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用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能
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作者 冯高明 刘波 +3 位作者 吴良才 宋志棠 封松林 陈宝明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1134-1138,共5页
为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有... 为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径. 展开更多
关键词 相变存储器 w亚微米管加热电极 电学性能 疲劳特性
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