Z-Buffer与W-Buffer的比较分析

本文详细介绍Z-buffer和W-buffer的工作原理,分析了Z-buffer和W-buffer的精确度以及Z走样的形成原因,阐述了Z-buffer和W-buffer各自的特性以及Z-buffer和W-buffer的相互关系。

基于PC图形卡W-Buffer的交互直接体绘制

提出一种基于PC图形卡W Buffer的交互光线投射算法,这是一种面绘制与体绘制结合的快速体绘制方法.首先用3D分割等方法提取边界体素或用MarchingCubes等算法提取等值面,然后利用图形硬件预先投影这些边界体素或等值面以产生深度信息,最后由光线投射模块根据W Buffer中的深度信息快速找到实际等值面的位置,进行采样、着色、不透明度与颜色合成等渲染工作.这一方法不仅显著地加快了成像速度,而且不降低图像质量.实验结果表明,用该算法在PC机上以200×200分辨率渲染时,能达到10帧/秒的速度,基本满足虚拟内窥镜系统的动态导航和高质量图像要求,具有较大实用价值.

TiO_2缓冲层对掺钨氧化钒热敏智能玻璃的制备及性能影响

用直流磁控溅射法在玻璃基片上先沉积TiO2缓冲层,再用直流/射频反应磁控共溅射法制备掺钨VOX薄膜,然后在氮气中退火。用X射线衍射、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计、红外光谱仪等对薄膜的结构、表面形貌、光透过率等进行测试分析。结果表明:在溅射气压为1 Pa,氧氩气体比例为1:4,Ti靶采用100 W直流电源时,所制备的TiO2缓冲层上的掺钨VOX薄膜致密,晶粒大小均匀。掺钨VOX薄膜样品的相变温度降低至35℃,可见光透过率较高,对红外光的屏蔽效果明显。

IWO缓冲层对磁控溅射生长绒面HGZO薄膜性能的影响

研究了W掺In2O3(IWO)缓冲层(buffer layer)对磁控溅射直接生长绒面结构H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。实验发现,加入IWO缓冲层能够有效地增大薄膜表面粗糙度,提高了薄膜光散射能力,薄膜绒度(550nm波长处)由7.05%提高至18.37%;具有IWO缓冲层的HGZO(IWO/HGZO)薄膜的电学性能稍微提升。通过优化工艺条件,当IWO缓冲层厚为10nm时,生长获得的IWO/HGZO复合薄膜方块电阻为3.6Ω,电阻率为6.21×10-4Ωcm,可见光及近红外区域透过率(400～1 100nm)为82.18%,薄膜绒度(550nm波长处)为18.37%。