CVD技术制备Ta/W层状复合材料

运用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术制备了W体积分数分别10%,13%和18%的Ta/W两层层状复合材料,采用金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和室温拉伸实验对复合材料的性能进行分析。结果表明:运用CVD技术可以制备W体积分数不同,且密度优于理论密度99.4%的层状复合材料;复合材料中Ta,W层的晶粒均为柱状晶粒,离界面越近,晶粒越细;沉积态复合材料的力学性能优于纯CVD Ta和CVD W;1600℃×2 h的热处理后,复合材料的界面扩散层宽度显著增大,力学性能高于沉积态的力学性能,最高抗拉强度可达660 MPa。

CVD Ta/W复合材料的力学性能及影响因素

使用拉伸试验机,扫描电镜,金相显微镜研究了采用CVD法制备的Ta/W层状复合材料的力学性能及影响因素。结果表明:W体积分数,热处理温度,热处理时间均对复合材料的力学性能有较大影响。W体积分数为13%的复合材料同时具有良好的抗拉强度和塑性。能够有效提高复合材料抗拉强度和塑性的热处理制度为1600℃/2 h,且热处理主要通过改变复合材料的晶粒大小及界面扩散层厚度来影响材料的力学性能。