W/WO_(2.72)一维纳米异质结构的合成及生长机理

以WO3粉末为原料，通过两步气相沉积法在硅基底上制备W/WO2.72一维纳米异质结构。采用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）及X射线衍射分析（XRD）等检测手段对制备出的W/WO2.72异质结构进行形貌、结构和物相的分析表征。结果表明：异质结构的主干W晶须沿 110 方向生长，长10~25μm、直径200~500 nm，分支WO2.72纳米线沿径向竖直分布在W晶须轴上并沿 010 方向生长，直径20~50 nm。该异质结构因其独特的组成和结构可用于超高灵敏性传感器和场发射设备。

SiC2(W)增强 Al 合金疲劳失效的特征

用扫描电镜观察了 SiC 晶须增强 Al 基复合材料疲劳裂纹的形成扩展特征,研究了 SiC 晶须分布、晶须与基体界面及基体中的缺陷对疲劳裂纹形成的影响。