而且N2中退火处理对W∶Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用。Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光峰,其衰减时间为10μs左右。两种晶体退火处理后发光均增强,认为是低价Bi离子发光所致。

Co/Co_3O_4双层膜中的交换偏置

在磁控溅射系统中利用Co靶和Co3O4靶制备了Co/Co3O4双层膜.振动样品磁强计(VSM)结果显示在测量温度高于Co3O4的奈耳温度时,交换偏置场HE仍然存在,多功能光电子能谱(XPS)分析表明在靠近Co层一侧Co3O4层被还原成一薄层的CoO.当Co3O4层的厚度低于3.5 nm时,Co3O4完全被还原成CoO.

粉末冶金法制备SiC_p/Al_2W_3O_(12)/Al复合材料及其热膨胀性能

通过添加适量的Al_2W_3O_(12)负热膨胀粉体来优化碳化硅颗粒增强铝基(SiC_p/Al)复合材料的热膨胀系数。实验采用固相法制备负热膨胀性能的Al_2W_3O_(12)粉体,并按10%,20%,30%的体积比添加至SiC_p/Al复合粉体中,利用粉末冶金工艺制备SiC_p/Al_2W_3O_(12)/Al复合材料。实验结果表明:制备的复合材料组织分布均匀,致密度良好。室温到200℃内,在Al基体质量分数不变的前提下,Al_2W_3O_(12)的加入有效降低了复合材料的热膨胀系数。

掺杂量及烧结温度对W掺杂Li7La3Zr2O12陶瓷电解质性能的影响

采用固相反应法制备W掺杂Li7La3Zr2O12(Li7-2xLa3Zr2-xWxO12)陶瓷电解质,探究掺杂量及烧结温度对样品烧结特性、晶体结构、显微形貌及离子电导率的影响。结果表明:W掺杂可以稳定立方相Li7-2xLa3Zr2-xWxO12,当x=0.3时,1200℃烧结20h制备的样品30℃下离子电导率达到最高值5.77×10-4S/cm,相较于未掺杂样品提高一个数量级;以x=0.3为固定掺杂量、改变不同烧结温度,1180℃烧结20h获得的样品离子电导率达到最高为7.05×10-4S/cm。当x=0.1~0.3时,晶粒尺寸分布均匀,在10~20μm左右;当x=0.4时,产生晶粒熔合现象且有晶体析出,这种特殊的显微形貌导致样品电性能劣化。

氧化石墨烯在水热法制备Sc_2W_3O_(12)粉体中的应用

以硝酸钪,钨酸铵等为原料,氧化石墨烯为表面活性剂,采用水热法制备了类十字架状Sc2W3O12粉体。利用XRD、TG-DSC、Raman及SEM考察了加入氧化石墨烯对所合成产物结构和形貌的影响,采用TMA测试了所得Sc2W3O12粉体的热膨胀性质。分析表明：在200℃水热条件下,氧化石墨烯包裹在Sc2W3O12晶粒表面并抑制了原有某些晶面的增长,使晶粒逐渐长为棒状,进而纳米棒团聚成类十字架状,产物经620℃热处理10 min后得到纯净的Sc2W3O12粉体,其在室温~800℃均呈现出负热膨胀特性,且平均热膨胀系数为-4.75×10-6/K。

具有优良隔热和力学性能的低热导率W/Al2O3纳米多层功能膜的构建

本研究以高纯W与Al2O3为靶材,在常温下采用磁控溅射法在钠钙硅玻璃表面交替镀制了W及Al2O3纳米多层膜。在多层膜总厚度相同的条件下,研究了不同W/Al2O3周期厚度对隔热性能的影响。采用台阶仪、扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、场发射透射电镜(TEM)等对多层膜的形貌及结构进行了表征。采用瞬态热反射法(TTR)、纳米压痕仪分别分析了多层膜的隔热性能和力学性能。结果表明,实验沉积的多层膜中各单层均匀连续,不存在断层现象,且层间界面清晰。Al2O3膜层呈非晶形态,W膜层具有亚稳态β-W(210)的择优取向,并在周期厚度为5 nm时呈现明显的非晶态。随着膜层界面密度的增大,多层膜的热阻增大,热导率减小,硬度增大。周期厚度为5 nm、膜层数为41层的W/Al2O3多层膜具有较为优异的隔热性能与力学性能,其热阻为3.14×10^-7 m^2·K·W^-1,有效热导率为0.36 W·m^-1·K^-1,硬度为8.53 GPa,膜/基结合力为42.20 mN。所制备的多层膜在室温到500℃之间具有良好的热稳定性。

负热膨胀材料Sc_2W_3O_(12)的研究现状

负热膨胀材料是材料科学学科中近年来新兴的学科分支。Sc_2W_3O_(12)则是一种结构稳定的各向异性负热膨胀材料。介绍了Sc_2W_3O_(12)的制备方法、晶体结构与负热膨胀特性,综述了以Cu/Sc_2W_3O_(12)、ZrO_2/Sc_2W_3O_(12)为代表的复合材料及不同元素掺杂而成的Sc_(2-x)A_xW_3O_(12)(A=Y,In,Ga)粉体的研究现状。

Al/Y_2W_3O_(12)复合材料的制备、热膨胀及电性能研究

采用固相法制备Al/Y_2W_3O_(12)复合材料,研究了Al与Y_2W_3O_(12)以不同质量比合成样品的特性。X射线衍射表明:样品只含有Al和Y_2W_3O_(12),不存在Al对Y的取代。SEM和EDS分析表明:小颗粒Y_2W_3O_(12)嵌入在块状Al基底中,为嵌入式复合结构。热膨胀性能和电导率测试分析表明:当Al与Y_2W_3O_(12)的质量比7∶3时,Al/Y_2W_3O_(12)样品的线膨胀系数14.76×10-6/K(RT^600℃)约为Al的一半,呈现良好的导电性,其导电率为18.2 S/m可达Al的电导率的1/2,且Al/Y_2W_3O_(12)样品几乎不表现出吸水性。研究认为,该复合材料具有低膨胀和较高导电性是由于其特有的嵌入式结构所致。

假凝胶法制备Al_2O_3微滤分离膜的研究

以无机盐Al(NO3) 3和氨水NH3·H2 O为原料 ,以盐酸HCl为胶溶剂制备出稳定透明的勃姆石溶胶 ,往溶胶中加入一定量的PVA溶液和平均粒径 15nm、10 0nm或 60 0nm的Al2 O3微粉制备出假溶胶 ,采用浸渍法工艺将假溶胶涂覆在平均孔径为 1.18μm的α -Al2 O3载体上 ,经过热处理制备出孔径为

Sol-gel法制备Al_2O_3复合膜的EPMA研究

研究采用 Sol- gel法成功地制备了一种新型的 Al2 O3- Si O2 - Ti O2 - Zr O2 复合陶瓷膜 ,其膜面平整 ,无宏观缺陷。利用电子探针微区分析 (EPMA)重点研究了膜的表面和膜与基体界面的化学成分及微观结构。并分析了修饰物添加剂对膜的形貌和性能的影响。结果表明 Ti O2 、Si O2 、Zr O2 掺杂对 Al2 O3膜起到了良好的修饰作用。

Al_2O_3-SiO_2-TiO_2-ZrO_2复合膜与基体结合性的研究

采用Sol-Gel法制备了Al2 O3-SiO2 -TiO2 -ZrO2 复合多孔膜 ,并在不同基体上进行了涂膜实验研究。结果表明 ,以孔隙率为46.8%、最可几孔径为几个微米的α -Al2 O3作基体 ,可以制备出膜厚为 1～ 2 μm纳米级孔径的Al2 O3-SiO2 -TiO2 -ZrO2 复合多孔膜 ,Al2 O3复合膜与α -Al2 O3基体的结合性最好。通过对α -Al2 O3基体分析发现 ,基体的成型压力、烧成后基体的孔径大小以及膜与基体之间的应力作用对Al2 O3-SiO2 -TiO2 -ZrO2 复合多孔膜形成影响甚大。对膜与基体的结合强度进行了研究 ,结果表明 ,膜的热稳定性高 ,耐酸、耐碱性好 ,相对硬度介于 6～

Al_2O_3-TiC-Co改性陶瓷的性能及其耐磨性

以化学沉积的方法，在陶瓷粉体Al2O3，TiC的表面均匀包覆一层Co膜．混合球磨后经热压烧结的Al2O3-TiC-CO（ATC）改性陶瓷的强度和断裂韧性比Al2O3-TiC提高约40％．并对Al2O3-TiC-Co和Al2O3-TiC陶瓷的磨粒磨损行为、磨损机理和磨粒磨损耐磨性进行了比较．结果表明，Al2O3-TiC-Co陶瓷的耐磨性明显好于Al2O3-TiC陶瓷，磨损表面呈现较多的塑性变形.

多孔硅表面的Al_2O_3钝化处理

用Al2 O3钝化的方法对多孔硅进行了后处理 ,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品。通过对样品进行傅里叶变换红外吸收谱的测试和分析 ,指出了Al2

CLAM钢表面硬质薄膜的制备与性能研究

采用射频反应磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)不锈钢表面制备了单层A12O3、SiC、W薄膜以及SiC/A12O3、W/A12O3双层膜。对所制备的薄膜进行了XRD结构分析、AFM表面形貌测试和显微硬度测试。结果表明:单层SiC薄膜表面出现了部分脱落,而SiC/A12O3双层膜表面完整光滑。W/A12O3双层薄膜表面平整光滑,均方根粗糙度为4.28 nm。W单层薄膜和W/A12O3双层薄膜经氩气中800℃退火2 h后硬度最高,分别达到了34.4 GPa和31.3 GPa。

Sc_2W_3O_(12)/ZrO_2可控热膨胀复合材料的制备

采用固相法成功制备了纯度较高的各向异性负热膨胀材料Sc2W3O12。将ZrO2与Sc2W3O12按一定体积比混合,在1200℃烧结10h制备Sc2W3O12/ZrO2复合材料。通过XRD、SEM、EDS和热膨胀仪对合成样品的晶体结构、断面形貌和热膨胀性能进行表征。结果表明:样品组元为正交相Sc2W3O12和单斜相ZrO2;在30～600℃内,Sc2W3O12/ZrO2复合材料的热膨胀系数皆线性一致,并且通过改变Sc2W3O12的体积分数,其热膨胀系数可以控制为正、负或零,其中60%Sc2W3O12/ZrO2复合材料在30～600℃的平均热膨胀系数为0.026×10-6℃-1,近似为0。

Y_2W_3O_(12)/Ni复合材料的制备及热膨胀性能

为研究Ni基Y2W3O12复合材料的热学性能,首先,采用二次焙烧法制备了负膨胀材料Y2W3O12;然后,将Y2W3O12与金属Ni进行混合,并在1 200℃、50 MPa的条件下热压烧结制得40vol%Y2W3O12/Ni复合材料;最后,对复合材料的成分及热膨胀性能进行了研究。结果表明：在热压烧结过程中,由于Ni的还原性比W差,相对于对比试样40vol%Y2W3O12/Cr复合材料中发生的复杂化学反应,40vol%Y2W3O12/Ni复合材料的两相之间并未发生反应,使40vol%Y2W3O12/Ni复合材料保持了较低的热膨胀系数;经数次循环退火释放热应力及去除Y2W3O12相的结晶水后,40vol%Y2W3O12/Ni复合材料在170-800℃温度范围内的热膨胀系数趋于稳定,约为3.4×10^-6 K^-1,与理论设计值4.0×10^-6 K^-1相近。