W掺杂量和退火温度对W-VO_(2)物相结构及相变性能的影响

钨掺杂M相二氧化钒(W-VO_(2)(M))有效降低了VO_(2)金属相(低温单斜相,M)到绝缘体相(高温四方金红石相,R)的可逆相转变温度(T_(c)),显著提高了VO_(2)在智能窗领域的应用价值。然而,W-VO_(2)(M)所表现出的较宽热滞回线宽度(ΔT_(c)>10℃)对其应用造成了一定的限制。为了解决这一问题,本研究以降低W-VO_(2)(M)的ΔT_(c)为目标,研究了W掺杂量与退火温度对W-VO_(2)物相结构及相变性能的影响。结果表明:随着W掺杂量的增加,W-VO_(2)粉体的T_(c)降低,并且ΔT_(c)较窄;退火温度的升高可以提高W-VO_(2)粉体的结晶度和分散度,但温度过高,会加速VO_(2)晶体结构的破坏,使其在恢复到室温后无法从R相转变为M相;当W掺杂量为6.0 at%,退火温度为700℃时,采用水热-退火两步法制备得到的W-VO_(2)(M)粉体表现出接近室温使用的T_(c)(T_(c)=36.83℃),同时具有较窄的ΔT_(c)(ΔT_(c)=6.63℃)。

改性纳米W-VO2纸基控温材料的制备及性能

现阶段以磁控溅射法制备的掺杂钨二氧化钒控温薄膜,其热滞回线陡峭、机械加工性能以及强度性能较差,为解决上述问题,采用湿法非织造法制备了红外光学性能优异、相变温度较低的纳米掺杂钨二氧化钒(W-VO2)纸基控温材料.使用差示扫描量热法(DSC)、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)等分析方法,对纳米W-VO2纸基控温材料的微观结构及红外相变特性等方面进行了分析,并对纳米W-VO2纸基控温材料的红外透射率及相变特性进行表征.结果表明:表面改性处理后可促进纳米W-VO 2晶粒均匀分散,采用湿法非织造法制备的纳米W-VO2纸基控温材料,能够将相变温度控制在45℃附近,使红外透射率前后对比值达到37.5%,实现了对红外波段透射率差值的优化;当纳米W-VO 2控温材料加填量达到15 mL时,抗张指数、撕裂指数、耐破指数和耐折次数分别为7.62 kN/m、23.97 mN·m^2/g、5.37 kPa·m^2/g和92次(分度值14.7 N),为深入研究智能控温包装材料提供了参考依据.